片40的頂面是與HS芯片20及LS芯片30所在的平面相平行的，以便于后續(xù)穩(wěn)固放置IC芯片50。例如，優(yōu)選的實(shí)施例中是使第一載片臺(tái)11和第二載片臺(tái)的厚度一致；HS芯片20和LS芯片30厚度一致，連接在引線框架10后兩個(gè)芯片的頂面水平；并且，使聯(lián)結(jié)片40上對(duì)應(yīng)連接HS芯片20及LS芯片30的位置的厚度一致，從而保證其疊放在兩個(gè)芯片上后的頂面也是水平的。
[0040]配合參見圖1D?圖1E所示，例如，可以在聯(lián)結(jié)片40的底部分別形成能夠調(diào)整其高端連接部分41及低端連接部分42的厚度的凸起塊411、421。并且，在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，在凸起塊411、421的位置還可以形成有多個(gè)向下突出的觸點(diǎn)45，來進(jìn)一步調(diào)整聯(lián)結(jié)片40各部分的厚度。這些觸點(diǎn)45的形成，是通過在聯(lián)結(jié)片40上打孔，從而在聯(lián)結(jié)片40的頂面形成不穿透的凹坑，并在聯(lián)結(jié)片40的底部形成所述的觸點(diǎn)45。一個(gè)聯(lián)結(jié)片40上，不同位置觸點(diǎn)45的打孔深度可以相同或不相同，根據(jù)具體的厚度調(diào)節(jié)情況決定。
[0041]同時(shí)，該聯(lián)結(jié)片40還設(shè)置有引腳連接部分43，用來與位于引線框架10周邊的互聯(lián)引腳15進(jìn)行電性連接，以使HS芯片20的源極SI及LS芯片30的漏極D2及聯(lián)結(jié)片40能夠進(jìn)一步通過該互聯(lián)引腳15與外部器件連通。所述聯(lián)結(jié)片40的引腳連接部分43，其向下突出部分431的厚度加上與該突出部分431連接的互聯(lián)引腳15的厚度，也應(yīng)當(dāng)滿足上述使粘接后聯(lián)結(jié)片40的頂面與兩個(gè)MOSFET芯片相平行的設(shè)計(jì)目的。
[0042]在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，在引線框架10的互聯(lián)引腳15上及所述聯(lián)結(jié)片40的引腳連接部分43還對(duì)應(yīng)設(shè)置有鎖定機(jī)構(gòu)。在圖1A的示例結(jié)構(gòu)中，互聯(lián)引腳15上的鎖定機(jī)構(gòu)是開設(shè)的若干個(gè)定位孔81，而聯(lián)結(jié)片40的鎖定機(jī)構(gòu)則是在其底部的對(duì)應(yīng)位置的定位件82，圖示的定位件82相當(dāng)于一種從聯(lián)結(jié)片40底面向下延伸或彎折的結(jié)構(gòu)，能夠?qū)?yīng)插入到這些定位孔81中以實(shí)現(xiàn)聯(lián)結(jié)片40位置的固定，以確保在組裝及封裝過程聯(lián)結(jié)片40不會(huì)發(fā)生移動(dòng)。并且，在設(shè)置有上述鎖定機(jī)構(gòu)時(shí)，聯(lián)結(jié)片40上定位件82的厚度，是大于引腳連接部分43的厚度，以確保該定位件82能夠?qū)?yīng)插入到互聯(lián)引腳15的定位孔81中。本發(fā)明并不限制在其他的實(shí)施結(jié)構(gòu)中互換定位孔81及定位件82的位置或使用其他結(jié)構(gòu)的鎖定機(jī)構(gòu)。
