個所述第二溝槽位于相鄰的兩個所述第一溝槽之間，以使所述硅片形成長城型結(jié)構(gòu)。舉例來說，當所述硅片的第一表面或第二表面的晶向為{110}或{112}的情況下，所述刻蝕劑將會停止在襯底的{111}晶面上，所形成的第一溝槽和第二溝槽其側(cè)壁所對應的表面的晶向為{111}，從而獲得具有特定晶向的表面。
[0046]此后，與第一實施例類似地，步驟d，參考圖3或圖4，將所述長城型結(jié)構(gòu)的硅片3置于安放有所述刻蝕劑2的反應室內(nèi)進行化學氣相刻蝕或者將所述長城型結(jié)構(gòu)的硅片3浸入所述刻蝕劑2中進行液相刻蝕。所述步驟d可以是進行氣相刻蝕也可以是液相刻蝕。例如，首先將刻蝕劑的溫度設置O到85度之間，優(yōu)選為環(huán)境溫度，而后將長城型結(jié)構(gòu)的硅片的第一或第二溝槽部分朝向所述刻蝕劑，進行化學氣相刻蝕?；蛘邊⒖紙D4，將所述長城型結(jié)構(gòu)的硅片浸入所述刻蝕劑中進行液相刻蝕。
[0047]此后在步驟e，上述d的步驟可以多次重復，例如，可以混合進行多次氣相和液相刻蝕，當然，也可以是進行多次單類型的刻蝕，例如多次氣相刻蝕或多次液相刻蝕，在所述各重復步驟中可以選擇與上一次刻蝕所使用的刻蝕劑相同或不同的刻蝕劑進行化學氣相刻蝕或液相刻蝕。
[0048]參考圖5可以看出，經(jīng)過一次氣相刻蝕的硅片樣品比原有樣品的光反射率有了顯著降低。
[0049]以上已經(jīng)根據(jù)本發(fā)明的第三、第四實施例詳細闡釋了本發(fā)明的長城型太陽能電池基板表面制絨處理方法。由于更好的化學反應，和氣相刻蝕時在霧狀下，形成更好的非均勻性，因此，對于這種長城型結(jié)構(gòu)的硅片，其非(100)晶向的部分能夠獲得較好的多孔層，從而獲得更低的光反射率。
[0050]雖然關(guān)于示例實施例及其優(yōu)點已經(jīng)詳細說明，應當理解在不脫離本發(fā)明的精神和所附權(quán)利要求限定的保護范圍的情況下，可以對這些實施例進行各種變化、替換和修改。對于其他例子，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應當容易理解在保持本發(fā)明保護范圍內(nèi)的同時，工藝步驟的次序可以變化。
[0051]此外，本發(fā)明的應用范圍不局限于說明書中描述的特定實施例的工藝、機構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法及步驟。從本發(fā)明的公開內(nèi)容，作為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將容易地理解，對于目前已存在或者以后即將開發(fā)出的工藝、機構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟，其中它們執(zhí)行與本發(fā)明描述的對應實施例大體相同的功能或者獲得大體相同的結(jié)果，依照本發(fā)明可以對它們進行應用。因此，本發(fā)明所附權(quán)利要求旨在將這些工藝、機構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟包含在其保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種太陽能電池的表面制絨處理方法，其特征在于，包括如下步驟: a、提供硅片和刻蝕劑； b、將所述硅片置于安放有所述刻蝕劑的反應室內(nèi)或所述刻蝕劑上方進行化學氣相刻蝕或者將所述硅片浸入所述刻蝕劑中進行液相刻蝕； C、重復步驟b至少一次。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕劑為:由濃度為30-65%的HF、濃度為45-85%的HNO3和H2O以基本1:3:8-1:8:3的重量比混合而成，或者刻蝕劑中可以加入H2SO4或由H2SO4全部或部分取代HF或HNO3中的一種。
