。該SOI基板在硅基板上依次層疊形成有厚度約為3 μπι的氧化硅層和厚度約為300nm的硅層，該氧化硅層為下部包層。波長選擇反射元件50的形成方法在SOI基板的硅層上涂覆光致抗蝕劑，利用曝光裝置進(jìn)行曝光、顯影，從而形成未圖示的抗蝕劑圖案。該抗蝕劑圖案在形成有第一光導(dǎo)波路51、環(huán)諧振器52、第二光導(dǎo)波路53以及波長選擇反射鏡54的區(qū)域上形成。之后，通過RIE等干式蝕刻將未形成抗蝕劑圖案的區(qū)域的硅層除去一部分或者全部。由此，由硅形成作為第一光導(dǎo)波路51、環(huán)諧振器52、第二光導(dǎo)波路53以及波長選擇反射鏡54的光導(dǎo)波路。
[0054]在本實(shí)施方式中，成為第一光導(dǎo)波路51、環(huán)諧振器52、第二光導(dǎo)波路53以及DBR導(dǎo)波路54的光導(dǎo)波路由脊形導(dǎo)波路形成。該脊形導(dǎo)波路在寬度約為500nm且厚度約為300 μπι的核心區(qū)域的周圍形成有厚度約為50nm的平板區(qū)域。之后，在由硅形成的光導(dǎo)波路上通過使厚度約為2 μπι的氧化硅層成膜，來形成上部包層。由此，能夠形成波長選擇反射元件50。此外，作為第一光導(dǎo)波路51、環(huán)諧振器52、第二光導(dǎo)波路53以及DBR導(dǎo)波路54的光導(dǎo)波路除了脊形導(dǎo)波路以外，也可以是不形成有平板區(qū)域而僅形成芯區(qū)域的構(gòu)造的所謂的溝道導(dǎo)波路。
[0055]此外，在本實(shí)施方式中，環(huán)諧振器52形成為半徑8 μπι，第一光導(dǎo)波路51與環(huán)諧振器52的間隙Gl以及第二光導(dǎo)波路53與環(huán)諧振器52的間隙G2均形成為約300nm。另外，DBR導(dǎo)波路54通過在第二光導(dǎo)波路53的長度約為500 μ m的區(qū)域中，在光導(dǎo)波路的側(cè)壁形成長度約為3 μπι并且間距約為300nm的側(cè)面衍射光柵而形成。此外，使DBR導(dǎo)波路54的反射波長帶與光半導(dǎo)體元件10的DBR導(dǎo)波路的反射波長帶一致，使環(huán)諧振器的周期性的透過波長中的相同的波長反射。在本實(shí)施方式中，波長選擇反射元件50形成為，在第一光導(dǎo)波路51以及第二光導(dǎo)波路53中的端面相對于端面法線約傾斜15°，并且，形成為前端部分的寬度變窄的錐形狀。
[0056]另外，在本實(shí)施方式中，在進(jìn)行了光半導(dǎo)體元件10中的第一增益導(dǎo)波路11的入射出射端Ila與波長選擇反射元件50中的第一光導(dǎo)波路51的入射出射端51a的位置對準(zhǔn)之后，固定光半導(dǎo)體元件10與波長選擇反射元件50。具體而言，光半導(dǎo)體元件10和波長選擇反射元件50通過在進(jìn)行了對準(zhǔn)的光半導(dǎo)體元件10與波長選擇反射元件50之間填充未圖示的折射率整合用的樹脂材料來固定。由此，能夠制成本實(shí)施方式中的激光裝置。
[0057]在本實(shí)施方式中的激光裝置中，在第一增益導(dǎo)波路11以及諧振器中使諧振波長的激光振蕩，在第二增益導(dǎo)波路12中使振蕩的激光放大，所以激光的振蕩和放大的功能分離。因此，通過固定流過第一增益導(dǎo)波路11的電流量，并增加流過第二增益導(dǎo)波路12的電流量，能夠增加射出的激光的強(qiáng)度，而不使激光的振蕩波長發(fā)生位移。
[0058][第二實(shí)施方式]
[0059]接下來，對第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式是光調(diào)制裝置，如圖10所示，是在第一實(shí)施方式中激光裝置中的激光被射出的光半導(dǎo)體元件12a的端面?zhèn)仍O(shè)置有環(huán)輔助光調(diào)制器160而成的構(gòu)造。具體而言，波長選擇反射元件50和環(huán)輔助光調(diào)制器160形成在同一硅基板170上，在硅基板170中，在波長選擇反射元件50與環(huán)輔助光調(diào)制器160之間形成有槽部171。本實(shí)施方式在該槽部171設(shè)置有第一實(shí)施方式中的光半導(dǎo)體元件10。
