薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領域，特別涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]用于顯示器面板的薄膜晶體管(TFT)器件，由于本身材料特性的緣故存在較大的關(guān)態(tài)電流，如多晶硅做為有源層，則存在于多晶硅薄膜的晶界中有大量缺陷，使晶界成為關(guān)態(tài)電流過大的主要“通道”，這嚴重影響TFT的使用效果。傳統(tǒng)的用于降低關(guān)態(tài)電流的方法是采用LDD(Lightly Doped Drain)結(jié)構(gòu)，但降低關(guān)態(tài)電流的同時也會導致較低的開態(tài)電流，使得在較大工作電壓情況下降低關(guān)態(tài)電流的效果不佳。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003](一 )要解決的技術(shù)問題
[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:如何有效地降低薄膜晶體管的關(guān)態(tài)電流。
[0005]( 二)技術(shù)方案
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管，包括:形成在襯底基板上的柵極、源極、漏極、有源層和柵絕緣層，還包括:與所述漏極連接的輔助柵極，所述輔助柵極與所述有源層之間間隔所述柵絕緣層。
[0007]其中，所述有源層位于所述襯底基板之上，所述柵絕緣層位于所述有源層之上，所述柵極位于所述柵絕緣層之上，所述源極和漏極位于有源層上方，且與柵極間隔有絕緣間隔層；所述輔助柵極與所述柵極位于同一層，所述源極通過穿過所述絕緣間隔層和柵絕緣層的第一過孔連接所述有源層，所述漏極通過穿過所述絕緣間隔層和柵絕緣層的第二過孔連接所述有源層，所述漏極通過所述第二過孔與所述輔助柵極連接。
[0008]其中，所述有源層位于所述襯底基板之上，所述柵絕緣層位于所述有源層之上，所述柵極位于所述柵絕緣層之上，所述源極和漏極位于有源層上方，且與柵極間隔有絕緣間隔層；所述源極通過穿過所述絕緣間隔層和柵絕緣層的第一過孔連接所述有源層，所述漏極通過穿過所述絕緣間隔層和柵絕緣層的第二過孔連接所述有源層，所述第二過孔呈臺階狀，穿過所述絕緣間隔層的開口大于穿過所述柵絕緣層的開口，所述輔助柵極形成在所述柵絕緣層的臺階上，且與所述漏極一體形成。
[0009]其中，所述柵極位于所述襯底基板之上，所述柵絕緣層位于所述柵極之上，所述有源層位于所述柵絕緣層之上，所述源極和漏極位于所述有源層之上，所述輔助柵極與所述柵極位于同一層，通過穿過所述柵絕緣層和有源層的過孔連接所述漏極。
[0010]本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管，包括:形成在襯底基板上的柵極、源極、漏極、有源層和第一柵絕緣層，還包括:第二柵絕緣層及與所述漏極連接的輔助柵極，所述有源層位于所述第一柵絕緣層和所述第二柵絕緣層之間，所述輔助柵極與所述有源層之間間隔所述第二柵絕緣層。[0011 ] 其中，所述柵極位于所述襯底基板之上，所述第一柵絕緣層位于所述柵極之上，所述有源層位于所述第一柵絕緣層之上，所述源極、漏極和第二柵絕緣層位于所述有源層之上，所述輔助柵極位于所述第二柵絕緣層之上，且通過穿過所述第二柵絕緣層的過孔連接所述漏極。
[0012]其中，所述柵極位于所述襯底基板之上，所述第一柵絕緣層位于所述柵極之上，所述有源層位于所述第一柵絕緣層之上，所述第二柵絕緣層位于所述有源層之上，所述源極和漏極位于所述有源層上方，所述源極通過穿過所述第二柵絕緣層的第一過孔連接所述有源層，所述漏極通過穿過所述第二柵絕緣層的第二過孔連接所述有源層，所述輔助柵極位于所述第二柵極之上，且與所述漏極一體形成。
[0013]其中，所述有源層為具有輕摻雜結(jié)構(gòu)的有源層。
[0014]本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管制作方法，包括:
[0015]在襯底基板上形成包括有源層、柵絕緣層、柵極和輔助柵極的圖形；
[0016]形成絕緣間隔層，并形成貫穿所述絕緣間隔層和柵絕緣層的第一過孔和第二過孔，通過所述第一過孔和第二過孔暴露出有源層，且通過所述第二過孔暴露出所述輔助柵極；
[0017]形成源極和漏極的圖形，且使所述源極通過所述第一過孔連接所述有源層，使所述漏極通過第二過孔連接有源層和輔助柵極。
[0018]本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管制作方法，包括:
[0019]在襯底基板上形成包括有源層、柵絕緣層和柵極的圖形；
[0020]形成絕緣間隔層，并形成貫穿所述絕緣間隔層和柵絕緣層的第一過孔和第二過孔，通過所述第一過孔和第二過孔暴露出有源層，且所述第二過孔穿過所述絕緣間隔層的開口大于穿過所述柵絕緣層的開口，使形成柵絕緣層臺階；
