GSL。附加阻擋層或者柵絕緣層可以形成在最下面的柵線280a和第一半導(dǎo)體圖案230的外側(cè)壁之間，從而包括GSL的GST可以被定義。在示例實施方式中，第一半導(dǎo)體圖案230的頂表面可以位于第一柵線280a的頂表面和第二柵線280b的底部之間。
[0175]最上面的柵線280(例如280f)可以用作SSL，SSL和GSL之間的柵線280b、280c、280d和280e可以用作字線。
[0176]開口 260可以形成在一些溝道列之間，并且可以貫穿或者切斷柵線280和絕緣中間層圖案216。開口 260可以在第三方向上延伸。雜質(zhì)區(qū)域208可以形成在第二溝道層206的通過開口 260暴露的部分處。雜質(zhì)區(qū)域208可以包括η型雜質(zhì)，并且可以用作CSL。
[0177]第二填充層圖案281可以形成在開口 260中。第一 CSL接觸285可以穿過第二填充層圖案281形成，以被電連接至雜質(zhì)區(qū)域208。
[0178]在示例實施方式中，第二半導(dǎo)體圖案275可以從第一溝道層202突出，從而穿過分隔絕緣層204延伸。第二半導(dǎo)體圖案275可以經(jīng)由雜質(zhì)區(qū)域208被電連接至第一 CSL接觸285。
[0179]上絕緣層290可以形成在最上面的絕緣中間層圖案216g、第二填充層圖案281、第一CSL接觸285和墊255上。第二 CSL接觸292和位線接觸294可以穿過上絕緣層290形成，從而分別接觸第一 CSL接觸285和墊255。
[0180]位線298可以布置在上絕緣層290上，從而被電連接至多個位線接觸294。位線298可以沿第二方向延伸，可以沿第三方向排列多個位線298。在示例實施方式中，位線298可以在第三方向上延伸，并且可以被電連接至被包括在一個溝道列中的墊255。
[0181]另外，CSL布線296可以被布置在上絕緣層290上，從而被電連接至第二 CSL接觸292。例如，CSL布線296可以在第三方向上延伸。
[0182]根據(jù)上面描述的示例實施方式，包括摻以P型雜質(zhì)的多晶硅的溝道層可以具有雙層結(jié)構(gòu)。第一溝道層202可以具有相對高的雜質(zhì)濃度，并且可以用作與第一半導(dǎo)體圖案230接觸的P阱和/或襯底。第二溝道層206可以具有相對低的雜質(zhì)濃度和相對薄的厚度。第二溝道層206可以直接接觸第一半導(dǎo)體圖案230的外側(cè)壁，并且可以用作用于GST的溝道，從而來自GST的泄漏電流可以被減少。通過第一半導(dǎo)體圖案230和/或第二半導(dǎo)體圖案275，第一溝道層202和第二溝道層206彼此可以形成并聯(lián)連接。于是，用作P阱的第一溝道層202的電阻可以降低。
[0183]雖然圖27示出彼此交替地層疊的柵線280a至280f和絕緣中間層圖案216a至216f，但是示例實施方式不局限于此，并且柵線280和絕緣層中間層圖案216的數(shù)量可以改變。
[0184]圖28至37是剖視圖，其示出制造根據(jù)示例實施方式的一垂直存儲器件的方法。例如，圖28至37示出制造圖27的垂直存儲器件的方法。為了簡潔起見，省略對與參照圖2至16示出的工藝和/或材料實質(zhì)上相同或者類似的工藝和/或材料的詳細說明。
[0185]參見圖28，第一溝道層202、分隔絕緣層204和第二溝道層206可以被順序形成在下絕緣層200上。
[0186]下絕緣層200可以形成在半導(dǎo)體襯底上，并且可以覆蓋半導(dǎo)體襯底上形成的周邊電路。下絕緣層200可以用諸如硅氧化物(例如PEOX、TEOS, BTEOS, PTEOS, BPTEOS, BSG、PSG、BPSG或類似物)的絕緣材料形成。
[0187]第一和第二溝道層202和206可以通過濺射工藝、PVD工藝、ALD工藝等用摻以p型雜質(zhì)的多晶硅形成。分隔絕緣層204可以通過CVD工藝、旋涂工藝等用諸如硅氧化物、硅氮化物或者硅氮氧化物的絕緣材料形成。
[0188]在示例實施方式中，第一溝道層202可以具有比第二溝道層206的雜質(zhì)濃度大的雜質(zhì)濃度。第一溝道層202可以具有大于第二溝道層206的厚度的厚度。
