薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管的截面示意圖，如圖1所示，該薄膜晶體管包括:位于襯底基板I上的柵極2，位于柵極2上方的柵絕緣層3，位于柵絕緣層3上方的有源層4，位于有源層4上方的源極5和漏極6。當(dāng)柵極電壓的高于薄膜晶體管的閾值電壓時，源極5和漏極6通過有源層導(dǎo)通，載流子從源極5流向漏極6或者從漏極6流向源極5。
[0003]當(dāng)現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管處于工作狀態(tài)時，在源極5與柵極2之間以及漏極6與柵極2之間均會存在較大的寄生電容，該寄生電容會對有源層中載流子的運(yùn)動產(chǎn)生較大干擾，從而使得薄膜晶體管的工作性能不佳。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示面板，可有效的降低源極與柵極之間的寄生電容以及漏極與柵極之間的寄生電容對薄膜晶體管的影響。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管，包括:同層設(shè)置于襯底基板的上方的柵極、源極和漏極，所述柵極、所述源極和所述漏極的上方設(shè)置有柵絕緣層，所述柵絕緣層的上方設(shè)置有有源層，所述有源層和所述柵絕緣層的上方設(shè)置有鈍化層；
[0006]所述鈍化層上對應(yīng)所述有源層的位置設(shè)置有第一過孔和第二過孔；所述鈍化層和所述柵絕緣層上對應(yīng)所述源極和所述漏極的位置分別設(shè)置有第三過孔和第四過孔；
[0007]所述鈍化層的上方設(shè)置有同層設(shè)置的第一連接圖形和第二連接圖形，所述第一連接圖形通過所述第一過孔和所述第三過孔分別與所述有源層和所述源極連接，所述第二連接圖形通過所述第二過孔和所述第四過孔分別與所述有源層和所述漏極連接。
[0008]可選地，所述鈍化層的介電常數(shù)小于2.8。
[0009]可選地，所述鈍化層的材料為S1C。
[0010]可選地，所述柵極包括:柵導(dǎo)電圖形和位于柵導(dǎo)電圖形上方的柵阻隔圖形；
[0011]所述源極包括:源導(dǎo)電圖形和位于源導(dǎo)電圖形上方的源阻隔圖形；
[0012]所述漏極包括:漏導(dǎo)電圖形和位于漏導(dǎo)電圖形上方的漏阻隔圖形；
[0013]所述柵導(dǎo)電圖形、所述源導(dǎo)電圖形和所述漏導(dǎo)電圖形同層設(shè)置，所述柵阻隔圖形、所述源阻隔圖形和所述漏阻隔圖形同層設(shè)置。
[0014]可選地，所述柵導(dǎo)電圖形、源導(dǎo)電圖形和所述漏導(dǎo)電圖形的材料均為銅；
[0015]所述柵阻隔圖形、所述源阻隔圖形和所述漏阻隔圖形的材料均為鈦。
[0016]可選地，所述柵絕緣層的介電常數(shù)大于3.9。
[0017]可選地，所述柵絕緣層的材料為A1203、Ta2O5, T12, HfO2, ZrO2, La2O3和Pr 203中的至少一種。
[0018]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管的制備方法，包括:
[0019]在襯底基板的上方形成柵極、源極和漏極，所述柵極、源極和漏極同層設(shè)置；
[0020]在所述襯底基板、所述柵極、所述源極和所述漏極的上方形成柵絕緣層；
[0021]在所述柵絕緣層的上方形成有源層；
[0022]在所述有源層和所述柵絕緣層的上方形成鈍化層，所述鈍化層上對應(yīng)所述有源層的位置設(shè)置有第一過孔和第二過孔；所述鈍化層和所述柵絕緣層上對應(yīng)所述源極和所述漏極的位置分別設(shè)置有第三過孔和第四過孔；
[0023]在所述鈍化層的上方形成第一連接圖形和第二連接圖形，所述第一連接圖形與所述第二連接圖形同層設(shè)置，所述第一連接圖形通過所述第一過孔和所述第三過孔分別與所述有源層和所述源極連接，所述第二連接圖形通過所述第二過孔和所述第四過孔分別與所述有源層和所述漏極連接。
[0024]可選地，所述鈍化層的介電常數(shù)小于2.8。
[0025]可選地，所述鈍化層的材料為S1C。
[0026]可選地，所述在襯底基板的上方形成柵極、源極和漏極的步驟包括:
[0027]通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板的上方形成所述柵導(dǎo)電圖形、所述源導(dǎo)電圖形和所述漏導(dǎo)電圖形；
[0028]通過一次構(gòu)圖工藝在所述柵導(dǎo)電圖形上方形成所述柵阻隔圖形，在所述源導(dǎo)電圖形的上方形成所述源阻隔圖形，以及在所述漏導(dǎo)電圖形的上方形成所述漏阻隔圖形。
[0029]可選地，所述通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板的上方形成所述柵導(dǎo)電圖形、所述源導(dǎo)電圖形和所述漏導(dǎo)電圖形的步驟包括:
[0030]通過沉積工藝在所述襯底基板的上方沉積一層銅膜；
[0031]對所述銅膜進(jìn)行濕法刻蝕形成所述柵導(dǎo)電圖形、所述源導(dǎo)電圖形和所述漏導(dǎo)電圖形。
[0032]可選地，所述通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板的上方形成所述柵阻隔圖形、所述源阻隔圖形和所述漏阻隔圖形的步驟包括:
