距離，第一距離dl2為光罩晶粒122d與光罩晶粒122c之間的距離。
[0034]圖3至圖5所繪示的第一距離dl?dl2，均可被記錄。
[0035]參閱圖2，接著在圖1步驟S3中，可根據(jù)掃瞄晶圓110的位置數(shù)據(jù)，找到空白晶粒112a、112b、112c、112d。在此步驟中，可使用自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)裝置(Automated OpticalInspect1n ；Α0Ι)掃瞄晶圓110，并從點(diǎn)測(cè)程序取得掃瞄晶圓110的位置數(shù)據(jù)。在本實(shí)施方式中，晶圓110的空白晶粒112a、112b、112c、112d的數(shù)量與圖3的光罩120的光罩晶粒122a、122b、122c、122d的數(shù)量相同，均為四顆，但并不用以限制本發(fā)明。
[0036]圖7繪示圖2的空白晶粒112a、112b、112c、112d與圖3的光罩晶粒122a、122b、122c、122d比對(duì)時(shí)的示意圖。接著在圖1步驟S4中，便可根據(jù)第一距離dl?dl2比對(duì)空白晶粒112a、112b、112c、112d與光罩晶粒122a、122b、122c、122d，以得到多個(gè)比對(duì)符合次數(shù)。當(dāng)比對(duì)空白晶粒112a、112b、112c、112d與光罩晶粒122a、122b、122c、122d時(shí)，光罩晶粒122a、122b、122c、122d 可移動(dòng)至空白晶粒 112a、112b、112c、112d，使光罩晶粒 122a、122b、122c、122d的至少一者與空白晶粒112a、112b、112c、112d的一者重疊。
[0037]在本實(shí)施方式中，光罩晶粒122d與空白晶粒112a重疊，其余光罩晶粒122a、122b、122c未與空白晶粒112b、112c、112d重疊，因此比對(duì)符合次數(shù)為I。
[0038]圖8繪示圖2的空白晶粒112a、112b、112c、112d與圖3的光罩晶粒122a、122b、122c、122d比對(duì)時(shí)的示意圖。在本實(shí)施方式中，光罩晶粒122b與空白晶粒112a重疊，且光罩晶粒122d與空白晶粒112c重疊。其余光罩晶粒122a、122c未與空白晶粒112b、112d重疊，因此比對(duì)符合次數(shù)為2。
[0039]圖9繪示圖2的空白晶粒112a、112b、112c、112d與圖3的光罩晶粒122a、122b、122c、122d比對(duì)時(shí)的示意圖。在本實(shí)施方式中，光罩晶粒122a與空白晶粒112a重疊，光罩晶粒122b與空白晶粒112b重疊，光罩晶粒122c與空白晶粒112c重疊，且光罩晶粒122d與空白晶粒112d重疊。因此，比對(duì)符合次數(shù)為4。
[0040]由于空白晶粒112a、112b、112c、112d的數(shù)量與光罩120的光罩晶粒122a、122b、122c、122d的數(shù)量均為四顆，因此比對(duì)符合次數(shù)可能包含I次(如圖7所示)、2次(如圖8所示)與4次(如圖9所示)等狀況，而這些狀況可以被排序。在圖1步驟S5中，當(dāng)比對(duì)符合次數(shù)的最高者產(chǎn)生時(shí)，便可利用光罩晶粒122a、122b、122c、122d的座標(biāo)取得空白晶粒112a、112b、112c、112d的座標(biāo)，以記錄比對(duì)符合次數(shù)的最高者產(chǎn)生時(shí)光罩晶粒122a、122b、122c、122d與空白晶粒112a、112b、112c、112d的位置狀態(tài)。當(dāng)比對(duì)符合次數(shù)的最高者產(chǎn)生時(shí)，表示空白晶粒112a、112b、112c、112d與光罩晶粒122a、122b、122c、122d的位置對(duì)應(yīng)。在本實(shí)施方式中，比對(duì)符合次數(shù)最高者為4，會(huì)等于空白晶粒112a、112b、112c、112d的數(shù)量。
[0041]圖10繪示圖9的空白晶粒112a、112b、112c、112d與參考座標(biāo)132間的第二距離D1、D2、D3、D4計(jì)算時(shí)的示意圖。待取得空白晶粒112a、112b、112c、112d的座標(biāo)后，在圖1步驟S6中，便可計(jì)算空白晶粒112a的座標(biāo)與晶圓110的參考座標(biāo)132間的第二距離Dl、計(jì)算空白晶粒112b的座標(biāo)與晶圓110的參考座標(biāo)132間的第_■距尚D2、計(jì)算空白晶粒112c的座標(biāo)與晶圓110的參考座標(biāo)132間的第二距離D3與計(jì)算空白晶粒112d的座標(biāo)與晶圓110的參考座標(biāo)132間的第二距離D4。
[0042]最后在圖1步驟37中，便可根據(jù)第二距離01、02、03、04調(diào)整參考座標(biāo)132，以對(duì)應(yīng)(符合)光罩晶粒122a、122b、122c、122d的座標(biāo)，并指定參考座標(biāo)132為原點(diǎn)晶粒。如此一來(lái)，自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)裝置的感光元件便可根據(jù)參考座標(biāo)132移動(dòng)到晶圓110的原點(diǎn)晶粒。
