金屬上方的sin層上的膠帶輔助單步剝除的制作方法
【專利說明】金屬上方的SIN層上的膠帶輔助單步剝除
[0001]發(fā)明背景發(fā)明領域
[0002]本發(fā)明的實施方式一般涉及一種自基板去除膜層的方法。
[0003]相關技術的描述
[0004]諸如OLED的裝置使用鈍化層增加裝置的使用壽命。鈍化層可通過化學氣相沉積(CVD)來沉積。由于通過CVD的膜沉積通常是非特定的，因此膜層可形成在基板的不期望的區(qū)域上，諸如鈍化層形成在某些金屬特征結構上方。因而，對金屬層的夠到(access)對相同基板上的其它裝置的依序產生可為重要的。
[0005]在處理期間，可發(fā)生膜的特定區(qū)域的去除。用于膜的特定區(qū)域的去除的技術包括遮蔽(masking)與蝕刻和基于激光的技術。遮蔽與蝕刻涉及利用通常由光刻膠制成的掩模。光刻膠暴露于特定波長的輻射。在顯影工藝期間去除光刻膠的經暴露部分，以使表面的待蝕刻部分暴露。脈沖激光源已用以執(zhí)行基于激光的材料處理從而用于諸如沉積膜的剝蝕和脫層的應用。
[0006]雖然遮蔽與蝕刻可用于去除特定表面區(qū)域，但遮蔽與蝕刻可為成本過高的。激光剝蝕可定靶于膜的特定區(qū)域以破壞那些區(qū)域中的膜。然而，通過破壞層，激光剝蝕產生在繼續(xù)處理之前必須從腔室清除的不期望的碎片和殘余物?，F(xiàn)有技術的脫層技術從表面下方破壞層，此可與標準剝蝕技術產生類似的碎片。此外，基板上的脫層的特定性可受限制，這是因為難以基于特征結構的大小來定靶特定區(qū)域。
[0007]因此，在本技術領域中需要在控制膜分離的同時定革El (target)為去除膜的特定區(qū)域的膜去除方法。
[0008]發(fā)曰月概沐
[0009]本文中描述用于處理基板的方法。一種用于從基板去除層的方法可包括:將基板定位于處理腔室內，其中所述基板可包括上表面和形成在所述上表面上的具有分離能量的一或多個金屬特征結構；在一或多個金屬特征結構和上表面的經暴露部分上方形成層；將透射性輻射能量源聚焦于層處；使基板的上表面處的透射性輻射能量呈脈沖形式傳輸，從而產生層的經分離部分和經附接部分；以及去除層的經分離部分。
[0010]本文中描述的方法大體上涉及在不干擾形成在非金屬表面上的整個膜的情況下從基板上的金屬特征結構的表面選擇性地去除膜的部分。本文中描述的實施方式采用基于上層的透射度選擇的透射性輻射能量，以在不使上層與其它特征結構或基板表面分離的情況下產生在一或多個金屬特征結構與上層之間的分離。上層從下層的分離和去除在下文中稱為“剝離”，其在剝蝕中不破壞上層，且在脫層中也不產生裂縫和來自上層的碎片。
[0011]在一個實施方式中，一種用于從基板去除層的方法可包括:將基板定位于處理腔室內，其中所述基板可包括上表面和形成在所述上表面上的具有分離能量的一或多個金屬特征結構；在一或多個金屬特征結構和上表面的經暴露部分上方形成層；將透射性輻射能量源聚焦于層處；使基板的上表面處的透射性輻射能量呈脈沖形式傳輸，從而產生層的經分離部分和經附接部分；以及去除層的經分離部分。
[0012]在另一個實施方式中，一種用于從基板去除層的方法可包括:將基板定位于處理腔室內，其中所述基板可包括具有第一分離能量的基板表面、具有第二分離能量的一或多個金屬特征結構以及形成在金屬特征結構上方的鈍化層；將透射性輻射能量源聚焦于基板處；將透射性輻射能量朝基板的一部分引導，直到在不達到第一分離能量的情況下達到第二分離能量，從而在金屬特征結構上方產生經分離鈍化層；以及去除經分離鈍化層。
[0013]在另一個實施方式中，一種用于從基板去除層的方法可包括:將基板定位于處理腔室內，其中所述基板可包括具有第一分離能量的基板表面、具有第二分離能量的一或多個鉬特征結構以及形成在鉬特征結構上方的氮化硅層；將透射性輻射能量源定位至指向基板處的第一位置；將透射性輻射能量朝基板的一部分呈脈沖形式傳輸，直到在不達到第一分離能量的情況下達到第二分離能量，從而在金屬特征結構上方產生經分離氮化硅層；移動透射性輻射能量源且使透射性輻射能量依序地呈脈沖形式傳輸，從而在所期望的鉬特征結構上方產生經分離氮化硅層的域；以及使用膠帶去除經分離的氮化硅層。
[0014]附圖簡要說明