[0043]在圖1A的示例結(jié)構(gòu)中，聯(lián)結(jié)片40的表面形狀及其尺寸設(shè)計(jì)，使得該聯(lián)結(jié)片40的高端連接部分41基本覆蓋了其下方LS芯片30頂部的絕大部分面積，但低端連接部分42則沒有將HS芯片20的頂部完全覆蓋。因而，所述HS芯片20正面未被聯(lián)結(jié)片40遮蔽的源極SI和柵極G1，可以分別通過若干個(gè)鍵接的引線60，直接連接至引線框架10的引腳14或其他芯片(例如是IC芯片50)的電極上；或者，將引線框架10的引腳14作為中轉(zhuǎn)，設(shè)置多段分別鍵接的引線60，以間接連接至其他芯片(例如是IC芯片50)上的相應(yīng)電極。本發(fā)明也不限制在其他的實(shí)施例中，使用其他結(jié)構(gòu)的聯(lián)結(jié)片40，例如，是不完全覆蓋LS芯片30的結(jié)構(gòu)；或者，聯(lián)結(jié)片40不是一體成型的，而是由多個(gè)小的聯(lián)結(jié)部件相互連接或組裝形成的坐坐寸寸ο
[0044]本發(fā)明所述的IC芯片50，通過不導(dǎo)電的粘結(jié)膠92或其他絕緣的固定連接方式，粘接設(shè)置在該聯(lián)結(jié)片40的頂面之上，以使IC芯片50、聯(lián)結(jié)片40、HS芯片20與LS芯片30形成為一個(gè)自上而下疊放的多層結(jié)構(gòu)，同時(shí)該IC芯片50與HS芯片20和LS芯片30的電極之間不會(huì)通過聯(lián)結(jié)片40實(shí)現(xiàn)電性連接。
[0045]在圖1A的示例結(jié)構(gòu)中，所述IC芯片50是位于聯(lián)結(jié)片40的高端連接部分41之上，即對(duì)應(yīng)HS芯片20上方的位置；而在其他未顯示出的示例中，IC芯片50可以是位于聯(lián)結(jié)片40頂面的其他位置。所述IC芯片50上的若干電極，能夠分別通過鍵接的引線60，電性連接至引線框架10周邊的相應(yīng)引腳14上或其他芯片(例如是HS芯片20)的相應(yīng)電極上。
[0046]本實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)中，還包含塑封體100，將上述疊設(shè)的IC芯片50、聯(lián)結(jié)片40、HS芯片20與LS芯片30及對(duì)應(yīng)電極上連接的引線60都封裝起來形成一個(gè)器件，而將各個(gè)引腳14與外部器件連接的部分暴露出來，并且使引線框架10上第一載片臺(tái)11和第二載片臺(tái)(例如是其第一部分12)的底面暴露在塑封體100之外，用以連接電路板或幫助散熱。
[0047]以下請(qǐng)配合參見圖2A?圖2G所示的結(jié)構(gòu)，及圖3所示的流程，介紹本實(shí)施例所述芯片的封裝方法:
即，見圖2A，設(shè)置一個(gè)引線框架10，包含相互隔開的第一載片臺(tái)11，設(shè)有第一部分12和第二部分13的第二載片臺(tái)，以及多個(gè)引腳14。
[0048]見圖2B，設(shè)置一個(gè)MOSFET芯片為HS芯片20，將其固定連接在第一載片臺(tái)11上并使HS芯片20背面的漏極Dl與第一載片臺(tái)11形成電性連接。
[0049]見圖2C，設(shè)置另一個(gè)芯片級(jí)封裝的MOSFET芯片為L(zhǎng)S芯片30，將其翻轉(zhuǎn)后固定連接在第二載片臺(tái)上并使LS芯片30正面的源極SI與第二載片臺(tái)的第一部分12形成電性連接，且LS芯片30正面的柵極G2與第二載片臺(tái)的第二部分13形成電性連接。