[0043]本發(fā)明用于檢測(cè)晶圓的比對(duì)座標(biāo)的方法與已知技術(shù)相較，由于光罩晶粒的座標(biāo)能計(jì)算出光罩晶粒任一者到其他光罩晶粒的第一距離，而第一距離可用來(lái)比對(duì)空白晶粒與光罩晶粒，當(dāng)比對(duì)符合次數(shù)的最高者產(chǎn)生時(shí)，表示空白晶粒與光罩晶粒的位置對(duì)應(yīng)，因此能利用光罩晶粒的座標(biāo)取得空白晶粒的座標(biāo)。如此一來(lái)，空白晶粒的座標(biāo)與參考座標(biāo)間的第_■距離可被計(jì)算出，且參考座標(biāo)可根據(jù)第二距離調(diào)整以符合所述光罩晶粒的座標(biāo)。比對(duì)座標(biāo)的方法可由光罩晶粒的座標(biāo)取得空白晶粒的座標(biāo)，且能以自動(dòng)化作業(yè)的方式得到空白晶粒的座標(biāo)，讓晶圓在檢測(cè)后可得到參考座標(biāo)供后續(xù)的制程采用。因此，可節(jié)省檢測(cè)時(shí)間并提升晶圓的合格率。
[0044]雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于檢測(cè)晶圓的比對(duì)座標(biāo)的方法，其特征在于，包含下列步驟: (a)取得對(duì)應(yīng)一晶圓的多個(gè)光罩晶粒的座標(biāo)； (b)利用所述光罩晶粒的座標(biāo)計(jì)算所述光罩晶粒任一者到其他所述光罩晶粒的多個(gè)第一距離； (c)根據(jù)掃瞄該晶圓的位置數(shù)據(jù)，找到多個(gè)空白晶粒； (d)根據(jù)所述第一距離比對(duì)所述空白晶粒與所述光罩晶粒，以得到多個(gè)比對(duì)符合次數(shù)； (e)當(dāng)所述比對(duì)符合次數(shù)的最高者產(chǎn)生時(shí)，利用所述光罩晶粒的座標(biāo)取得所述空白晶粒的座標(biāo)； (f)計(jì)算所述空白晶粒的一者的座標(biāo)與一參考座標(biāo)間的一第二距離；以及 (g)根據(jù)該第二距離調(diào)整該參考座標(biāo)以符合所述光罩晶粒的座標(biāo)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該步驟(c)包含: 從一點(diǎn)測(cè)程序取得掃瞄該晶圓的位置數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該步驟(d)包含: 移動(dòng)所述光罩晶粒至所述空白晶粒，使所述光罩晶粒的至少一者與所述空白晶粒的一者重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該步驟(e)包含: 排序所述比對(duì)符合次數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該步驟(e)包含: 記錄所述比對(duì)符合次數(shù)的最高者產(chǎn)生時(shí)所述光罩晶粒與所述空白晶粒的位置狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該步驟(c)包含: 使用一自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)裝置掃瞄該晶圓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，該步驟(g)包含: 該自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)裝置的一感光元件根據(jù)該參考座標(biāo)移動(dòng)到該晶圓的一原點(diǎn)晶粒。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該步驟(b)包含: 記錄所述光罩晶粒任一者到其他所述光罩晶粒的所述第一距離。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在該步驟(c)中，所述空白晶粒的數(shù)量與所述光罩晶粒的數(shù)量相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在該步驟(e)中，所述比對(duì)符合次數(shù)的最高者等于所述空白晶粒的數(shù)量。
【專利摘要】一種用于檢測(cè)晶圓的比對(duì)座標(biāo)的方法，包含下列步驟：取得對(duì)應(yīng)晶圓的多個(gè)光罩晶粒的座標(biāo)。利用光罩晶粒的座標(biāo)計(jì)算光罩晶粒任一者到其他光罩晶粒的多個(gè)第一距離。根據(jù)掃瞄晶圓的位置數(shù)據(jù)，找到多個(gè)空白晶粒。根據(jù)第一距離比對(duì)空白晶粒與光罩晶粒，以得到多個(gè)比對(duì)符合次數(shù)。當(dāng)比對(duì)符合次數(shù)的最高者產(chǎn)生時(shí)，利用光罩晶粒的座標(biāo)取得空白晶粒的座標(biāo)。計(jì)算空白晶粒的一者的座標(biāo)與參考座標(biāo)間的第二距離。根據(jù)第二距離調(diào)整參考座標(biāo)以對(duì)應(yīng)這些光罩晶粒的座標(biāo)。
【IPC分類】H01L21-66
【公開(kāi)號(hào)】CN104733335
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310703377
【發(fā)明人】江宜勇, 林裕超, 羅文期, 林照晃, 藍(lán)于凱
【申請(qǐng)人】致茂電子股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年6月24日
【申請(qǐng)日】2013年12月19日