]如圖16所示，在襯底基板501之上依次形成柵極502、第一柵絕緣層503和有源層504的圖形。
[0090]如圖17所示，在有源層504之上形成第二柵絕緣層507及其上的第一過孔510和第二過孔509，第一過孔510和第二過孔509使有源層504暴露出來。
[0091]形成源極505、漏極506和輔助柵極508的圖形，使源極505通過第一過孔510連接有源層504，漏極506通過第二過孔509連接有源層504。輔助柵極508形成在第二柵絕緣層507之上，且與漏極506同時(shí)且一體形成，最終形成圖5所示的TFT。
[0092]上述制作方法中，在制作每一層的圖形時(shí)均可采用現(xiàn)有的構(gòu)圖工藝(構(gòu)圖工藝通常包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝)形成，此處不再贅述。
[0093]在制作第五實(shí)施例的TFT的過程中，制作第二柵絕緣層507和源漏層可在同一次mask工藝中完成。即采用雙調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，去除第一過孔510和第二過孔509區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠，刻蝕第一過孔510和第二過孔509 ;對(duì)剩余的光刻膠進(jìn)行灰化，只保留除源漏電極和輔助柵極508對(duì)應(yīng)區(qū)域之外的光刻膠；形成源漏金屬薄膜，對(duì)剩余的光刻膠進(jìn)行離地剝離，去除覆蓋在光刻膠之上的源漏金屬薄膜，從而形成源極505、漏極506和輔助柵極508。這樣相對(duì)實(shí)施例四可以節(jié)省一次mask工藝。
[0094]為了進(jìn)一步降低薄膜晶體管的關(guān)態(tài)電流，上述實(shí)施例中，在形成有源層時(shí)還包括在有源層形成輕摻雜(LDD)結(jié)構(gòu)。
[0095]本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括上述的薄膜晶體管。
[0096]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。該顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0097]以上實(shí)施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對(duì)本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種薄膜晶體管，包括:形成在襯底基板上的柵極、源極、漏極、有源層和柵絕緣層，其特征在于，還包括:與所述漏極連接的輔助柵極，所述輔助柵極與所述有源層之間間隔所述柵絕緣層。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層位于所述襯底基板之上，所述柵絕緣層位于所述有源層之上，所述柵極位于所述柵絕緣層之上，所述源極和漏極位于有源層上方，且與柵極間隔有絕緣間隔層；所述輔助柵極與所述柵極位于同一層，所述源極通過穿過所述絕緣間隔層和柵絕緣層的第一過孔連接所述有源層，所述漏極通過穿過所述絕緣間隔層和柵絕緣層的第二過孔連接所述有源層，所述漏極通過所述第二過孔與所述輔助柵極連接。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層位于所述襯底基板之上，所述柵絕緣層位于所述有源層之上，所述柵極位于所述柵絕緣層之上，所述源極和漏極位于有源層上方，且與柵極間隔有絕緣間隔層；所述源極通過穿過所述絕緣間隔層和柵絕緣層的第一過孔連接所述有源層，所述漏極通過穿過所述絕緣間隔層和柵絕緣層的第二過孔連接所述有源層，所述第二過孔呈臺(tái)階狀，穿過所述絕緣間隔層的開口大于穿過所述柵絕緣層的開口，所述輔助柵極形成在所述柵絕緣層的臺(tái)階上，且與所述漏極一體形成。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極位于所述襯底基板之上，所述柵絕緣層位于所述柵極之上，所述有源層位于所述柵絕緣層之上，所述源極和漏極位于所述有源層之上，所述輔助柵極與所述柵極位于同一層，通過穿過所述柵絕緣層和有源層的過孔連接所述漏極。
5.一種薄膜晶體管，包括:形成在襯底基板上的柵極、源極、漏極、有源層和第一柵絕緣層，其特征在于，還包括:第二柵絕緣層及與所述漏極連接的輔助柵極，所述有源層位于所述第一柵絕緣層和所述第二柵絕緣層之間，所述輔助柵極與所述有源層之間間隔所述第二柵絕緣層。
6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極位于所述襯底基板之上，所述第一柵絕緣層位于所述柵極之上，所述有源層位于所述第一柵絕緣層之上，所述源極、漏極和第二柵絕緣層位于所述有源層之上，所述輔助柵極位于所述第二柵絕緣層之上，且通過穿過所述第二柵絕緣層的過孔連接所述漏極。
