有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。下文的公開(kāi)提供了許多不同的實(shí)施例或例子用來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同結(jié)構(gòu)。為了簡(jiǎn)化本發(fā)明的公開(kāi)，下文中對(duì)特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此外，本發(fā)明提供了的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識(shí)到其他工藝的可應(yīng)用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的結(jié)構(gòu)可以包括第一和第二特征形成為直接接觸的實(shí)施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之間的實(shí)施例，這樣第一和第二特征可能不是直接接觸。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種太陽(yáng)能電池表面制絨處理方法，包括:步驟a、提供刻蝕劑和硅片。所述刻蝕劑可以是由濃度為30-65%的HF、濃度為45-85%的HNO3和H2O以基本1:3:8-1:8:3的重量比混合而成，或者刻蝕劑中可以加入H2SO4或由H2SO4全部或部分取代HF或HNO3中的一種。優(yōu)選地，選擇由濃度為49%的HF、濃度為70%的HNO3和H2O以1:5.3:3.3的重量比混合而成的刻蝕劑，所述刻蝕劑在所述化學(xué)氣相刻蝕步驟中包括硅、鍺、或其他半導(dǎo)體材料。所述硅片厚度20至1000微米。特別地，在單晶時(shí)，吸光面的晶向可以為任一晶向。
[0031]而后在步驟b中，參考圖1或圖2，將所述硅片I置于所述刻蝕劑2的上方進(jìn)行化學(xué)氣相刻蝕或者將所述硅片I浸入所述刻蝕劑2中進(jìn)行液相刻蝕。所述步驟b可以是進(jìn)行氣相刻蝕也可以是液相刻蝕。例如，首先將刻蝕劑的溫度設(shè)置O到85度之間，優(yōu)選為環(huán)境溫度，而后將硅片的吸光面朝向所述刻蝕劑，進(jìn)行化學(xué)氣相刻蝕?；蛘邊⒖紙D2，將所述硅片浸入所述刻蝕劑中進(jìn)行液相刻蝕。優(yōu)選地，所述化學(xué)氣象刻蝕步驟中，所述刻蝕劑中包括硅、鍺、或其他半導(dǎo)體材料。
[0032]在步驟c中，上述b的步驟可以多次重復(fù)，即可以對(duì)所述硅片進(jìn)行多次氣相或液相刻蝕，例如，可以混合進(jìn)行多次氣相和液相刻蝕，當(dāng)然，也可以是進(jìn)行多次單類型的刻蝕，例如多次氣相刻蝕或多次液相刻蝕。
[0033]作為第二實(shí)施例，本發(fā)明還提供了一種太陽(yáng)能電池表面制絨處理方法，包括:步驟a、提供硅片和多種刻蝕劑；所述刻蝕劑可以是由濃度為30-65%的HF、濃度為45-85%的HNO3和H2O以基本1:3:8-1:8:3的重量比混合而成。優(yōu)選地，選擇由濃度為49%的HF、濃度為70%的HNO3和H2O以1:5.3:3.3的重量比混合而成的刻蝕劑，同時(shí)可以制備其他形式的刻蝕劑，例如將H2SO4加入上述刻蝕劑中或由H2SO4全部或部分取代HF或HNO3中的一種。所述刻蝕劑在所述化學(xué)氣相刻蝕步驟中包括硅、鍺、或其他半導(dǎo)體材料。所述硅片厚度20至1000微米。特別地，在單晶時(shí)，吸光面的晶向可以為任一晶向。
[0034]而后在步驟b，參考圖1或圖2，將所述硅片I置于所述刻蝕劑2的上方進(jìn)行化學(xué)氣相刻蝕，或者將所述硅片I浸入所述刻蝕劑2中進(jìn)行液相刻蝕。所述步驟b可以是進(jìn)行氣相刻蝕也可以是液相刻蝕。例如，首先將刻蝕劑的溫度設(shè)置O到85度之間，優(yōu)選為環(huán)境溫度度，而后將硅片的吸光面朝向所述刻蝕劑，進(jìn)行化學(xué)氣相刻蝕?；蛘邊⒖紙D2，將所述硅片浸入所述刻蝕劑中進(jìn)行液相刻蝕。優(yōu)選地，所述化學(xué)氣相刻蝕步驟中，所述刻蝕劑中包括硅、鍺、或其他半導(dǎo)體材料。
[0035]在步驟c中，上述b的步驟可以多次重復(fù)，即可以對(duì)所述硅片進(jìn)行多次氣相或液相刻蝕，例如，可以混合進(jìn)行多次氣相和液相刻蝕，當(dāng)然，也可以是進(jìn)行多次單類型的刻蝕，例如多次氣相刻蝕或多次液相刻蝕，在所述各重復(fù)步驟中可以選擇與上一次刻蝕所使用的刻蝕劑相同或不同的刻蝕劑進(jìn)行化學(xué)氣相刻蝕或液相刻蝕。