3.一種太陽能電池的表面制絨處理方法，其特征在于，包括如下步驟: a、提供硅片和多種刻蝕劑； b、將所述硅片置于安放有某種所述刻蝕劑的反應室內(nèi)或某種所述刻蝕劑上方進行化學氣相刻蝕或者將所述硅片浸入某種刻蝕劑中進行液相刻蝕； C、重復步驟b至少一次，其中在所述各重復步驟中可以選擇與上一次刻蝕所使用的刻蝕劑相同或不同的刻蝕劑進行化學氣相刻蝕或液相刻蝕。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述刻蝕劑包括:(1)由濃度為30-65%的HF、濃度為45-85%的HNO3和H2O以基本1:3:8-1:8:3的重量比混合而成;(2)在(I)所述的刻蝕劑中加入H2SO4或由H2SO4全部或部分取代HF或HNO3中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4所述的方法，其特征在于，所述刻蝕劑在所述化學氣相刻蝕步驟中包括硅、鍺、或其他半導體材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4所述的方法，其特征在于，在所述化學氣相刻蝕步驟中，刻蝕劑的溫度被設置在O到85度之間。
7.一種長城型太陽能電池基板的表面制絨處理方法，其特征在于，包括如下步驟: a、提供刻蝕劑和具有第一表面和與第一表面相對的第二表面的娃片； b、對所述硅片的第一表面和第二表面進行構(gòu)圖； C、從所述硅片的第一表面刻蝕多個第一溝槽；以及從所述硅片的第二表面刻蝕多個第二溝槽，其中每個所述第二溝槽位于相鄰的兩個所述第一溝槽之間，以使所述硅片形成長城型結(jié)構(gòu)； d、將所述長城型結(jié)構(gòu)的硅片置于安放有所述刻蝕劑的反應室內(nèi)或所述刻蝕劑上方進行化學氣相刻蝕或者將所述長城型結(jié)構(gòu)的硅片浸入所述刻蝕劑中進行液相刻蝕； e、重復步驟d至少一次。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述刻蝕劑為:由濃度為30-65%的HF、濃度為45-85%的HNO3和H2O以基本1:3:8-1:8:3的重量比混合而成，或者刻蝕劑中可以加入H2SO4或由H2SO4全部或部分取代HF或HNO3中的一種。
9.一種長城型太陽能電池基板的表面制絨處理方法，其特征在于，包括如下步驟: a、提供多種刻蝕劑和具有第一表面和與第一表面相對的第二表面的娃片； b、對所述硅片的第一表面和第二表面進行構(gòu)圖； C、從所述硅片的第一表面刻蝕多個第一溝槽；以及從所述硅片的第二表面刻蝕多個第二溝槽，其中每個所述第二溝槽位于相鄰的兩個所述第一溝槽之間，以使所述硅片形成長城型結(jié)構(gòu)； d、將所述長城型結(jié)構(gòu)的硅片置于安放有某種所述刻蝕劑的反應室內(nèi)或某種所述刻蝕劑上方進行化學氣相刻蝕或者將所述長城型結(jié)構(gòu)的硅片浸入某種刻蝕劑中進行液相刻蝕； e、重復步驟d至少一次，其中在所述各重復步驟中可以選擇與上一次刻蝕所使用的刻蝕劑相同或不同的刻蝕劑進行化學氣相刻蝕或液相刻蝕。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述刻蝕劑包括:(I)由濃度為30-65%的HF、濃度為45-85%的HNO3和H2O以基本1:3:8-1:8:3的重量比混合而成；(2)在(I)所述的刻蝕劑中加入H2SO4或由H2SO4全部或部分取代HF或HNO3中的一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求7-10所述的方法，其特征在于，所述刻蝕劑在所述化學氣相刻蝕步驟中包括硅、鍺、或其他半導體材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求7-10所述的方法，其特征在于，在所述化學氣相刻蝕步驟中，刻蝕劑的溫度被設置O到85度之間。
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種太陽能電池的表面制絨處理方法，包括如下步驟：a、提供硅片和刻蝕劑；b、將所述硅片置于安放有所述刻蝕劑的反應室內(nèi)或所述刻蝕劑上方進行化學氣相刻蝕或者將所述硅片浸入所述刻蝕劑中進行液相刻蝕；c、重復步驟b至少一次。本發(fā)明的太陽能電池表面制絨處理方法，由于更好的化學反應，和氣相刻蝕時在霧狀下，形成更好的非均勻性，因此對于其他非晶向的硅片能夠獲得較好的多孔層，從而獲得更低的光反射率。
【IPC分類】C30B33-08, H01L31-18
【公開號】CN104701407
【申請?zhí)枴緾N201310653428
【發(fā)明人】駱志炯
【申請人】駱志炯
【公開日】2015年6月10日
【申請日】2013年12月5日
【公告號】WO2015081876A1