16及活性區(qū)域114側(cè)向分開(kāi)地絕緣，且因此縮減在后續(xù)處理期間或在操作中使接觸件彼此短路的可能性。在其它實(shí)施例中，SST裸片110可包含介電材料138的較大或較小涂層或部分。
[0029]如圖2C所展示，介電材料138可涂布溝道126的內(nèi)壁，但不覆蓋第三接觸件140。在特定實(shí)施例中，導(dǎo)電線142可形成于互連件124與第三接觸件140之間的介電材料138上方。導(dǎo)電線142可由合適導(dǎo)電材料制成，合適導(dǎo)電材料是例如鎳(Ni)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、鎢(W)及/或其它合適導(dǎo)電材料。導(dǎo)電線142下方的介電材料138將第三接觸件140與第一接觸件117a電隔離。導(dǎo)電線142可使用沉積、圖案化及/或此項(xiàng)技術(shù)中所知的其它合適方法而形成，且可由類似于用于第二接觸件材料119及/或第三接觸件材料140的導(dǎo)電材料的導(dǎo)電材料制成。
[0030]SST裸片IlOaUlOb可經(jīng)歷進(jìn)一步處理以添加用于附接到額外襯底及/或裝置的元件。舉例來(lái)說(shuō)，接合襯墊(未展示)可分別電親合到第一接觸件117a、第二接觸件119b及第三接觸件140。所述接合襯墊可為金屬或金屬合金結(jié)構(gòu)(例如，N1、Ag、Cu、Sn、Al、W等)。在一些布置中，導(dǎo)線接合146 (圖2C)可用以將外部裝置、額外裸片及/或其它電源電耦合到SST裸片110的第一接觸件117a及第二接觸件119b。在其它實(shí)施例中，所得的SST裸片110可包含可在不需要導(dǎo)線接合(例如，使用回流焊工藝)的情況下安裝于板、封裝或另一組件上的第一接觸件117a及第二接觸件119b。
[0031]在一個(gè)實(shí)施例中，第三接觸件140可提供預(yù)備件用于在耦合于SST陣列100中的鄰近SST裸片IlOb之間形成交叉連接144 (圖2A)。交叉連接144可提供電連接到位于SST陣列100內(nèi)的SST裸片IlOaUlOb的多個(gè)LED結(jié)構(gòu)IllaUllb之間的至少一個(gè)中間點(diǎn)。在操作中，交叉連接144可提供跨個(gè)別SST裸片110 (例如，裸片IlOaUlOb)的縮減的偏壓變化。參考圖2A，在SST裸片IlOa上的第三接觸件140與SST裸片IlOb上的對(duì)應(yīng)第三接觸件140之間具有交叉連接的情況下，第一 LED結(jié)構(gòu)Illa及第二 LED結(jié)構(gòu)Illb可被施加相同電壓。另外，交叉連接144可提供預(yù)防SST裸片110或SST陣列100故障的保護(hù)。舉例來(lái)說(shuō)，如果一個(gè)LED結(jié)構(gòu)出故障且變?yōu)殚_(kāi)路或短路，那么額外LED結(jié)構(gòu)使用交叉連接144而仍保持操作。
[0032]在特定實(shí)例中，如果SST裸片IlOa的LED結(jié)構(gòu)Illa變?yōu)槎搪?例如，具有低電阻)，那么施加到兩個(gè)并聯(lián)SST裸片110的電壓將優(yōu)先流過(guò)SST裸片I 1a的LED結(jié)構(gòu)111a，且SST裸片IlOb將不操作或以減小的能力而操作。正向電壓將流到SST裸片IlOa的LED結(jié)構(gòu)Illb ;然而，交叉連接144均勻地提供正向電壓到SST裸片IlOa的LED結(jié)構(gòu)Illb以及SST裸片IlOb的LED結(jié)構(gòu)Illb兩者。因而，盡管LED結(jié)構(gòu)Illa有故障，但更多裸片仍保持操作。因此，電耦合到LED結(jié)構(gòu)Illa與Illb之間的互連件124的第三接觸件140在高電壓(例如，多結(jié))SST裸片110內(nèi)提供可接達(dá)的電連接。在額外實(shí)施例中，SST裸片110可包含兩個(gè)以上LED結(jié)構(gòu)111，且因此可包含多個(gè)互連件124，其中對(duì)應(yīng)的第三接觸件140提供例如并聯(lián)耦合的SST裸片110之間的額外交叉連接144。
