用于檢測(cè)晶圓的比對(duì)座標(biāo)的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)一種比對(duì)座標(biāo)的方法，且特別是有關(guān)一種用于檢測(cè)晶圓的比對(duì)座標(biāo)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]已知以自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)裝置(Automated Optical Inspect1n ;Α0Ι)檢測(cè)晶圓的晶粒時(shí)，需以光罩檔提供的光罩晶粒位置比對(duì)晶圓的空白晶粒位置。然而，晶圓在檢測(cè)前的制程難免會(huì)發(fā)生破片或來料不良的情形，導(dǎo)致晶圓的空白晶粒的數(shù)量變多，使得光罩晶粒的位置與晶圓的空白晶粒的位置比對(duì)失敗。
[0003]因此，技術(shù)人員需以手動(dòng)的方式指定空白晶粒的位置，才能讓有問題的晶圓(例如部分破片的晶圓)在檢測(cè)后繼續(xù)施以后續(xù)的制程。然而，以人工的方式指定空白晶粒的位置容易發(fā)生指定錯(cuò)誤的情形，不僅會(huì)耗費(fèi)大量的檢測(cè)時(shí)間，還會(huì)導(dǎo)致合格率難以提升。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的一目的為提供一種用于檢測(cè)晶圓的比對(duì)座標(biāo)的方法。
[0005]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，一種用于檢測(cè)晶圓的比對(duì)座標(biāo)的方法，包含下列步驟:(a)取得對(duì)應(yīng)晶圓的多個(gè)光罩晶粒的座標(biāo)。(b)利用光罩晶粒的座標(biāo)計(jì)算光罩晶粒任一者到其他光罩晶粒的多個(gè)第一距離。(C)根據(jù)掃瞄晶圓的位置數(shù)據(jù)，找到多個(gè)空白晶粒。(d)根據(jù)第一距離比對(duì)空白晶粒與光罩晶粒，以得到多個(gè)比對(duì)符合次數(shù)。(e)當(dāng)比對(duì)符合次數(shù)的最聞?wù)邚V生時(shí)，利用光罩晶粒的座標(biāo)取得空白晶粒的座標(biāo)。(f)計(jì)算空白晶粒的一者的座標(biāo)與參考座標(biāo)間的第二距離。(g)根據(jù)第二距離調(diào)整參考座標(biāo)以對(duì)應(yīng)光罩晶粒的座標(biāo)。
[0006]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述步驟(C)包含:從點(diǎn)測(cè)程序取得掃瞄晶圓的位置數(shù)據(jù)。
[0007]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述步驟(d)包含:移動(dòng)光罩晶粒至空白晶粒，使光罩晶粒的至少一者與空白晶粒的一者重疊。
[0008]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述步驟(e)包含:排序比對(duì)符合次數(shù)。
[0009]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述步驟(e)包含:記錄比對(duì)符合次數(shù)的最高者產(chǎn)生時(shí)光罩晶粒與空白晶粒的位置狀態(tài)。
[0010]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述步驟(C)包含:使用自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)裝置掃瞄晶圓。
[0011]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述步驟(g)包含:自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)裝置的感光元件根據(jù)參考座標(biāo)移動(dòng)到晶圓的原點(diǎn)晶粒。
[0012]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述步驟(b)包含:記錄光罩晶粒任一者到其他光罩晶粒的第一距離。
[0013]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，在上述步驟(C)中，空白晶粒的數(shù)量與光罩晶粒的數(shù)量相同。
[0014]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，在上述步驟(e)中，比對(duì)符合次數(shù)的最高者等于空白晶粒的數(shù)量。
[0015]在本發(fā)明上述實(shí)施方式中，由于光罩晶粒的座標(biāo)能計(jì)算出光罩晶粒任一者到其他光罩晶粒的第一距離，而第一距離可用來比對(duì)空白晶粒與光罩晶粒，當(dāng)比對(duì)符合次數(shù)的最聞?wù)邚V生時(shí)，表不空白晶粒與光罩晶粒的位置對(duì)應(yīng)，因此能利用光罩晶粒的座標(biāo)取得空白晶粒的座標(biāo)。如此一來，空白晶粒的座標(biāo)與參考座標(biāo)間的第二距離可被計(jì)算出，且參考座標(biāo)可根據(jù)第二距離調(diào)整以符合所述光罩晶粒的座標(biāo)。本發(fā)明的比對(duì)座標(biāo)的方法可由光罩晶粒的座標(biāo)取得空白晶粒的座標(biāo)，且能以自動(dòng)的方式得到空白晶粒的座標(biāo)，讓晶圓在檢測(cè)后可取得參考座標(biāo)供后續(xù)的制程采用。因此，可節(jié)省檢測(cè)時(shí)間并提升晶圓的合格率。
【附圖說明】
[0016]圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的比對(duì)座標(biāo)的方法的流程圖；