[0033]通過沉積工藝在所述襯底基板、所述柵導(dǎo)電圖形、所述源導(dǎo)電圖形和所述漏導(dǎo)電圖形的上方沉積一層鈦膜；
[0034]對所述鈦膜進(jìn)行干法刻蝕以在所述柵導(dǎo)電圖形上方形成所述柵阻隔圖形，在所述源導(dǎo)電圖形的上方形成所述源阻隔圖形，以及在所述漏導(dǎo)電圖形的上方形成所述漏阻隔圖形。
[0035]可選地，所述在所述鈍化層的上方形成第一連接圖形和第二連接圖形的步驟之后還包括:
[0036]對所述薄膜晶體管進(jìn)行退火處理，所述柵絕緣層對所述有源層內(nèi)的氧空位進(jìn)行修補(bǔ)。
[0037]可選地，所述柵絕緣層的介電常數(shù)大于3.9。
[0038]可選地，所述柵絕緣層的材料為A1203、Ta2O5, T12, HfO2, ZrO2, La2O3和Pr 203中的至少一種。
[0039]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括:薄膜晶體管，該薄膜晶體管采用上述的薄膜晶體管。
[0040]可選地，所述陣列基板為液晶顯示面板中的陣列基板，所述陣列基板還包括:像素電極，所述像素電極與所述第二連接圖形同層設(shè)置，所述像素電極與所述第二連接圖形連接。
[0041]可選地，所述陣列基板為OLED顯示面板中的陣列基板，所述陣列基板還包括:陽電極和像素界定層，所述陽電極與所述第二連接圖形同層設(shè)置，所述陽電極與所述第二連接圖形連接。
[0042]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括:陣列基板，該陣列基板采用上述的陣列基板。
[0043]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0044]本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示面板，包括:同層設(shè)置于襯底基板的上方的柵極、源極和漏極，柵極、源極和漏極的上方設(shè)置有柵絕緣層，柵絕緣層的上方設(shè)置有有源層，有源層和柵絕緣層的上方設(shè)置有鈍化層；鈍化層上對應(yīng)有源層的位置設(shè)置有第一過孔和第二過孔；鈍化層和柵絕緣層上對應(yīng)源極和漏極的位置分別設(shè)置有第三過孔和第四過孔；鈍化層的上方設(shè)置有同層設(shè)置的第一連接圖形和第二連接圖形，第一連接圖形通過第一過孔和第三過孔將有源層與源極連接，第二連接圖形通過第二過孔和第四過孔將有源層與漏極連接。本發(fā)明的技術(shù)方案可有效的降低源極和漏極與柵極之間的寄生電容對薄膜晶體管的影響，與此同時，由于鈍化層完全覆蓋有源層，因此該鈍化層可有效的避免外部水氣對有源層的產(chǎn)生不良影響。
【附圖說明】
[0045]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管的截面示意圖；
[0046]圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的薄膜晶體管的截面示意圖；
[0047]圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的薄膜晶體管的制備方法的流程圖；
[0048]圖4為本發(fā)明實(shí)施例三提供的薄膜晶體管的制備方法的流程圖；
[0049]圖5a?5e為制備圖2所示的薄膜晶體管的中間結(jié)構(gòu)的截面示意圖；
[0050]圖6為本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種陣列基板的截面示意圖；
[0051]圖7為本發(fā)明實(shí)施例四提供的又一種陣列基板的截面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0052]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示面板進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0053]實(shí)施例一
[0054]圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的薄膜晶體管的截面示意圖，如圖2所示，該薄膜晶體管包括:同層設(shè)置于襯底基板I的上方的柵極2、源極5和漏極6，柵極2、源極5和漏極6的上方設(shè)置有柵絕緣層3，柵絕緣層3的上方設(shè)置有有源層4，有源層4和柵絕緣層3的上方設(shè)置有鈍化層7 ;鈍化層7上對應(yīng)有源層4的位置設(shè)置有第一過孔81和第二過孔91 ;鈍化層7和柵絕緣層3上對應(yīng)源極5和漏極6的位置分別設(shè)置有第三過孔82和第四過孔92 ;鈍化層7的上方設(shè)置有同層設(shè)置的第一連接圖形8和第二連接圖形9，第一連接圖形8通過第一過孔81和第三過孔82分別與有源層4和源極5連接，第二連接圖形9通過第二過孔91和第四過孔92分別與有源層4和漏極6連接。
[0055]需要說明的是，第一連接圖形8和第二連接圖形9均為導(dǎo)體，第一連接圖形8用于將有源層4與源極5電連接，第二連接圖形9用于將有源層4與漏極6電連接。
[0056]本發(fā)明的技術(shù)方案通過將源極5和漏極6均與柵極2同層設(shè)置，可使得源極5和漏極