30位于像素電極191之上。
[0148]濾色片230形成在像素電極191和絕緣層160之間，從而在組合薄膜晶體管陣列面板和相應(yīng)面板時，像素電極191和濾色片230之間的不對準(zhǔn)程度可以最小化。此外，由于像素電極191覆蓋濾色片230，像素電極191阻止濾色片230接觸液晶材料，從而防止液晶材料的污染。
[0149]根據(jù)本發(fā)明第七示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板，可通過除了根據(jù)第一示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板制造方法之外，在形成層間絕緣層160之后增加形成濾色片230的步驟而制成。
[0150]根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板還可以包括像素電極191和層間絕緣層160之間的多個濾色片230。
[0151]〈示例性實(shí)施例8>
[0152]附圖28是根據(jù)本發(fā)明第八示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的截面圖。
[0153]根據(jù)本發(fā)明第八示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板包括多個形成在像素電極191和層間絕緣層160之間的濾色片230，這不同于第六示例性實(shí)施例，其中濾色片230形成在像素電極191上。
[0154]濾色片230形成在像素電極191和絕緣層160之間，從而在組合薄膜晶體管陣列面板和相應(yīng)面板時像素電極191和濾色片230之間的不對準(zhǔn)程度可以被最小化。此外，由于像素電極191覆蓋濾色片230，像素電極191阻止濾色片230接觸液晶材料，從而防止液晶材料的污染。
[0155]根據(jù)本發(fā)明第八示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板，可通過除了根據(jù)第二示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板制造方法之外，在形成層間絕緣層160之后增加形成濾色片230的步驟而制成。
[0156]根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板還可以包括像素電極191和層間絕緣層160之間的多個濾色片230。
[0157]〈示例性實(shí)施例9>
[0158]附圖29是根據(jù)本發(fā)明第九示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的截面圖。
[0159]根據(jù)本發(fā)明第九示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板包括多個形成在襯底110和溝道層151之間的濾色片230，這不同于第一示例性實(shí)施例。優(yōu)選由氧化硅或氮化硅制成的阻擋膜(未示出)可形成在濾色片230上。
[0160]濾色片230形成在襯底110和溝道層151之間，從而當(dāng)組合薄膜晶體管陣列面板和相應(yīng)面板時，像素電極191和濾色片230之間的不對準(zhǔn)程度可以被最小化。此外，由于各種薄膜覆蓋濾色片230，薄膜阻止濾色片230接觸液晶材料，從而防止了液晶材料的污染。
[0161]根據(jù)本發(fā)明第九示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板可通過除了根據(jù)第一示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板制造方法之外，在形成溝道層151之前，增加形成濾色片230的步驟而制成。
[0162]根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板還可以包括形成在襯底110和溝道層151之間的多個濾色片230。
[0163]〈示例性實(shí)施例10>
[0164]附圖30是根據(jù)本發(fā)明第十示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的截面圖。
[0165]根據(jù)本發(fā)明第十示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板包括多個形成在襯底110和溝道層151之間的濾色片230，這不同于第二示例性實(shí)施例。優(yōu)選由氧化硅或氮化硅制成的阻擋膜(未示出)可形成在濾色片230上。
[0166]濾色片230形成在襯底110和溝道層151之間，從而當(dāng)組合薄膜晶體管陣列面板和相應(yīng)面板時，像素電極191和濾色片230之間的不對準(zhǔn)程度可以被最小化。此外，由于各種薄膜覆蓋濾色片230，薄膜阻止濾色片230接觸液晶材料，從而防止了液晶材料的污染。
[0167]根據(jù)本發(fā)明第十示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板可通過除了根據(jù)第二示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板制造方法之外，在形成溝道層151之前，增加形成濾色片230的步驟而制成。
[0168]根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板還可以包括形成在襯底110和溝道層151之間的多個濾色片230。
[0169]如上面所述，源電極、漏電極和像素電極同時形成，而鈍化層和隔離片一起形成，相應(yīng)的，可以減少制造薄膜晶體管陣列面板的掩模的數(shù)量。
[0170]此外，源電極和漏電極的下層由透明導(dǎo)電氧化物形成，從而改進(jìn)源、漏電極和溝道層之間的接觸特性。
[0171]盡管結(jié)合目前認(rèn)為的實(shí)際示例性實(shí)施例描述本發(fā)明，可以理解的是此發(fā)明不限于公開的實(shí)施例，而是，相反，覆蓋包含在所附權(quán)利要求的主旨和范圍內(nèi)的各種變形和等效設(shè)置。