[0189]參見圖29，可以進行與參照圖3示出的工藝實質(zhì)上相同或者類似的工藝。因此，絕緣中間層212 (212a至212g)和犧牲層214 (214a至214f)可以被交替地且重復(fù)地形成在第二溝道層206上。
[0190]參見圖30，可以進行與參照圖4示出的工藝實質(zhì)上相同或者類似的工藝，從而形成多個溝道孔220。
[0191]在示例實施方式中，溝道孔220可以穿過絕緣中間層212、犧牲層214、第二溝道層206和分隔絕緣層204形成。因此，第一溝道層202的頂表面可以通過溝道孔220暴露。
[0192]在示例實施方式中，第一溝道層202的上部可以在形成溝道孔220的同時被部分地去除，從而第一凹坑可以形成在第一溝道層202的上部。
[0193]參見圖31，可以進行與參照圖5示出的工藝實質(zhì)上相同或者類似的工藝，以形成填充溝道孔220的下部的第一半導(dǎo)體圖案230。
[0194]例如，可以利用第一溝道層202的頂表面作為籽晶進行SEG工藝，以形成第一半導(dǎo)體圖案230。在不例實施方式中，第一半導(dǎo)體圖案230的頂表面可以位于第一犧牲層214a的頂表面和第二犧牲層214b的底部之間。因此，第二溝道層206可以接觸第一半導(dǎo)體圖案230的外側(cè)壁。
[0195]在示例實施方式中，第一半導(dǎo)體圖案230可以被部分地掩埋或者嵌在第一溝道層202的上部。在此情形下，第一半導(dǎo)體圖案230的下部可以插入第一凹坑。
[0196]參見圖32，可以進行與參照圖6至9示出的工藝實質(zhì)上相同或者類似的工藝。因此，電介質(zhì)層結(jié)構(gòu)240、垂直溝道245和第一填充層圖案250可以形成在第一半導(dǎo)體圖案230上。墊255可以形成在電介質(zhì)層結(jié)構(gòu)240、垂直溝道245和第一填充層圖案250上，從而溝道孔220的上部可以被墊255封蓋。
[0197]參見圖33，可以進行與參照圖10示出的工藝實質(zhì)上相同或者類似的工藝，以形成穿過絕緣中間層212和犧牲層214的開口 260。開口 260可以在第三方向上延伸。在用于開口 260的形成的刻蝕過程中，第二溝道層206可以實質(zhì)上用作蝕刻停止層。因此，第二溝道層206的頂表面可以被暴露。
[0198]在開口 260的形成之后，可以在第二溝道層206的暴露的頂表面上進一步進行回蝕刻工藝。因此，可以穿過第二溝道層206和分隔絕緣層204形成孔262。第一溝道層202的頂表面可以通過孔262被暴露。在示例實施方式中，第一溝道層202的通過孔262暴露的上部可以被部分地去除以形成第二凹坑。
[0199]通過開口 260的形成，絕緣中間層212和犧牲層214可以分別變成絕緣中間層圖案216 (216a至216g)和犧牲層圖案218 (218a至218f)。
[0200]參見圖34，可以形成填充孔262的第二半導(dǎo)體圖案275。
[0201]在示例實施方式中，使用第一溝道層202作為籽晶的SEG工藝可以被進行，以形成第二半導(dǎo)體圖案275。第二半導(dǎo)體圖案275和第二溝道層206的頂表面可以彼此共面。或者，第二半導(dǎo)體圖案262可以從第二溝道層206的頂表面突出。
[0202]參見圖35，可以進行與參照圖11至13示出的工藝實質(zhì)上相同或者類似的工藝。因此，犧牲層圖案218可以被改變?yōu)闁啪€280。
[0203]在示例實施方式中，最下面的柵線280a可以圍繞第一半導(dǎo)體圖案230的外側(cè)壁。在此情形下，最下面的柵線280a可以用作垂直存儲器件的GSL。在示例實施方式中，第二溝道層206可以用作包括GSL的GST的溝道。附加阻擋層或者柵絕緣層可以被進一步形成在最下面的柵線280a和第一半導(dǎo)體圖案230的外側(cè)壁之間。柵絕緣層可以通過第一半導(dǎo)體圖案230的外側(cè)壁的熱氧化形成。
