Tft顯示器件及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其是涉及一種TFT顯示器件及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜場效應(yīng)晶體管(Thin Film Transistor，TFT)顯示器件的制作過程相對比較復(fù)雜，需要經(jīng)過很多個工序才能制作完成，其中又有很多高溫工序，比如金屬成膜，非金屬成膜，干刻等工序，這些工序必須在高溫環(huán)境下作業(yè)，靜電放電(Electro-Staticdischarge，ESD)產(chǎn)生的幾率相對較高，如果產(chǎn)品的設(shè)計對ESD的防護(hù)不好，TFT顯示器件將很容易被ESD擊傷。目前對TFT顯示器件ESD防護(hù)的措施非常多，也有相對有效的方法。一般ESD容易發(fā)生在上下層金屬交疊區(qū)域，如圖1中的圖a和圖b所示。當(dāng)上下兩層金屬跨線重疊的時候，如果所攜帶的靜電流過大時，上下重疊區(qū)將發(fā)生ESD擊穿現(xiàn)象。一般做法是將交疊區(qū)域的金屬線寬減小，以減少ESD對金屬線路的擊傷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種TFT顯示器件及其制作方法，能夠降低ESD對TFT顯示器件的擊傷，提高產(chǎn)品良率，提升產(chǎn)品競爭力。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供一種TFT顯示器件，包括:第一金屬層，在第一金屬層上沉積第一氮化硅薄膜；第二金屬層，沉積在第一氮化硅薄膜上，經(jīng)過刻蝕形成圖案，第二金屬層上沉積有第二氮化硅薄膜；過孔，在第二金屬層與第一金屬層重疊區(qū)域，第一金屬層和/或第二金屬層斷開，在斷開位置使用過孔刻蝕掉第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，并沉積ITO導(dǎo)電薄膜以使斷開位置連接導(dǎo)通。
[0005]其中，過孔穿過第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，與第一金屬層和/或第二金屬層接觸。
[0006]其中，ITO導(dǎo)電薄膜涂覆在第二氮化硅薄膜上。
[0007]其中，第一金屬層斷開時，過孔位置的ITO導(dǎo)電薄膜與第一金屬層接觸，使第一金屬層的斷開位置通過ITO導(dǎo)電薄膜連接導(dǎo)通。
[0008]其中，第二金屬層斷開時，過孔位置的ITO導(dǎo)電薄膜與第二金屬層接觸，使第二金屬層的斷開位置通過ITO導(dǎo)電薄膜連接導(dǎo)通。
[0009]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是:提供一種TFT顯示器件的制作方法，包括:在第一金屬層上沉積第一氮化硅薄膜；在第一氮化硅薄膜上沉積第二金屬層，并經(jīng)過刻蝕形成圖案，第二金屬層上沉積有第二氮化硅薄膜；在第二金屬層與第一金屬層重疊區(qū)域，第一金屬層和/或第二金屬層斷開，在斷開位置使用過孔刻蝕掉第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，并沉積ITO導(dǎo)電薄膜以使斷開位置連接導(dǎo)通。
[0010]其中，過孔穿過第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，與第一金屬層和/或第二金屬層接觸。
[0011]其中，ITO導(dǎo)電薄膜涂覆在第二氮化硅薄膜上。
[0012]其中，第一金屬層斷開時，過孔位置的ITO導(dǎo)電薄膜與第一金屬層接觸，使第一金屬層的斷開位置通過ITO導(dǎo)電薄膜連接導(dǎo)通。
[0013]其中，第二金屬層斷開時，過孔位置的ITO導(dǎo)電薄膜與第二金屬層接觸，使第二金屬層的斷開位置通過ITO導(dǎo)電薄膜連接導(dǎo)通。
[0014]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的TFT顯示器件通過在第一金屬層上沉積第一氮化硅薄膜；第二金屬層沉積在第一氮化硅薄膜上，經(jīng)過刻蝕形成圖案，第二金屬層上沉積有第二氮化硅薄膜；在第二金屬層與第一金屬層重疊區(qū)域，第一金屬層和/或第二金屬層斷開，在斷開位置使用過孔刻蝕掉第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，并沉積ITO導(dǎo)電薄膜以使斷開位置連接導(dǎo)通，能夠降低ESD對TFT顯示器件的擊傷，提尚廣品良率，提升廣品競爭力。
【附圖說明】
[0015]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的TFT顯示器件的ESD擊穿的示意圖；
[0016]圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例的TFT顯示器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖3是圖2中的TFT顯示器件的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例的TFT顯示器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖5是圖4中的TFT顯示器件的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖6是本發(fā)明實(shí)施例的TFT顯示器件的制作方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]請參閱圖2，圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例的TFT顯示器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，TFT顯示器件20包括:第一金屬層21、第二金屬層22、第一氮化硅薄膜23、過孔24、ITO導(dǎo)電薄膜25以及第二氮化硅薄膜26。在第一金屬層21上沉積第一氮化硅薄膜23。第二金屬層22沉積在第一氮化硅薄膜23上，經(jīng)過刻蝕形成圖案。第二金屬層22上沉積有第二氮化娃薄膜26 ;在第二金屬層22與第一金屬層21重疊區(qū)域，第一金屬層21和/或第二金屬層22斷開，在斷開位置使用過孔24刻蝕掉第一氮化硅薄膜23和第二氮化硅薄膜26，并沉積ITO導(dǎo)電薄膜25以使斷開位置連接導(dǎo)通。如此，通過將TFT顯示器件上顯示區(qū)外圍線寬較大的金屬走線更改成由ITO薄膜組成的走線，并通過過孔橋接方式連通金屬走線的兩端，減少線寬較大金屬走線與線寬較小金屬走線上下跨線產(chǎn)生ESD，分散與導(dǎo)走TFT顯示器件上的ESD，從而降低ESD對TFT顯示器件的擊傷，提高產(chǎn)品良率，提升產(chǎn)品競爭力。
[0022]在本發(fā)明實(shí)施例中，ITO導(dǎo)電薄膜25涂覆在第二氮化硅薄膜26上。過孔24穿過第一氮化硅薄膜23和第二氮化硅薄膜26，與第一金屬層21和/或第二金屬層22接觸。第一氮化硅薄膜23和第二氮化硅薄膜26可以采用相同的氮化硅薄膜，如SiNx薄膜。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以采用不同的氮化硅薄膜。
[0023]圖2表不在第二金屬層22與第一金屬層21重疊區(qū)域，第一金屬層21斷開的剖面結(jié)構(gòu)圖，圖3為對應(yīng)的平面結(jié)構(gòu)圖，27為解剖線。此時，過孔24位置處的ITO導(dǎo)電薄膜25與第一金屬層21接觸，使第一金屬層21的斷開位置通過ITO導(dǎo)電薄膜25連接導(dǎo)通。
[0024]圖4表示在第二金屬層32與第一金屬層31重疊區(qū)域，第二金屬層32斷開的剖面結(jié)構(gòu)圖，圖5為對應(yīng)的平面結(jié)構(gòu)圖，37為解剖線。第一層金屬31上沉積第一氮化硅薄膜33，第一氮化硅薄膜33上沉積第二層金屬32，經(jīng)過刻蝕制程形成圖案，第二層金屬32上沉積第二氮化硅薄膜36，第二層金屬32的斷開位置使用過孔34將第一氮化硅薄膜33和第二氮化硅薄膜36刻蝕掉，在第二氮化硅薄膜36上沉積ITO導(dǎo)電薄膜35。此時，過孔34位置處的ITO導(dǎo)電薄膜35與第二金屬層32接