[0172]本申請要求2007年6月14日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提出的韓國專利申請N0.10-2007-0058216的優(yōu)先權(quán)，通過引用其全部內(nèi)容包含在本申請中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種薄膜晶體管陣列面板，包括: 絕緣襯底； 形成在絕緣襯底上的包括氧化物材料的溝道層； 形成在溝道層上的柵極絕緣層； 形成在柵極絕緣層上的柵電極； 形成在柵電極上的層間絕緣層； 形成在層間絕緣層上的數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線包括源電極，其中數(shù)據(jù)線包括第一導(dǎo)電層和形成在所述第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層； 形成在層間絕緣層上的漏電極，所述漏電極包括第一導(dǎo)電層和形成在所述第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層； 像素電極，包括第一導(dǎo)電層的與漏電極相關(guān)聯(lián)的部分，而不包括第二導(dǎo)電層； 形成在數(shù)據(jù)線和漏電極上的鈍化層；以及 形成在鈍化層上的隔離片， 其中隔離片具有與鈍化層相同的平面形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中 鈍化層在數(shù)據(jù)線上方延伸，且包括覆蓋漏電極的突出部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中 隔離片未覆蓋全部鈍化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列面板，其中 柵極絕緣層具有與溝道層基本上相同的平面形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括: 存儲電極線，形成在部分襯底上而不在柵極絕緣層上，且與數(shù)據(jù)線交叉。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括: 形成在像素電極上的濾色片。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括: 形成在層間絕緣層和像素電極之間的濾色片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括: 形成在襯底和溝道層之間的濾色片。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中柵極絕緣層具有與溝道層基本上相同的平面形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括: 形成在襯底上的存儲電極線。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括: 形成在像素電極上的濾色片。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括: 形成在層間絕緣層和像素電極之間的濾色片。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括: 形成在襯底和溝道層之間的濾色片。
14.一種制造薄膜晶體管陣列面板的方法，包括: 在絕緣襯底上形成包括氧化物的溝道層； 形成覆蓋溝道層的柵極絕緣層； 在柵極絕緣層上形成包括柵電極的柵極線； 在柵極線上形成層間絕緣層； 在層間絕緣層中形成暴露部分溝道層和柵極絕緣層的多個接觸孔； 在層間絕緣層上形成包括源電極的數(shù)據(jù)線、漏電極和連接到漏電極的像素電極； 在數(shù)據(jù)線、漏電極和像素電極上形成絕緣層； 在絕緣層上形成隔離片；以及 蝕刻掩模以形成暴露像素電極的鈍化層， 其中 形成隔離片包括: 在絕緣層上形成感光膜； 采用半色調(diào)掩模對感光膜曝光；以及 顯影曝光的感光膜以形成隔離片，所述隔離片具有設(shè)置在數(shù)據(jù)線上的第一部分和厚度比第一部分厚的第二部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中 形成溝道層和柵極絕緣層包括: 在絕緣襯底上順序沉積氧化物半導(dǎo)體層和絕緣層；以及 一起蝕刻絕緣層和氧化物半導(dǎo)體層。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中 在層間絕緣層上形成數(shù)據(jù)線、漏電極和像素電極包括: 順序沉積第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層； 根據(jù)在第二導(dǎo)電層上的位置形成具有不同厚度的第一感光膜圖案； 采用第一感光膜圖案作為蝕刻掩模來蝕刻第二導(dǎo)電層和第一導(dǎo)電層； 灰化第一感光膜圖案以形成暴露第二導(dǎo)電層的第二感光膜圖案； 采用第二感光膜圖案作為刻蝕掩膜來刻蝕第二導(dǎo)電層，以形成像素電極，所述像素電極包括第一導(dǎo)電層的與漏電極相關(guān)聯(lián)的部分，而不包括第二導(dǎo)電層；以及其中鈍化層在數(shù)據(jù)線上方延伸，且包括覆蓋漏電極的突出部。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括: 在像素電極上形成濾色片。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括: 在層間絕緣層與數(shù)據(jù)線和像素電極之間形成濾色片。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括: 在形成溝道層之前形成濾色片。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。所公開的薄膜晶體管陣列面板包括絕緣襯底、形成在絕緣襯底上的包括氧化物的溝道層。柵極絕緣層形成在溝道層上，柵電極形成在柵極絕緣層上。層問絕緣層形成在柵電極上，數(shù)據(jù)線形成在層問絕緣層上且包括源電極，其中數(shù)據(jù)線由第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層制成。漏電極形成在層問絕緣層上，且包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層。像素電極從漏電極的第一導(dǎo)電層延伸，鈍化層形成在數(shù)據(jù)線和漏電極上。隔離片形成在鈍化層上。
【IPC分類】G02F1-1362, H01L27-12, H01L21-77, H01L29-786
【公開號】CN104733543
【申請?zhí)枴緾N201510179608
【發(fā)明人】李制勛, 金度賢, 鄭敞午
【申請人】三星顯示有限公司
【公開日】2015年6月24日
【申請日】2007年12月18日
【公告號】CN101325202A, US7863607, US20080308795