[0204]GSL上的柵線280可以圍繞電介質(zhì)層結(jié)構(gòu)240的外側(cè)壁，并且可以在第三方向上延伸。例如，GSL上的四個柵線280b、280c、280d和280e可以用作字線，并且最上面的柵線280f可以用作SSL。
[0205]參見圖36，可以進行與參照圖14和15示出的工藝實質(zhì)上相同或者類似的工藝。
[0206]例如，η型雜質(zhì)可以被注入至通過開口 260暴露的第二溝道層206和第二半導(dǎo)體圖案275，以形成雜質(zhì)區(qū)域208。雜質(zhì)區(qū)域208可以在第三方向上延伸，并且用作垂直存儲器件的CSL。
[0207]第二填充層圖案281可以形成在雜質(zhì)區(qū)域208上以填充開口 260。第一 CSL接觸285可以穿過第二填充層圖案形成，以被電連接至雜質(zhì)區(qū)域208。
[0208]參見圖37，可以進行與參照圖16示出的工藝實質(zhì)上相同或者類似的工藝。因此，上絕緣層290、位線接觸294、第二 CSL接觸292、位線298和CSL布線296可以被形成，從而獲得根據(jù)示例實施方式的垂直存儲器件。
[0209]圖38是剖視圖，其示出根據(jù)示例實施方式的一垂直存儲器件。除了第一半導(dǎo)體圖案的結(jié)構(gòu)外，圖38的垂直存儲器件可以具有與圖27中示出的元件和/或構(gòu)造實質(zhì)上相同或者類似的元件和/或構(gòu)造。于是，為了簡潔起見，省略關(guān)于重復(fù)的元件和/或構(gòu)造的詳細說明。
[0210]參見圖38，第一半導(dǎo)體圖案230a的頂表面可以位于第二溝道層206的頂表面和最下面的柵線280a的底部之間。
[0211 ] 在此情形下，第二溝道層206可以與第一半導(dǎo)體圖案230a —起形成GST。柵線280可以圍繞電介質(zhì)層結(jié)構(gòu)240的外側(cè)壁。
[0212]用于第一半導(dǎo)體圖案230a的形成的SEG工藝的處理時間或者生長速率可以被控制，從而第一半導(dǎo)體圖案230a的頂表面可以位于第二溝道層206的頂表面和最下面的柵線280a的底部之間。
[0213]除SEG工藝之外的工藝可以與參照圖28至37示出的工藝實質(zhì)上相同或者類似。于是，為了簡潔起見，省略關(guān)于制造圖38的垂直存儲器件的方法的詳細說明。
[0214]圖39A和39B是剖視圖，其示出根據(jù)示例實施方式的垂直存儲器件。除低電阻層的添加之外，圖39A和39B的垂直存儲器件可以具有與圖27或者圖38中示出的元件和/或構(gòu)造實質(zhì)上相同或者類似的元件和/或構(gòu)造。于是，為了簡潔起見，省略關(guān)于重復(fù)的元件和/或構(gòu)造的詳細說明。
[0215]參見圖39A，低電阻層102可以被進一步形成在下絕緣層200和第一溝道層202之間。低電阻層102可以包括金屬、金屬氮化物和/或金屬硅化物。例如，低電阻層102可以包括諸如W、Co、T1、Al或者Ni的金屬、其氮化物或者其硅化物。
[0216]在示例實施方式中，低電阻層102可以包括摻以P型雜質(zhì)的多晶硅。在此情形下，第一溝道層202、第二溝道層206和低電阻層102通常可以包括摻以P型雜質(zhì)的多晶硅。在示例實施方式中，低電阻層102可以具有最大的雜質(zhì)濃度，第二溝道層206可以具有最小的雜質(zhì)濃度。
[0217]根據(jù)示例實施方式，低電阻層102可以被設(shè)置在用作P阱的第一溝道層202下面，從而第一溝道層202的電阻可以被進一步降低。
[0218]參見圖39B，低電阻層102a可以具有實質(zhì)上直線的形狀。例如，低電阻層102a可以包括多個在第三方向延伸的直線圖案。在此情形下，低電阻層102a可以重疊至少一個溝道列。
[0219]低電阻層102和102a可以通過與參照圖2或者圖18至20示出的工藝實質(zhì)上相同或者類似的工藝形成。于是，為了簡潔起見，省略制造圖39A和39B的垂直存儲器件的方法。