[0033]圖3為根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的形成具有串聯(lián)耦合的多個(gè)結(jié)的SST裸片的方法300的流程圖。如圖3所展示，方法300的初始階段(方框302)可包含形成發(fā)光二極管(LED)結(jié)構(gòu)，LED結(jié)構(gòu)具有第一側(cè)處的第一半導(dǎo)體材料、與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)處的第二半導(dǎo)體材料，及第一半導(dǎo)體材料與第二半導(dǎo)體材料之間的發(fā)光活性區(qū)域。方法300的另一階段(方框304)包含在第一結(jié)上形成第一接觸件，其中第一接觸件電耦合到第一半導(dǎo)體材料。在另一階段(方框306)中，方法300包含在第二結(jié)上形成第二接觸件，其中第二接觸件電耦合到第二半導(dǎo)體材料。
[0034]方法300可包含在第一結(jié)與第二結(jié)之間形成互連件的又一階段(方框308)，其中互連件電耦合到第一半導(dǎo)體材料及第二半導(dǎo)體材料。在一些布置中，第一接觸件、第二接觸件及交叉連接接觸件可從LED結(jié)構(gòu)的第一側(cè)接達(dá)。在又一階段(方框310)中，方法300包含形成電耦合到互連件的交叉連接接觸件。交叉連接接觸件可用以在位于第一結(jié)與第二結(jié)之間的中間點(diǎn)處以陣列形式將SST裸片電耦合到另一裸片。
[0035]圖4為根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的具有電交叉連接的SST裸片210的陣列組合件200的示意方框圖。如圖4所展示，陣列組合件200包含第一端子202、第二端子204，及并聯(lián)耦合于第一端子202與第二端子204之間的多個(gè)SST裸片210。第一端子202及第二端子204經(jīng)配置以從外部電力供應(yīng)器(未展示)接收輸入電壓。
[0036]在所說(shuō)明的實(shí)施例中，SST裸片210被布置為彼此并聯(lián)耦合的單獨(dú)串，其被個(gè)別地識(shí)別為206a到d。串206a到d各自被展示為具有單個(gè)SST裸片210，每一 SST裸片210具有多個(gè)LED結(jié)211 (例如，被個(gè)別地識(shí)別為Illa及Illb的LED結(jié)構(gòu))；然而，在其它實(shí)施例中，SST裸片210可被布置為單個(gè)串及/或具有其它合適布置。在其它實(shí)施例中，串206a到d中的至少一者可承載一個(gè)以上串聯(lián)SST裸片210。
[0037]在某些實(shí)施例中，個(gè)別SST裸片210具有通過(guò)互連件224串聯(lián)電耦合的兩個(gè)LED結(jié)211a、211b。在其它實(shí)施例中，個(gè)別裸片210可包含通過(guò)互連件串聯(lián)電耦合的兩個(gè)以上LED結(jié)211 (例如，三個(gè)、四個(gè)、五個(gè)等)。陣列組合件200還包含在串206a到d之間電耦合SST裸片110的互連件224的多個(gè)交叉連接244。因而，通過(guò)端子202、204所提供的輸入電壓可流過(guò)串106a到d及在所述串之間流動(dòng)，以提供替代電路徑用于改善光輸出及較高通量傳遞。因此，并有SST裸片210或裸片110 (圖2A到2C所說(shuō)明)的陣列組合件(例如組合件200)具有克服結(jié)故障的預(yù)備件，從而提供跨陣列中的個(gè)別耦合SST裸片的縮減的偏壓變化。而且，陣列組合件200可甚至在結(jié)故障之后仍保持處于使用中，從而提供改善的芯片性能及可靠性，由此縮減制造成本。
[0038]圖5為根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的形成高電壓發(fā)光二極管(HVLED)的陣列的方法400的流程圖。如圖5所展示，方法400的初始階段(方框402)可包含提供第一端子及第二端子，例如用于從外部電力供應(yīng)器接收輸入電壓。方法400的另一階段(方框404)包含將多個(gè)HVLED耦合于第一端子與第二端子之間。在一些實(shí)施例中，至少一對(duì)HVLED可并聯(lián)耦合。多個(gè)HVLED可個(gè)別地包含多個(gè)結(jié)，多個(gè)結(jié)與每一個(gè)別結(jié)之間的互連件串聯(lián)耦合。在一些布置中，個(gè)別HVLED具有耦合到互連件的交叉連接接觸件。
[0039]方法400的另一階段(方框406)可包含在HVLED中的至少所述對(duì)上的交叉連接接觸件之間形成交叉連接。在一些布置中，接合襯墊可耦合到交叉連接接觸件，且在接觸件之間形成交叉連接可包含在接合襯墊之間進(jìn)行導(dǎo)線接合。額外階段(未展示)可包含將第一端子及第二端子電耦合到AC電源或其它電源。
[0040]根據(jù)前述內(nèi)容，將了解，已出于說(shuō)明的目的而在本文中描述本技術(shù)的具體實(shí)施例，但可在不偏離本揭露內(nèi)容的情況下作出各種修改。SST裸片110、