實施方式中，可用輻射能量處理域的一部分以在不達到第二分離能量的情況下達到第一分離能量。
[0046]方法300可進一步包括使用粘附性連接器去除經(jīng)分離的上層，如在步驟310中。先前經(jīng)分離的區(qū)域應(yīng)保持為一片式的且表示下伏金屬特征結(jié)構(gòu)的形狀。然后可使用粘附性連接器剝離金屬特征結(jié)構(gòu)上方的上層。
[0047]粘附性連接器為可與基板表面粘附性接觸并在不損壞未經(jīng)分離部分的情況下輕輕地去除上層的經(jīng)分離部分的裝置。粘附性連接器的實例可包括Kapton膠帶。粘附性連接器可放置為處于與表面的接觸中，以在去除經(jīng)分離部分的同時使經(jīng)分離的部分相對于下伏金屬特征結(jié)構(gòu)的大小與形狀保持為一整片。通過使用粘附性連接器去除上層的經(jīng)分離部分，可避免在剝離期間的粒子形成。
[0048]針對本申請案的實施方式使用的粘附性連接器具有輕柔粘附力。由于上層的厚度通常介于0.5 μπι與5.0 μ m之間，且優(yōu)選地介于0.5 μπι與3.0 μπι之間，因此基板可受強粘附力破壞。可在相對較小區(qū)域上使用粘附性連接器，所述相對較小區(qū)域諸如從2_至5_，其中優(yōu)選實施方式為從2_至4_且更優(yōu)選實施方式是從3_至4_?？舍槍τ幂^高橫向強度施加至層來修正粘附性強度要求和需要。
[0049]與下層分離的上層的膨脹區(qū)域位于粘附性連接器上。使用諸如由人、機器人或某一其它裝置傳遞的機械力去除粘附性連接器。在分離層時，膜將位于粘附性連接器上以反映在基板的表面上暴露的區(qū)域的位置。
[0050]圖4Α圖解說明基板400的例示性實施方式，所述基板400已經(jīng)處理以使用如上所述的方法去除沉積在金屬特征結(jié)構(gòu)上方的層的一部分。具有1.5 μπι SiN上層(具有10%的偏差)形成于300nm Mo層上方的150mm娃基板位于福射能量處理腔室中。在敘述中視圖中可見的框為1884微米X 1413微米。使用綠光激光器(大約532nm)以1.05W的功率以及200kHz重復(fù)速率和6-13m/s的掃描速率處理基板的表面。針對此實施方式的區(qū)域膨脹的橫向射束重疊介于30 μπι與70 μπι之間。
[0051]處理基板的表面的一部分，以產(chǎn)生膨脹的SiN上表面402，所述膨脹的SiN上表面402是SiN上表面的在不從未經(jīng)處理區(qū)域(如由未處理的SiN表面404所圖示)剝離SiN上表面的情況下從下伏Mo表面分離的區(qū)域，從此處圖示的實施方式中值得注意的是，歸因于如預(yù)計由激光脫層引起的裂紋或如預(yù)計由激光剝蝕引起的對表面的破壞，不存在經(jīng)處理Mo表面的經(jīng)暴露區(qū)域。此外，在膨脹SiN上表面402與未經(jīng)處理的SiN表面404之間存在清晰的分離線406。在處理之后，使用Kapton膠帶(此處未圖示)去除SiN上層的經(jīng)分離部分。
[0052]圖4Β圖示基板的經(jīng)剝離表面與未經(jīng)處理表面之間的比較性橫截面。在基板的中心的分離線406分離經(jīng)暴露的Mo層408與未經(jīng)處理的SiN表面404。如從基板表面可見，經(jīng)暴露的Mo層408是完全潔凈的，在使用Kapton膠帶剝離之后無來自圖4Α的膨脹SiN上表面402的剩余殘留物。分離線406基本上是直的且指示先前執(zhí)行的處理步驟的邊界。
[0053]在不意欲受理論束縛的情況下，據(jù)信輻射能量在不直接加熱上層的同時導(dǎo)致金屬特征結(jié)構(gòu)的表面處的膨脹。因而，通過使用穿過上層的輻射能量源加熱金屬特征結(jié)構(gòu)，金屬可在不影響其它附近特征結(jié)構(gòu)或表面的情況下膨脹和舒張。此外，在表面加熱時，上方的層將接納來自表面的輻射加熱，而非由激光直接加熱。以預(yù)定分離能量的此處理將在上層與下方的金屬特征結(jié)構(gòu)之間產(chǎn)生明顯的熱和膨脹差異兩者。因此，以不同于上層的速率對金屬特征結(jié)構(gòu)的加熱和后續(xù)膨脹可導(dǎo)致在不相似層之間粘合的表面的變形。
[0054]本文中描述的實施方式涉及去除上層的選擇區(qū)域的方法。重要的是能夠夠到沉積在基板上的金屬特征結(jié)構(gòu)或?qū)右杂糜诨宓睦^續(xù)處理，所述金屬特征結(jié)構(gòu)或?qū)釉O(shè)置在形成于基板的表面上方的層下方。夠到金屬特征結(jié)構(gòu)的標準蝕刻技術(shù)是昂貴的、產(chǎn)生碎片、缺乏精確性，或以上缺陷的某一組合。通過控制輻射能量的時間和能量級以在上層對輻射能量無吸收率或受限吸收率的情況下達到金屬特征結(jié)構(gòu)的分離能量，可形成經(jīng)分離的層。通過使用粘附性連接器，可將經(jīng)分離的層整片地去除。此方法可在定靶于特定區(qū)域并限制處理成本的同時防止形成碎片。
[0055]雖然前文是涉及本發(fā)明的實施方式，但可在不脫離本發(fā)明的基本范圍的情況下設(shè)計本發(fā)明的其它和進一步實施方式，且本發(fā)明的范圍是由隨附權(quán)利要求書來決定的。
【主權(quán)項】