[0017]圖2繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的晶圓的俯視圖；
[0018]圖3繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的光罩的俯視圖；
[0019]圖4繪示圖3的光罩晶粒的一者到其他光罩晶粒的第一距離的示意圖；
[0020]圖5繪示圖3的光罩晶粒的另一者到其他光罩晶粒的第一距離的示意圖；
[0021]圖6繪示圖3的光罩晶粒的又一者到其他光罩晶粒的第一距離的示意圖；
[0022]圖7繪不圖2的空白晶粒與圖3的光罩晶粒比對(duì)時(shí)的不意圖；
[0023]圖8繪不圖2的空白晶粒與圖3的光罩晶粒比對(duì)時(shí)的不意圖；
[0024]圖9繪不圖2的空白晶粒與圖3的光罩晶粒比對(duì)時(shí)的不意圖；
[0025]圖10繪示圖9的空白晶粒與參考座標(biāo)間的第二距離計(jì)算時(shí)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]以下將以附圖揭露本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，為明確說明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡(jiǎn)化附圖起見，一些已知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡(jiǎn)單示意的方式繪示。
[0027]圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的比對(duì)座標(biāo)的方法的流程圖。如圖所示，用于檢測(cè)晶圓的比對(duì)座標(biāo)的方法，包含下列步驟:首先在步驟SI中，取得對(duì)應(yīng)晶圓的多個(gè)光罩晶粒的座標(biāo)。接著在步驟S2中，利用光罩晶粒的座標(biāo)計(jì)算光罩晶粒任一者到其他光罩晶粒的多個(gè)第一距離。之后在步驟S3中，根據(jù)掃瞄晶圓的位置數(shù)據(jù)，找到多個(gè)空白晶粒。接著在步驟S4中，根據(jù)第一距離比對(duì)空白晶粒與光罩晶粒，以得到多個(gè)比對(duì)符合次數(shù)。之后在步驟S5中，當(dāng)比對(duì)符合次數(shù)的最高者產(chǎn)生時(shí)，利用光罩晶粒的座標(biāo)取得空白晶粒的座標(biāo)。接著在步驟S6中，計(jì)算空白晶粒的一者的座標(biāo)與參考座標(biāo)間的第_■距尚。最后在步驟S7中，根據(jù)第二距離調(diào)整參考座標(biāo)以對(duì)應(yīng)(符合)光罩晶粒的座標(biāo)。目前部分破片的晶圓無法自動(dòng)化作業(yè)，是因?yàn)椴糠制破c完整片會(huì)有對(duì)錯(cuò)點(diǎn)的疑慮，必須由人工確認(rèn)，經(jīng)由本發(fā)明的技術(shù)可以克服此問題，使所有產(chǎn)品(含完整片和破片)自動(dòng)化作業(yè)。
[0028]在以下敘述中，將具體說明上述各步驟。
[0029]圖2繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的晶圓110的俯視圖。圖3繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的光罩120的俯視圖。同時(shí)參閱圖2與圖3，晶圓110具有多個(gè)空白晶粒112a、112b、112c、112d?？瞻拙Я?12a、112b、112c、112d可例如為空洞區(qū)或破片區(qū)。光罩120具有多個(gè)光罩晶粒122a、122b、122c、122d。在圖1步驟SI中，可先取得對(duì)應(yīng)晶圓110的光罩120的光罩晶粒122a、122b、122c、122d座標(biāo)。其中，光罩晶粒122a、122b、122c、122d的座標(biāo)可由晶圓110廠商提供的光罩檔取得，或是由晶圓110的點(diǎn)測(cè)檔取得。
[0030]接著在圖1步驟S2中，可利用光罩晶粒122a的座標(biāo)計(jì)算光罩晶粒122a到其他光罩晶粒122b、122c、122d的多個(gè)第一距離dl、d2、d3。其中，第一距離dl為光罩晶粒122a與光罩晶粒122b之間的距離，第一距離d2為光罩晶粒122a與光罩晶粒122c之間的距離，第一距離d3為光罩晶粒122a與光罩晶粒122d之間的距離。
[0031]圖4繪示圖3的光罩晶粒122b到其他光罩晶粒122a、122c、122d的第一距離d4、d5、d6的不意圖。相似地，可利用光罩晶粒122b的座標(biāo)計(jì)算光罩晶粒122b到其他光罩晶粒122a、122c、122d的多個(gè)第一距離d4、d5、d6。其中，第一距離d4為光罩晶粒122b與光罩晶粒122a之間的距離，第一距離d5為光罩晶粒122b與光罩晶粒122c之間的距離，第一距離d6為光罩晶粒122b與光罩晶粒122d之間的距離。
[0032]圖5繪示圖3的光罩晶粒122c到其他光罩晶粒122a、122b、122d的第一距離d7、d8、d9的不意圖。相似地，可利用光罩晶粒122c的座標(biāo)計(jì)算光罩晶粒122c到其他光罩晶粒122a、122b、122d的多個(gè)第一距離d7、d8、d9。其中，第一距離d7為光罩晶粒122c與光罩晶粒122a之間的距離，第一距離d8為光罩晶粒122c與光罩晶粒122b之間的距離，第一距離d9為光罩晶粒122c與光罩晶粒122d之間的距離。
[0033]圖6繪示圖3的光罩晶粒122d到其他光罩晶粒122a、122b、122c的第一距離dlO、dll、dl2的示意圖。相似地,可利用光罩晶粒122d的座標(biāo)計(jì)算光罩晶粒122d到其他光罩晶粒122a、122b、122c的多個(gè)第一距離dl0、dll、dl2。其中，第一距離dlO為光罩晶粒122d與光罩晶粒122a之間的距離，第一距離dll為光罩晶粒122d與光罩晶粒122b之間的