觸，使第二金屬層32的斷開位置通過ITO導(dǎo)電薄膜35連接導(dǎo)通。如此，通過在第二金屬層22與第一金屬層21重疊區(qū)域使用過孔材料導(dǎo)電性不一致，利用不同材料間電容差異分散與導(dǎo)走TFT顯示器件上的ESD，從而降低ESD對TFT顯示器件的擊傷，提高產(chǎn)品良率，提升產(chǎn)品競爭力。
[0025]圖6是本發(fā)明實(shí)施例的TFT顯示器件的制作方法的流程示意圖。如圖6所示，TFT顯示器件的制作方法包括:
[0026]步驟SlO:在第一金屬層上沉積第一氮化硅薄膜。
[0027]步驟Sll:在第一氮化硅薄膜上沉積第二金屬層，并經(jīng)過刻蝕形成圖案，第二金屬層上沉積有第二氮化硅薄膜。
[0028]步驟S12:在第二金屬層與第一金屬層重疊區(qū)域，第一金屬層和/或第二金屬層斷開，在斷開位置使用過孔刻蝕掉第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，并沉積ITO導(dǎo)電薄膜以使斷開位置連接導(dǎo)通。
[0029]其中，ITO導(dǎo)電薄膜涂覆在第二氮化硅薄膜上。過孔穿過第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，與第一金屬層和/或第二金屬層接觸。具體地，在第二金屬層與第一金屬層重疊區(qū)域，第一金屬層斷開時，過孔位置的ITO導(dǎo)電薄膜與第一金屬層接觸，使第一金屬層的斷開位置通過ITO導(dǎo)電薄膜連接導(dǎo)通。在第二金屬層與第一金屬層重疊區(qū)域，第二金屬層斷開時，過孔位置的ITO導(dǎo)電薄膜與第二金屬層接觸，使第二金屬層的斷開位置通過ITO導(dǎo)電薄膜連接導(dǎo)通。當(dāng)然在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以在第二金屬層與第一金屬層重疊區(qū)域，第一金屬層和第二金屬層皆斷開，第一金屬層和第二金屬層的斷開位置分別通過不同或相同的ITO導(dǎo)電薄膜連接導(dǎo)通。如此，通過將TFT顯示器件上顯示區(qū)外圍線寬較大的金屬走線更改成由ITO薄膜組成的走線，并通過過孔橋接方式連通金屬走線的兩端，減少線寬較大金屬走線與線寬較小金屬走線上下跨線產(chǎn)生ESD。另外，在第二金屬層與第一金屬層重疊區(qū)域使用導(dǎo)電性不一致的過孔材料，如分別為金屬和ITO導(dǎo)電薄膜，可以利用不同材料間電容差異分散與導(dǎo)走TFT顯示器件上的ESD，從而降低ESD對TFT顯示器件的擊傷，提尚廣品良率，提升廣品競爭力。
[0030]在本發(fā)明實(shí)施例中，第一氮化硅薄膜23和第二氮化硅薄膜26可以采用相同的氮化硅薄膜，如SiNx薄膜。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以采用不同的氮化硅薄膜。
[0031]綜上所述，本發(fā)明的TFT顯示器件通過在第一金屬層上沉積第一氮化硅薄膜；第二金屬層沉積在第一氮化硅薄膜上，經(jīng)過刻蝕形成圖案，第二金屬上層沉積有第二氮化硅薄膜；在第二金屬層與第一金屬層重疊區(qū)域，第一金屬層和/或第二金屬層斷開，在斷開位置使用過孔刻蝕掉氮化硅薄膜，并沉積ITO導(dǎo)電薄膜以使斷開位置連接導(dǎo)通，能夠降低ESD對TFT顯示器件的擊傷，提高產(chǎn)品良率，提升產(chǎn)品競爭力。
[0032]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種TFT顯示器件，其特征在于，所述TFT顯示器件包括: 第一金屬層，在所述第一金屬層上沉積第一氮化硅薄膜； 第二金屬層，沉積在所述第一氮化硅薄膜上，經(jīng)過刻蝕形成圖案，所述第二金屬層上沉積有第二氮化硅薄膜； 過孔，在所述第二金屬層與所述第一金屬層重疊區(qū)域，所述第一金屬層和/或所述第二金屬層斷開，在所述斷開位置使用所述過孔刻蝕掉所述第一氮化硅薄膜和所述第二氮化硅薄膜，并沉積ITO導(dǎo)電薄膜以使所述斷開位置連接導(dǎo)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT顯示器件，其特征在于，所述過孔穿過所述第一氮化硅薄膜和所述第二氮化硅薄膜，與所述第一金屬層和/或所述第二金屬層接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT顯示器件，其特征在于，所述ITO 導(dǎo)電薄膜涂覆在所述第二氮化硅薄膜上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT顯示器件，其特征在于，所述第一金屬層斷開時，所述過孔位置的所述ITO導(dǎo)電薄膜與所述第一金屬層接觸，使所述第一金屬層的斷開位置通過所述ITO導(dǎo)電薄膜連接導(dǎo)通。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT顯示器件，其特征在于，所述第二金屬層斷開時，所述過孔位置的所述ITO導(dǎo)電薄膜與第二金屬層接觸，使所述第二金屬層的斷開位置通過所述ITO導(dǎo)電薄膜連接導(dǎo)通。
6.一種TFT顯示器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括: 在第一金屬層上沉積第一氮化硅薄膜； 在所述第一氮化硅薄膜上沉積第二金屬層，并經(jīng)過刻蝕形成圖案，所述第二金屬層上沉積有第二氮化硅薄膜； 在所述第二金屬層與所述第一金屬層重疊區(qū)域，所述第一金屬層和/或所述第二金屬層斷開，在所述斷開位置使用過孔刻蝕掉所述第一氮化硅薄膜和所述第二氮化硅薄膜，并沉積ITO導(dǎo)電薄膜以使所述斷開位置連接導(dǎo)通。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述過孔穿過所述第一氮化硅薄膜和所述第二氮化硅薄膜，與所述第一金屬層和/或所述第二金屬層接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述ITO導(dǎo)電薄膜涂覆在所述第二氮化硅薄膜上。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層斷開時，所述過孔位置的所述ITO導(dǎo)電薄膜與所述第一金屬層接觸，使所述第一金屬層的斷開位置通過所述ITO導(dǎo)電薄膜連接導(dǎo)通。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第二金屬層斷開時，所述過孔位置的所述ITO導(dǎo)電薄膜與第二金屬層接觸，使所述第二金屬層的斷開位置通過所述ITO導(dǎo)電薄膜連接導(dǎo)通。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種TFT顯示器件及其制作方法，TFT顯示器件包括：第一金屬層，在第一金屬層上沉積第一氮化硅薄膜；第二金屬層，沉積在第一氮化硅薄膜上，經(jīng)過刻蝕形成圖案，第二金屬層上沉積有第二氮化硅薄膜；過孔，在第二金屬層與第一金屬層重疊區(qū)域，第一金屬層和/或第二金屬層斷開，在斷開位置使用過孔刻蝕掉第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，并沉積ITO導(dǎo)電薄膜以使斷開位置連接導(dǎo)通。通過上述方式，本發(fā)明能夠降低ESD對TFT顯示器件的擊傷，提高產(chǎn)品良率，提升產(chǎn)品競爭力。
【IPC分類】H01L21-77, H01L27-02, H01L27-12
【公開號】CN104867924
【申請?zhí)枴緾N201510227667
【發(fā)明人】謝克成, 洪日
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年5月6日