[0021]形成源極、漏極和輔助柵極的圖形，且使所述源極通過所述第一過孔連接所述有源層，所述輔助電極和漏極一體形成，所述輔助柵極形成在所述柵絕緣層臺階上，所述漏極通過第二過孔連接有源層。
[0022]本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管制作方法，包括:
[0023]在襯底基板上形成包括柵極、輔助柵極、柵絕緣層和有源層的圖形；
[0024]形成穿過所述柵絕緣層和有源層的過孔，使暴露出所述輔助柵極；
[0025]在有源層之上形成源極和漏極的圖形，所述漏極通過所述過孔連接所述輔助柵極。
[0026]本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管制作方法，包括:
[0027]在襯底基板上形成包括柵極、第一柵絕緣層和有源層的圖形；
[0028]在有源層上方形成包括源極、漏極、第二柵絕緣層和輔助柵極的圖形，使所述有源層和輔助柵極之間間隔所述第二柵絕緣層，所述輔助柵極連接所述漏極。
[0029]其中，所述在有源層上方形成包括源極、漏極、第二柵絕緣層和輔助柵極的圖形，使所述有源層和輔助柵極之間間隔所述第二柵絕緣層，所述輔助柵極連接所述漏極的步驟具體包括:
[0030]在有源層之上形成源極和漏極的圖形；
[0031]形成第二柵絕緣層及其上過孔的圖形，所述過孔使漏極暴露出來；
[0032]形成輔助柵極的圖形，所述輔助柵極通過過孔連接所述漏極。
[0033]其中，所述在有源層上方形成包括源極、漏極、第二柵絕緣層和輔助柵極的圖形，使所述有源層和輔助柵極之間間隔所述第二柵絕緣層，所述輔助柵極連接所述漏極的步驟具體包括:
[0034]在有源層之上形成第二柵絕緣層及其上的第一過孔和第二過孔，所述第一過孔和第二過孔使有源層暴露出來；
[0035]形成所述源極、漏極和輔助柵極的圖形，使所述源極通過第一過孔連接所述有源層，漏極通過第二過孔連接所述有源層，輔助柵極形成在所述第二柵絕緣層之上，且與漏極一體形成。
[0036]本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括上述任一項所述的薄膜晶體管。
[0037]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0038](三)有益效果
[0039]本發(fā)明的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中，輔助柵極連接漏極，相當于又形成了一個柵極連接漏極的輔助TFT，該輔助TFT具有二極管的單向?qū)üδ?，若整個TFT處于導通狀態(tài)時，二極管結(jié)構(gòu)也正好處于導通狀態(tài)，若整個TFT關(guān)斷，則二極管結(jié)構(gòu)也正好關(guān)斷，從而降低了整個TFT的關(guān)態(tài)電流。
【附圖說明】
[0040]圖1是本發(fā)明一種實施例的TFT結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖2是本發(fā)明另一種實施例的TFT結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖3是本發(fā)明又一種實施例的TFT結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖4是本發(fā)明又一種實施例的TFT結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖5是本發(fā)明又一種實施例的TFT結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖6是本發(fā)明又一種實施例的TFT結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖7是本發(fā)明實施例的TFT結(jié)構(gòu)的等效電路原理圖；
[0047]圖8是形成圖1中TFT的方法中制作完柵極和輔助柵極后的示意圖；
[0048]圖9是在圖8基礎上形成絕緣間隔層及其上過孔的示意圖；
[0049]圖10是形成圖2中TFT的方法中制作完柵極后的示意圖；
[0050]圖11是在圖10基礎上形成絕緣間隔層及其上過孔的示意圖；
[0051]圖12是形成圖3中TFT的方法中制作完有源層后的示意圖；
[0052]圖13是在圖12基礎上形成過孔的示意圖；
[0053]圖14是形成圖4中TFT的方法中制作完源漏電極后的示意圖；
[0054]圖15是在圖14基礎上形成第二柵絕緣層及其上過孔的示意圖；
[0055]圖16是形成圖5中TFT的方法中制作完有源層后的示意圖；
[0056]圖17是在圖16基礎上形成第二柵絕緣層及其上第一過孔和第二過孔的示意圖。
【具體實施方式】