。所述待刻蝕圖形100中包括若干長條狀的柵極圖形與柵極圖形垂直連接的圖形。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可以是其他形狀的待刻蝕圖形，或者其他材料層的待刻蝕圖形。
[0034]請參考圖2和圖3，將所述待刻蝕圖形拆分為第一掩膜圖形110和初始第二掩膜圖形120。其中，圖2為第一掩膜圖形110，圖3為初始第二掩膜圖形120。
[0035]具體的，請參考圖2，所述第一掩膜圖形110包括第一圖形111和第一可曝光散射圖形112。其中，圖3中相同填充類型的圖形為同一種圖形。并且所述第一圖形111和第一可曝光散射圖形112為不透光圖形。
[0036]所述第一掩膜圖形110作為雙圖形刻蝕過程中的第一圖形化過程中的掩膜版圖形。所述第一掩膜圖形110中的圖形為在曝光過程中，在光刻膠層上保留的圖形。
[0037]其中，第一圖形111為待刻蝕圖形中的主圖形，包括長條狀的柵極圖形以及連接?xùn)艠O圖形的連接圖形等。
[0038]所述第一可曝光散射圖形112位于所述第一圖形111中的孤立圖形周圍。所述孤立圖形是指位于周圍圖形密度不均勻的圖形。例如，所述第一圖形111中的一個(gè)第一圖形111a，所述第一圖形Illa兩側(cè)的第一圖形111的圖形密度相差較大，所述第一圖形Illa即為孤立圖形。
[0039]形成所述第一掩膜圖形110的方法包括:將待刻蝕圖形首先拆分成第一圖形111和第二圖形，將所述第一圖形111作為第一掩膜初始圖形，所述第一圖形和第二圖形重疊可以獲得待刻蝕圖形；在所述第一掩膜初始圖形內(nèi)加入第一可曝光散射圖形112，所述第一圖形111和第一可曝光散射圖形112構(gòu)成第一掩膜圖形110。本實(shí)施例中，所述第一圖形為待刻蝕圖形中的主圖形，包括長條狀的柵極圖形以及連接?xùn)艠O圖形的連接圖形等；第二圖形則用于將所述長條狀的柵極圖形斷開，形成分立的柵極圖形。
[0040]在形成第一掩膜初始圖形之后，在所述第一掩膜初始圖形中的孤立圖形和密度較低的區(qū)域內(nèi)加入第一可曝光散射圖形112。所述第一可曝光散射圖形112可以在進(jìn)行曝光過程中使孤立圖形和密度較低的區(qū)域與密度較高的區(qū)域的密度接近，提高曝光過程的光強(qiáng)分布，避免由于圖形密度不一致導(dǎo)致的成像質(zhì)量低的問題，并且可以使孤立圖形以及密度較低區(qū)域的工藝窗口與密度較高區(qū)域的工藝窗口相匹配，整體上提高工藝窗口。
[0041]所述第一可曝光孤立圖形112的寬度為30nm?120nm，所述第一可曝光孤立圖形112與第一可曝光孤立圖形112 —側(cè)的第一圖形111之間的間距為50nm?150nm，相鄰第一可曝光散射圖形112之間的間距為30nm?120nm。所述可曝光散射圖形112的尺寸大于所述光刻的分辨率的臨界值，所述可曝光散射圖形112在第一圖形化過程中會轉(zhuǎn)移到待刻蝕材料層上，并且通過第二圖形化過程，再將所述待刻蝕材料層上的所述可曝光散射圖形去除，從而不影響待刻蝕材料層上的圖形排布。
[0042]請參考圖3，所述初始第二掩膜圖形120包括第二圖形121和第三圖形122。其中，圖3中相同填充類型的圖形為同一種圖形。所述第二圖形121和第三圖形122為透光圖形。
[0043]所述初始第二掩膜圖形120為雙圖形刻蝕過程中的第二圖形化的掩膜版的初始圖形。所述初始第二掩膜圖形120中的圖形為在曝光過程中，在光刻膠層上去除的圖形。
[0044]本實(shí)施例中，所述第二圖形121圖形用于將第一掩膜圖形110 (請參考圖2)中的第一圖形111中的長條狀圖形切斷，以及去除長條狀圖形的末端部分；所述第三圖形122用于去除第一掩膜圖形100中的第一可曝光散射圖形112。
