。
[0088]所述第二圖形320密集區(qū)域的圖形密度較為均勻，而位于所述密集區(qū)域最外側(cè)的第二圖形320的另一側(cè)沒有其他圖形為空曠區(qū)域，在所述空曠區(qū)域內(nèi)加入初始可曝光圖形330，以使所述密集區(qū)域最外側(cè)的第二圖形320兩側(cè)的圖形密度相同。
[0089]所述初始可曝光圖形330與其相鄰的第二圖形320的長度相同。所述初始可曝光散射圖形330的寬度可以為30nm?120nm，所述初始可曝光散射圖形330與第二圖形之間的間距可以為50nm?150nm，相鄰初始可曝光散射圖形330之間的間距可以為30nm?120nmo
[0090]由于所述初始可曝光圖形330與第一圖形310的位置沒有重疊，所以所述初始可曝光圖形330直接作為第二可曝光散射圖形330。
[0091]請參考圖15，在所述初始第二掩膜圖形內(nèi)加入非曝光散射圖形340。
[0092]由于相鄰的第二圖形320和第二可曝光散射圖形330之間的間距較大，為了提高光刻的分辨率，提高曝光過程中光強(qiáng)分布的均勻性，所以，還可以在所述相鄰的第二圖形320以及第二可曝光散射圖形330之間加入非曝光散射圖形340，所述非曝光散射圖形340的尺寸小于曝光的臨界值，所述曝光的臨界值由光刻的分辨率決定。
[0093]所述非曝光散射圖形340的寬度為1nm?50nm,非曝光散射圖形340與第二圖形320之間的間距為30nm?lOOnm，非曝光散射圖形340與第二可曝光散射圖形330之間的間距為20nm?80nm。
[0094]最終形成的第二掩膜圖形包括:非曝光散射圖形340、第二圖形320和第二可曝光散射圖形330。
[0095]綜上所述，本發(fā)明的實(shí)施例中，將待刻蝕圖形拆分成第一掩膜圖形和初始第二掩膜圖形之后，在初始第二掩膜圖形的低密度區(qū)域加入可第二曝光散射圖形后形成第二掩膜圖形，所述第二可曝光散射圖形可以調(diào)整第二掩膜圖形的圖形密度，從而避免由于圖形密度不均勻?qū)е碌钠毓鈭D形尺寸不準(zhǔn)確的問題，并且能夠提高采用第二掩膜圖形作為掩膜版圖形進(jìn)行光刻的工藝窗口；并且所述第二可曝光散射圖形的位置與第一掩膜圖形中的第一圖形的位置分離，相互之間沒有重疊，所以，不會(huì)影響到采用第一掩膜圖形作為掩膜版圖形，對待刻蝕層進(jìn)行第一圖形化后形成的圖形，并且以所述第二掩膜圖形作為掩膜版圖形進(jìn)行第二圖形化之后，轉(zhuǎn)移到待刻蝕層上的第二可曝光散射圖形不會(huì)保留在待刻蝕層上，不需要加入額外的工藝去除所述第二可曝光散射圖形。
[0096]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種掩膜圖形的形成方法，其特征在于，包括: 提供待刻蝕圖形； 將所述待刻蝕圖形拆分為第一掩膜圖形和初始第二掩膜圖形，所述第一掩膜圖形內(nèi)包括若干第一圖形，所述初始第二掩膜圖形內(nèi)包括若干第二圖形； 在所述初始第二掩膜圖形內(nèi)加入第二可曝光散射圖形，所述第二可曝光散射圖形的位置與第一圖形的位置分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜圖形的形成方法，其特征在于，還包括:在形成所述第二可曝光散射圖形之后，在所述初始第二掩膜圖形內(nèi)加入非曝光散射圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜圖形的形成方法，其特征在于，形成所述第二可曝光散射圖形的方法包括:將所述初始第二掩膜圖形拆分為第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第二區(qū)域的圖形密度小于第一區(qū)域的圖形密度；在所述第二區(qū)域內(nèi)加入初始可曝光散射圖形；去除所述初始可曝光散射圖形中與第一掩膜圖形中的第一圖形位置重疊的部分；去除長度和寬度均小于預(yù)設(shè)尺寸的部分初始可曝光散射圖形，所述預(yù)設(shè)尺寸為第二掩膜圖形可曝光的最小尺寸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜圖形的形成方法，其特征在于，去除長度和寬度均小于預(yù)設(shè)尺寸的部分初始可曝光散射圖形的方法包括:將所述初始可曝光散射圖形的長度和寬度尺寸均減小預(yù)設(shè)尺寸，使得部分初始可曝光散射圖形消失；將剩余的初始可曝光散射圖形的長度和寬度尺寸均增加預(yù)設(shè)尺寸，恢復(fù)到原來的尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜圖形的形成方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)尺寸為20nm?120nmo
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜圖形的形成方法，其特征在于，根據(jù)預(yù)設(shè)的初始可曝光散射圖形的寬度、初始可曝光散射圖形與第二圖形之間的間距、相鄰初始可曝光散射圖形之間的間距，在所述第二掩膜圖形的第二區(qū)域內(nèi)加入初始可曝光散射圖形。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜圖形的形成方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)的初始可曝光散射圖形的寬度為30nm?120nm，所述初始可曝光散射圖形與第二圖形之間的間距為50nm?150nm,相鄰初始可曝光散射圖形之間的間距為30nm?120nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜圖形的形成方法，其特征在于，所述初始可曝光散射圖形為矩形。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜圖形的形成方法，其特征在于，所述第二可曝光散射圖形為矩形。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜圖形的形成方法，其特征在于，所述非曝光散射圖形的尺寸小于曝光的臨界尺寸。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜圖形的形成方法，其特征在于，根據(jù)預(yù)設(shè)的非曝光散射圖形的寬度、非曝光散射圖形與第二圖形之間的間距、非曝光散射圖形與第二可曝光散射圖形之間的間距，在所述第二掩膜圖形內(nèi)加入非曝光散射圖形。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的掩膜圖形的形成方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)的非曝光散射圖形的寬度為1nm?50nm,非曝光散射圖形與第二圖形之間的間距為30nm?10nm,非曝光散射圖形與第二可曝光散射圖形之間的間距為20nm?80nm。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的掩膜圖形的形成方法，其特征在于，所述非曝光散射圖形為矩形。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜圖形的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜圖形還包括在第一可曝光散射圖形，所述初始第二掩膜圖形還包括與所述第一可曝光散射圖形位置和尺寸對應(yīng)的第三圖形。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的掩膜圖形的形成方法，其特征在于，所述第三圖形的尺寸大于所述第一可曝光散射圖形的尺寸。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜圖形的形成方法，其特征在于，所述待刻蝕圖形為多晶硅層的待刻蝕圖形。
【專利摘要】一種掩膜圖形的形成方法，所述掩膜圖形的形成方法包括：提供待刻蝕圖形；將所述待刻蝕圖形拆分為第一掩膜圖形和初始第二掩膜圖形，所述第一掩膜圖形內(nèi)包括若干第一圖形，所述初始第二掩膜圖形內(nèi)包括若干第二圖形；在所述初始第二掩膜圖形內(nèi)加入第二可曝光散射圖形，所述第二可曝光散射圖形的位置與第一圖形的位置分離。所述掩膜圖形的形成方法可以提高工藝窗口，以及曝光圖形的準(zhǔn)確性。
【IPC分類】H01L21-28, H01L21-027
【公開號】CN104752169
【申請?zhí)枴緾N201310745658
【發(fā)明人】王鐵柱
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2013年12月30日
【公告號】US20150185600