[0015]為了可詳細地理解本發(fā)明的上述特征的方式，可參考實施方式做出對上文簡短地概述的本發(fā)明的更具體說明，所述實施方式中的一些實施方式在附圖中加以圖解說明。然而，應注意附圖僅圖解說明本發(fā)明的典型實施方式且因而不視為是對本發(fā)明的范圍的限制，因為本發(fā)明可承認其它同等有效的實施方式。
[0016]圖1為根據(jù)一個實施方式的輻射能量處理腔室的繪示。
[0017]圖2A-2D圖解說明根據(jù)一個實施方式具有金屬特征結構和上層經處理的基板。
[0018]圖3為根據(jù)一個實施方式的方法的方框圖。
[0019]圖4A和圖4B圖解說明基板的例示性實施方式，所述基板已經處理以去除沉積在金屬特征結構上方的層的一部分。
[0020]為促進理解，已盡可能使用相同附圖標記指示諸附圖中共有的相同元件。預期在一個實施方式中公開的元件可有利地用于其它實施方式，而無需特定敘述。
[0021]具體描沐
[0022]本文中描述的方法一般涉及在不干擾形成在非金屬表面上的整個膜的情況下從基板上的金屬特征結構的表面選擇性地去除膜的部分。本文中描述的實施方式采用基于上層的透射度選擇的透射性輻射能量，以在不使上層與其它特征結構或基板表面分離的情況下產生在一或多個金屬特征結構與上層之間的分離。上層從下層的分離和去除在下文中稱為“剝離”，其在剝蝕中不破壞上層，且在脫層中也不產生裂縫和來自上層的碎片。
[0023]據(jù)信層的剝離不產生碎片，以及層的選擇性去除提供在膨脹上層和下層或特征結構(諸如，金屬特征結構)之間的完全分離。本文中描述的實施方式當前設想適用于去除沉積于金屬和非金屬特征結構兩者上的層，包括但不限于太陽能單元、具有在0.5微米至3微米的范圍內的電介質層厚度的可移動顯示器和家用顯示器，以及其它OLED應用。下文參照附圖更清楚地描述本發(fā)明的實施方式。
[0024]圖1圖解說明適用于本發(fā)明的實施方式的輻射能量處理腔室2。輻射能量處理腔室2可具有封圍處理容積的多個腔室壁4?；逯渭?可位于輻射能量處理腔室2內?；?0可位于基板支撐件6上。輻射能量處理腔室2可具有一或多個輻射能量源8。
[0025]輻射能量源8可產生指向基板10的表面處的輻射能12。輻射能量源8可為相干能量源，諸如激光器。雖然圖1僅描繪有兩個輻射能量源8，但實施方式可包括一或多個輻射能量源8。輻射能量源8可一致地或獨立地移動或呈脈沖形式傳輸。進一步實施方式可包括可一致地或獨立地移動和呈脈沖形式傳輸?shù)妮椛淠芰吭?的陣列。同時，可使用上述實施方式的任何組合。各輻射能量源8可由可聚焦在基板10的表面上的一或多個點上的單個源或多個源組成。輻射能量源8可朝向基板支撐件6。同時，除控制處理基板10上的特定點的時間量之外，輻射能量源8還可增加或減少以指定波長傳遞至基板10上的點的功率。
[0026]基板支撐件6可具有面向輻射能量源8的基板支撐件表面7?；?0可處于與基板支撐件表面7連接中。此外，基于輻射能量處理腔室2和一或多個輻射能量源8兩者的設計，基板支撐件6可為可移動的或固定的?；逯渭?和多個腔室壁4可界定腔室中的處理空間14?；逯渭?可包含鋁。
[0027]圖2A圖解說明根據(jù)一個實施方式具有一或多個金屬特征結構的基板200的側視圖?；?00可由任何可用成分組成，諸如石英、玻璃或藍寶石基板?？舍槍Ρ景l(fā)明的實施方式使用標準基板大小。本文中描述的實施方式可經定大小，使得可在不背離本文中描述或要求保護的實施方式的情況下處理更大或更小基板。
[0028]基板200具有基板表面202?；灞砻?02可為具有一或多個特征結構形成在所述基板表面202上的基本上平坦的表面。一或多個金屬特征結構204A-204C也可沉積在基板200上。金屬特征結構204A-204C可具有任何形狀或大小。此外，金屬特征結構204A-204C可由任何金屬或金屬復合物組成，諸如鉬(Mo)特征結構。按照裝置的需要和用戶需求，金屬特征結構204A-204C可具有變化的厚度和變化的寬度。一或多個金屬特征結構204A-204C的上表面可與周圍基板表面202分享相同平面。
[0029]上層206然后成形在包括金屬特征結構204A-204C的基板表面202上方。上層206可為共形層，諸