[0045]所述第三圖形122的尺寸大于第一可曝光散射圖形112的尺寸，從而確?？梢詫⑺龅谝豢善毓馍⑸鋱D形112完全去除。
[0046]所述初始第二掩膜圖形120的圖形密度較低，并且圖形密度分布不均勻。本實(shí)施例中，所述初始第二掩膜圖形120中的第二圖形121a所在區(qū)域的圖形密度低于其他區(qū)域的圖形密度，所述第二圖形121a為孤立圖形，后續(xù)在所述第二圖形121a兩側(cè)形成第二可曝光散射圖形，以調(diào)節(jié)所述第二圖形121a兩側(cè)的圖形密度。
[0047]請參考圖4，為將第一掩膜圖形110 (請參考圖2)和初始第二掩膜圖形120 (請參考圖3)重疊之后的重疊圖形的示意圖。后續(xù)通過所述重疊圖形判斷在初始第二掩膜圖形中加入的初始可曝光散射圖形與第一掩膜圖形位置間的關(guān)系。
[0048]所述初始第二掩膜圖形120中的第三圖形122完全覆蓋第一掩膜圖形110中的第一可曝光散射圖形，從而在第二圖形化之后可以將所述第一圖形化過程中轉(zhuǎn)移到待刻蝕材料層上的第一可曝光散射圖形完全去除。
[0049]請參考圖5，在所述初始第二掩膜圖形120內(nèi)加入初始可曝光散射圖形130。
[0050]根據(jù)預(yù)設(shè)的初始可曝光散射圖形130的寬度、初始可曝光散射圖形130與第二圖形121之間的間距、相鄰初始可曝光散射圖形130之間的間距，在所述第二掩膜圖形120的低密度區(qū)域內(nèi)加入初始可曝光散射圖形130。
[0051]所述預(yù)設(shè)的初始可曝光散射圖形130的寬度為30nm?120nm，所述初始可曝光散射圖形130與第二圖形121之間的間距為50nm?150nm，相鄰初始可曝光散射圖形130之間的間距為30nm?120nm。所述初始可曝光散射圖形130的尺寸較大，在曝光過程中，能夠轉(zhuǎn)移到光刻膠層上。
[0052]本實(shí)施例中，所述初始第二掩膜圖形120中的第二圖形121a所在的區(qū)域密度較低，所述初始可曝光散射圖形130位于所述第二圖形121a的兩側(cè)。位于第二圖形121a單側(cè)的初始可曝光散射圖形130的數(shù)量為兩個(gè)。本實(shí)施例中，所述初始可曝光散射圖形130的寬度為60nm，相鄰初始可曝光散射圖形130的寬度為60nm，并且所述初始可曝光散射圖形130與第二圖形121a之間的最短距離為80nm。所述初始可曝光散射圖形130的長度與第二圖形121a的長度相同。
[0053]所述初始可曝光散射圖形130與第一掩膜圖形110中的第一圖形111的位置有重疊的部分，在進(jìn)行第二圖形化的過程中，得到初始可曝光散射圖形130轉(zhuǎn)移到待刻蝕材料層的圖形會將第一圖形化過程中轉(zhuǎn)移到待刻蝕材料層上的圖形破壞，所以，還需要去除所述初始可曝光散射圖形130與所述第一圖形111中位置重疊的部分。
[0054]請參考圖6，去除所述初始可曝光散射圖形130 (請參考圖5)中與第一掩膜圖形中的第一圖形111位置重疊的部分。
[0055]去除所述初始可曝光散射圖形130中與第一圖形111之間重疊的部分之后，所述初始第二可曝光散射圖形131的位置與第一圖形111的位置分離，初始可曝光散射圖形131與第一圖形111之間的位置沒有重疊，所以作為掩膜圖形進(jìn)行圖形化的過程中，不會破壞第一圖形化形成的圖形。
[0056]并且，所述相鄰的初始可曝光散射圖形131之間的間距為30nm?120nm，使得對所述相鄰初始可曝光散射圖形131進(jìn)行曝光后，得到的曝光圖形之間互相不會粘連。
[0057]在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，在去除初始可曝光散射圖形130與第一圖形111重疊部分之后，剩余的初始可曝光散射圖形131的尺寸會太小，而