1.一種用于從基板去除層的方法，所述方法包括: 將基板定位于輻射能量處理腔室內(nèi)，所述基板包括: 上表面；和 形成在所述上表面上的具有分離能量的一或多個金屬特征結(jié)構(gòu)； 在所述一或多個金屬特征結(jié)構(gòu)和所述上表面的經(jīng)暴露部分上方形成層； 將透射性輻射能量源聚焦于所述層處； 使所述基板的所述上表面處的透射性輻射能量呈脈沖形式傳輸，從而產(chǎn)生所述層的完整經(jīng)分離部分和經(jīng)附接部分；和 去除所述層的所述完整經(jīng)分離部分。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述層包含氮化硅。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，進一步包括以逐步方式移動所述透射性輻射能量源以引導(dǎo)域上方的透射性輻射能量，且其中透射性輻射能量的脈沖橫向地重疊。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一或多個金屬特征結(jié)構(gòu)包含鉬。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述透射性輻射能量的功率電平和掃描速率等于所述金屬特征結(jié)構(gòu)的所述分離能量。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中使用粘附性連接器去除所述層的所述經(jīng)分離部分。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述透射性輻射能量是激光。
8.一種用于從基板去除層的方法，所述方法包括: 將基板定位于處理腔室中，其中所述基板包括: 具有第一分離能量的基板表面； 具有第二分離能量的一或多個金屬特征結(jié)構(gòu)；和 形成在所述金屬特征結(jié)構(gòu)上方的鈍化層； 將透射性輻射能量源聚焦于所述基板處； 將透射性輻射能量朝所述基板的一部分引導(dǎo)，直到在不達到所述第一分離能量的情況下達到所述第二分離能量，從而在所述金屬特征結(jié)構(gòu)上方產(chǎn)生經(jīng)分離鈍化層；和去除所述經(jīng)分離鈍化層。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述透射性輻射能量至少部分地由所述金屬特征結(jié)構(gòu)吸收。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，進一步包括以逐步方式移動所述透射性輻射能量源以引導(dǎo)域上方的透射性輻射能量。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述一或多個金屬特征結(jié)構(gòu)包含鉬。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述透射性輻射能量的功率電平和掃描速率等于所述金屬特征結(jié)構(gòu)的所述分離能量。
13.如權(quán)利要求8所述的方法，其中使用粘附性連接器去除所述層的所述經(jīng)分離部分。
14.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述透射性輻射能量是激光。
15.一種用于從基板去除層的方法，所述方法包括: 將基板定位于處理腔室中，其中所述基板包括: 具有第一分離能量的基板表面； 具有第二分離能量的一或多個鉬特征結(jié)構(gòu)；和 形成在所述鉬特征結(jié)構(gòu)上方的氮化硅層； 將透射性輻射能量源定位至指向所述基板處的第一位置； 將透射性輻射能量朝所述基板的一部分呈脈沖形式傳輸，直到在不達到第一分離能量的情況下達到所述第二分離能量，從而在所述金屬特征結(jié)構(gòu)上方產(chǎn)生完整的經(jīng)分離氮化硅層； 移動所述透射性輻射能量源且使所述透射性輻射能量依序地呈脈沖形式傳輸，從而在所述的期望鉬特征結(jié)構(gòu)上方產(chǎn)生經(jīng)分離氮化硅層的域；和使用膠帶去除所述經(jīng)分離的氮化硅層。
【專利摘要】本文中描述用于處理基板的方法。用于從基板去除層的方法可包括：將基板定位于處理腔室內(nèi)，其中所述基板可包括上表面和形成在所述上表面上的具有分離能量的一或多個金屬特征結(jié)構(gòu)；在一或多個金屬特征結(jié)構(gòu)和上表面的經(jīng)暴露部分上方形成層；將透射性輻射能量源聚焦于層處；使基板的上表面處的透射性輻射能量呈脈沖形式傳輸，從而產(chǎn)生層的經(jīng)分離部分和經(jīng)附接部分；以及去除層的經(jīng)分離部分。
【IPC分類】H01L51-56, H05B33-10
【公開號】CN104662692
【申請?zhí)枴緾N201380048668
【發(fā)明人】法提赫·梅爾特·厄茲凱斯金, 喬斯·曼紐爾·迭格斯-坎波
【申請人】應(yīng)用材料公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2013年9月13日
【公告號】US20150214057, WO2014046978A1