7.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極位于所述襯底基板之上，所述第一柵絕緣層位于所述柵極之上，所述有源層位于所述第一柵絕緣層之上，所述第二柵絕緣層位于所述有源層之上，所述源極和漏極位于所述有源層上方，所述源極通過穿過所述第二柵絕緣層的第一過孔連接所述有源層，所述漏極通過穿過所述第二柵絕緣層的第二過孔連接所述有源層，所述輔助柵極位于所述第二柵極之上，且與所述漏極一體形成。
8.如權(quán)利要求1?7中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層為具有輕摻雜結(jié)構(gòu)的有源層。
9.一種薄膜晶體管制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上形成包括有源層、柵絕緣層、柵極和輔助柵極的圖形； 形成絕緣間隔層，并形成貫穿所述絕緣間隔層和柵絕緣層的第一過孔和第二過孔，通過所述第一過孔和第二過孔暴露出有源層，且通過所述第二過孔暴露出所述輔助柵極； 形成源極和漏極的圖形，且使所述源極通過所述第一過孔連接所述有源層，使所述漏極通過第二過孔連接有源層和輔助柵極。
10.一種薄膜晶體管制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上形成包括有源層、柵絕緣層和柵極的圖形； 形成絕緣間隔層，并形成貫穿所述絕緣間隔層和柵絕緣層的第一過孔和第二過孔，通過所述第一過孔和第二過孔暴露出有源層，且所述第二過孔穿過所述絕緣間隔層的開口大于穿過所述柵絕緣層的開口，使形成柵絕緣層臺(tái)階； 形成源極、漏極和輔助柵極的圖形，且使所述源極通過所述第一過孔連接所述有源層，所述輔助電極和漏極一體形成，所述輔助柵極形成在所述柵絕緣層臺(tái)階上，所述漏極通過第二過孔連接有源層。
11.一種薄膜晶體管制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上形成包括柵極、輔助柵極、柵絕緣層和有源層的圖形； 形成穿過所述柵絕緣層和有源層的過孔，使暴露出所述輔助柵極； 在有源層之上形成源極和漏極的圖形，所述漏極通過所述過孔連接所述輔助柵極。
12.一種薄膜晶體管制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上形成包括柵極、第一柵絕緣層和有源層的圖形； 在有源層上方形成包括源極、漏極、第二柵絕緣層和輔助柵極的圖形，使所述有源層和輔助柵極之間間隔所述第二柵絕緣層，所述輔助柵極連接所述漏極。
13.如權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管制作方法，其特征在于，所述在有源層上方形成包括源極、漏極、第二柵絕緣層和輔助柵極的圖形，使所述有源層和輔助柵極之間間隔所述第二柵絕緣層，所述輔助柵極連接所述漏極的步驟具體包括: 在有源層之上形成源極和漏極的圖形； 形成第二柵絕緣層及其上過孔的圖形，所述過孔使漏極暴露出來； 形成輔助柵極的圖形，所述輔助柵極通過過孔連接所述漏極。
14.如權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管制作方法，其特征在于，所述在有源層上方形成包括源極、漏極、第二柵絕緣層和輔助柵極的圖形，使所述有源層和輔助柵極之間間隔所述第二柵絕緣層，所述輔助柵極連接所述漏極的步驟具體包括: 在有源層之上形成第二柵絕緣層及其上的第一過孔和第二過孔，所述第一過孔和第二過孔使有源層暴露出來； 形成所述源極、漏極和輔助柵極的圖形，使所述源極通過第一過孔連接所述有源層，漏極通過第二過孔連接所述有源層，輔助柵極形成在所述第二柵絕緣層之上，且與漏極一體形成。
15.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1?8中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。
16.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求15所述的陣列基板。
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種薄膜晶體管，包括：形成在襯底基板上的柵極、源極、漏極、有源層和柵絕緣層，還包括：與所述漏極連接的輔助柵極，所述輔助柵極與所述有源層之間間隔所述柵絕緣層。還公開了一種薄膜晶體管制作方法、陣列基板及顯示裝置。本發(fā)明的薄膜晶體管能夠有效降低關(guān)態(tài)電流。
【IPC分類】H01L29-786, H01L29-41, H01L21-336, H01L21-28
【公開號(hào)】CN104681631
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510132002
【發(fā)明人】石磊, 孫亮, 許曉偉
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請(qǐng)日】2015年3月24日