[0036]參考圖5可以看出，“ ?”代表按照現(xiàn)有工廠標(biāo)準(zhǔn)制絨獲得的硅片，“ O ”代表按照本發(fā)明表面制絨處理方法進(jìn)行過(guò)一次化學(xué)氣相刻蝕獲得的硅片，橫軸為硅片的厚度，縱軸為硅片的光反射率。從圖中可以看出經(jīng)過(guò)一次氣相刻蝕的硅片樣品比原有樣品的光反射率有了顯著降低。
[0037]以上已經(jīng)根據(jù)本發(fā)明的第一、第二實(shí)施例詳細(xì)闡釋了本發(fā)明的太陽(yáng)能電池表面制絨處理方法。由于更好的化學(xué)反應(yīng)，和氣相刻蝕時(shí)在霧狀下，形成更好的非均勻性，因此，對(duì)于其他非(100)晶向的硅片能夠獲得較好的多孔層，從而獲得更低的光反射率。
[0038]下面將結(jié)合附圖3-4，描述本發(fā)明的第三實(shí)施例，在第三實(shí)施例中，所述硅片在進(jìn)行化學(xué)氣相刻蝕前首先進(jìn)行長(zhǎng)城型結(jié)構(gòu)的處理，其處理方法可以參照中國(guó)專利申請(qǐng)CN101997041A，具體來(lái)說(shuō)，首先在步驟a提供刻蝕劑和硅片。所述刻蝕劑可以是由濃度為30-65%的HF、濃度為45-85%的HNO3和H2O以基本1:3:8-1:8:3的重量比混合而成，或者刻蝕劑中可以加入H2SO4或由H2SO4全部或部分取代HF或HNO3中的一種。優(yōu)選地，選擇由濃度為49%的HF、濃度為70%的HNO3和H2O以1:5.3:3.3的重量比混合而成的刻蝕劑，所述刻蝕劑在所述化學(xué)氣相刻蝕步驟中包括硅、鍺、或其他半導(dǎo)體材料。所述硅片具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面。
[0039]在步驟b，對(duì)所述硅片的第一表面和第二表面進(jìn)行構(gòu)圖。
[0040]步驟C，從所述硅片的第一表面刻蝕多個(gè)第一溝槽；以及從所述硅片的第二表面刻蝕多個(gè)第二溝槽，其中每個(gè)所述第二溝槽位于相鄰的兩個(gè)所述第一溝槽之間，以使所述硅片形成長(zhǎng)城型結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)所述硅片的第一表面或第二表面的晶向?yàn)閧110}或{112}的情況下，所述刻蝕劑將會(huì)停止在襯底的{111}晶面上，所形成的第一溝槽和第二溝槽其側(cè)壁所對(duì)應(yīng)的表面的晶向?yàn)閧111}，從而獲得具有特定晶向的表面。
[0041]此后，與第一實(shí)施例類似地，步驟d，參考圖3或圖4，將所述長(zhǎng)城型結(jié)構(gòu)的硅片3置于安放有所述刻蝕劑2的反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行化學(xué)氣相刻蝕或者將長(zhǎng)城型結(jié)構(gòu)的硅片3浸入所述刻蝕劑2中進(jìn)行液相刻蝕。所述步驟d可以是進(jìn)行氣相刻蝕也可以是液相刻蝕。例如，首先將刻蝕劑的溫度設(shè)置O到85度之間，優(yōu)選為環(huán)境溫度，而后將長(zhǎng)城型結(jié)構(gòu)的硅片的第一或第二溝槽部分朝向所述刻蝕劑，進(jìn)行化學(xué)氣相刻蝕?；蛘邊⒖紙D4，將所述長(zhǎng)城型結(jié)構(gòu)的硅片浸入所述刻蝕劑中進(jìn)行液相刻蝕。
[0042]此后在步驟e，上述d的步驟可以多次重復(fù)，即可以對(duì)所述硅片進(jìn)行多次氣相或液相刻蝕，例如，可以混合進(jìn)行多次氣相和液相刻蝕，當(dāng)然，也可以是進(jìn)行多次單類型的刻蝕，例如多次氣相刻蝕或多次液相刻蝕。
[0043]根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例，在第四實(shí)施例與第三實(shí)施例基本相同，其區(qū)別在于，所提供的刻蝕劑可以為多種，例如由濃度為30-65%的HF、濃度為45-85%的HNO3和H2O以基本1:3:8-1:8:3的重量比混合而成。優(yōu)選地，選擇由濃度為49%的HF、濃度為70%的HNO3和H2O以1:5.3:3.3的重量比混合而成的刻蝕劑，同時(shí)可以制備其他形式的刻蝕劑，例如將H2SO4加入上述刻蝕劑中或由H2SO4全部或部分取代HF或HNO3中的一種。所述硅片具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面。
[0044]在步驟b，對(duì)所述硅片的第一表面和第二表面進(jìn)行構(gòu)圖。
[0045]步驟C，從所述硅片的第一表面刻蝕多個(gè)第一溝槽；以及從所述硅片的第二表面刻蝕多個(gè)第二溝槽，其中每