[0050]見圖2D，設(shè)置一個(gè)聯(lián)結(jié)片40，在其背面分別通過設(shè)置焊錫或?qū)щ姷沫h(huán)氧樹脂粘結(jié)膠91等類似方式，將該聯(lián)結(jié)片40的高端連接部分41連接至HS芯片20頂面，低端連接部分42連接至LS芯片30頂面，引腳連接部分43連接至引線框架10的互聯(lián)引腳15上，使得HS芯片20正面的源極S1、LS芯片30向上的背面漏極D2與互聯(lián)引腳15之間相互形成電性連接。
[0051]見圖2E，將IC芯片50通過不導(dǎo)電的粘結(jié)膠92，固定設(shè)置在聯(lián)結(jié)片40的頂面上，形成IC芯片50、聯(lián)結(jié)片40、HS芯片20與LS芯片30疊放的多層結(jié)構(gòu)。并且，在HS芯片20正面未被聯(lián)結(jié)片40遮蔽的柵極Gl和源極SI，IC芯片50的若干電極，及引線框架10的若干引腳14之間相互通過鍵接的引線60對(duì)應(yīng)連接。
[0052]見圖2F及圖2G正反兩面所示，設(shè)置塑封體100將IC芯片50、聯(lián)結(jié)片40、HS芯片20與LS芯片30疊放的多層結(jié)構(gòu)及引線60等都封裝起來，而使各個(gè)引腳14用以連接外部器件的位置及第一載片臺(tái)11和第二載片臺(tái)的背面暴露出來。
[0053]再參見圖3所示，當(dāng)設(shè)置一個(gè)LS芯片30時(shí)，通過以下步驟實(shí)現(xiàn):在LS芯片30上用于后續(xù)連貼固定的表面形成有鍍層，例如是Ni/Au的鍍層；芯片測(cè)試及電路圖形映射；在芯片正面對(duì)應(yīng)位置進(jìn)行植球以形成相應(yīng)的電極。芯片級(jí)封裝；在芯片正面研磨，以使植球的頂部暴露在封裝體的頂面外；例如，可以在研磨后使植球暴露的頂面與封裝體的頂面齊平，等等。芯片正面預(yù)切割，形成劃片槽。芯片背面研磨及背面金屬化形成相應(yīng)電極；例如一個(gè)具體實(shí)例中經(jīng)過背面研磨及背面金屬化后的厚度為6mil，其中硅片的厚度為3mil，硅片上方的封裝體厚度為3mil。之后，切割形成各個(gè)獨(dú)立的LS芯片30，再翻轉(zhuǎn)使其以正面朝下且背面朝上的方式導(dǎo)電連接至第二載片臺(tái)上。
[0054]而在設(shè)置一個(gè)HS芯片20時(shí)，通過以下步驟實(shí)現(xiàn):在HS芯片20上用于后續(xù)連貼固定的表面形成有鍍層，例如是Ni/Pd/Au的鍍層；芯片測(cè)試；芯片背面研磨及背面金屬化，例如以上述的具體實(shí)例說明，使背面研磨及背面金屬化后HS芯片20和LS芯片30的厚度一致，為6mil。切割形成各個(gè)獨(dú)立的HS芯片20，使其正面朝上，背面朝下連接至第一載片臺(tái)11。
[0055]而在設(shè)置一個(gè)IC芯片50時(shí)，通過以下步驟實(shí)現(xiàn):IC芯片50背面研磨，例如為6mil。在IC芯片50的背面涂覆不導(dǎo)電的粘結(jié)膠92。切割形成各個(gè)獨(dú)立的IC芯片50，并置于清洗后的聯(lián)結(jié)片40頂面上。
[0056]則IC芯片50、聯(lián)結(jié)片40、HS芯片20與LS芯片30疊放連接之后，具體設(shè)有黏貼膠帶，進(jìn)行固化；在相應(yīng)芯片的電極及引腳14之間鍵接形成連接的引線60 ;形成塑封體100 ；在暴露的位置形成鍍層；通過鋸切或沖壓等類似方式，切割形成各個(gè)獨(dú)立的封裝器件的若干步驟。
[0057]實(shí)施例2
圖4A?圖4G示出了本實(shí)施例中芯片封裝各個(gè)步驟中的結(jié)構(gòu)示意，圖5示出了本實(shí)施例中封裝方法的流程。其中，本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)述如下，即，設(shè)置一個(gè)引線框架10 (圖4A)，包含第一載片