[0220]圖40是剖視圖，其示出根據(jù)示例實施方式的一垂直存儲器件。除了垂直溝道的結(jié)構(gòu)外，圖40的垂直存儲器件可以具有與圖27中示出的元件和/或構(gòu)造實質(zhì)上相同或者類似的元件和/或構(gòu)造。于是，為了簡潔起見，省略關(guān)于重復(fù)的元件和/或構(gòu)造的詳細說明。
[0221]參見圖40，蝕刻停止層207可以被進一步形成在第二溝道層206上。蝕刻停止層207可以包括金屬氧化物，例如鋁氧化物。
[0222]容納垂直溝道的溝道孔可以被分成第一溝道孔220a和第二溝道孔220b。第一溝道孔220a可以穿過絕緣中間層圖案216、柵線280和蝕刻停止層207延伸。第一溝道孔220a的高度可以實質(zhì)上等于第二溝道層206的頂表面和最上面的絕緣中間層圖案216g的頂表面之間的距離。第二溝道孔220b可以具有小于第一溝道孔220a的寬度的寬度。第二溝道孔220b可以穿過第二溝道層206和分隔絕緣層204延伸。第一溝道層202的頂表面可以通過第二溝道孔220b被暴露。在示例實施方式中，第二溝道孔220b可以穿過第一溝道層202的上部延伸。
[0223]在示例實施方式中，垂直溝道可以被分成第一垂直溝道245a和第二垂直溝道245bο電介質(zhì)層結(jié)構(gòu)240可以被形成在第一溝道孔220a的側(cè)壁上，第一垂直溝道245a可以被形成在電介質(zhì)層結(jié)構(gòu)240的內(nèi)壁和第二溝道層206的頂表面上。電介質(zhì)層結(jié)構(gòu)240和第一垂直溝道245a可以具有吸管形狀或者中空的圓柱形形狀。電介質(zhì)層結(jié)構(gòu)240和第一垂直溝道245a可以不延伸到第二溝道孔220b里。
[0224]第二垂直溝道245b可以被布置在第一垂直溝道245a的內(nèi)壁上，并且可以沿第一方向貫穿第一和第二溝道孔220a和220b延伸。第二垂直溝道245b可以接觸第一溝道層202，并且可以具有實質(zhì)上杯子形狀。第一填充層圖案250可以形成在第二垂直溝道245b內(nèi)。
[0225]在示例實施方式中，第二垂直溝道245b可以被插入或者嵌入在第一溝道層202的上部中。
[0226]第二溝道層206可以圍繞第二垂直溝道245b的外側(cè)壁，以被提供為GST的溝道。
[0227]在示例實施方式中，第二半導(dǎo)體圖案(未示出)可以被形成在分隔絕緣層204中，以經(jīng)由雜質(zhì)區(qū)域208被電連接至第一 CSL接觸285，如圖27所示。
[0228]圖41至47是剖視圖，其示出制造根據(jù)示例實施方式的一垂直存儲器件的方法。例如，圖41至47示出制造圖40的垂直存儲器件的方法。為了簡潔起見，省略關(guān)于與參照圖2至16或者圖28至37示出的工藝和/或材料實質(zhì)上相同或者類似的工藝和/或材料的詳細說明。
[0229]參見圖41，與參照圖28示出的工藝實質(zhì)上相同或者類似的工藝可以被進行，以順序在下絕緣層200上形成第一溝道層202、分隔絕緣層204和第二溝道層206。蝕刻停止層207可以被進一步形成在第二溝道層206上。蝕刻停止層207可以通過CVD工藝、ALD工藝等用金屬氧化物諸如鋁氧化物形成。
[0230]與參照圖3示出的工藝實質(zhì)上相同或者類似的工藝可以被進行。因此，絕緣中間層212和犧牲層214可以被交替地并且重復(fù)地形成在蝕刻停止層207上。
[0231]參見圖42，與參照圖4示出的工藝實質(zhì)上相同或者類似的工藝可以被進行，以形成多個第一溝道孔220a。
[0232]第一溝道孔220a可以穿過絕緣中間層212、犧牲層214和蝕刻停止層207形成。第二溝道層206的頂表面可以通過第一溝道孔220a暴露。在示例實施方式中，蝕刻停止層207可以減少(和/或防止)第二溝道層206在用于第一溝道孔220a的形成的蝕刻工藝期間被損傷。
[0233]參見圖43，與參照圖6和7示出的工藝實質(zhì)上相同或者類似的工藝可以被進行，從而形成電介質(zhì)層235和第一垂直溝道層242a。
[0234]在示例實施方式中，電介質(zhì)層235可以形成在最上面的絕緣中間層(例如212g)、第一溝道孔220a的側(cè)壁和第一溝道