[0060]在本實(shí)施方式中，光半導(dǎo)體元件10和波長選擇反射元件50進(jìn)行了光半導(dǎo)體元件10的第一增益導(dǎo)波路11的入射出射端Ila與波長選擇反射元件50的第一光導(dǎo)波路51中的入射出射端51a的位置對準(zhǔn)。另外，光半導(dǎo)體元件10和環(huán)輔助光調(diào)制器160進(jìn)行了光半導(dǎo)體元件10的第二增益導(dǎo)波路12的出射端12a與環(huán)輔助光調(diào)制器160中的光導(dǎo)波路165的入射端165a的位置對準(zhǔn)。這樣，光半導(dǎo)體元件10以進(jìn)行了與波長選擇反射元件50以及環(huán)輔助光調(diào)制器160的位置對準(zhǔn)的狀態(tài)，設(shè)置于硅基板170。
[0061]環(huán)輔助光調(diào)制器160具有第一調(diào)制光導(dǎo)波路161和第二調(diào)制光導(dǎo)波路162。第一調(diào)制光導(dǎo)波路161和第二調(diào)制光導(dǎo)波路162在光的入射側(cè)中通過光導(dǎo)波路165連接，在光的出射側(cè)中通過光導(dǎo)波路166連接。另外，在第一調(diào)制光導(dǎo)波路161的側(cè)部附近設(shè)置有多個環(huán)諧振器163，在第二調(diào)制光導(dǎo)波路162的側(cè)部附近設(shè)置有多個環(huán)諧振器164。
[0062]從光半導(dǎo)體元件10的第二增益導(dǎo)波路12的出射端12a射出的激光束從環(huán)輔助光調(diào)制器160中的光導(dǎo)波路165的入射端165a入射，并在光導(dǎo)波路165中傳播。之后，該激光束被分支為在第一調(diào)制光導(dǎo)波路161中傳播的激光束和在第二調(diào)制光導(dǎo)波路162中傳播的激光束。在環(huán)輔助光調(diào)制器160中，能夠通過對第一調(diào)制光導(dǎo)波路161或者第二調(diào)制光導(dǎo)波路162施加電壓等，來分別對要傳播的激光束的相位進(jìn)行調(diào)制。之后，在第一調(diào)制光導(dǎo)波路161中傳播的激光束和在第二調(diào)制光導(dǎo)波路162中傳播的激光束在光導(dǎo)波路166中耦合，從光導(dǎo)波路166的出射端166a射出。這樣，從光導(dǎo)波路166的出射端166a射出的激光束是耦合了在第一調(diào)制光導(dǎo)波路161或者第二調(diào)制光導(dǎo)波路162中相位被調(diào)制后的激光束而成的激光束，所以作為根據(jù)2個調(diào)制光導(dǎo)波路161、162之間的相位差光強(qiáng)度被調(diào)制后的調(diào)制信號光射出。
[0063]另外，在本實(shí)施方式中，波長選擇反射元件50中的環(huán)諧振器52和環(huán)輔助光調(diào)制器160中的環(huán)諧振器163以及環(huán)諧振器164形成為相同形狀。通過這樣以相同形狀形成，能夠使波長選擇反射元件50中的環(huán)諧振器52的諧振波長與環(huán)輔助光調(diào)制器160中的動作波長一致，能夠使激光的振蕩波長與調(diào)制器的動作波長一致，而不受溫度變化等影響。另外，與第一實(shí)施方式相同地，即使在通過用比較低的值固定半導(dǎo)體元件10的第一增益導(dǎo)波路Ila的電流值，并使第二增益導(dǎo)波路的電流值增加，來使半導(dǎo)體元件10的12a端面?zhèn)鹊墓廨敵鲈黾拥那闆r下，也能夠抑制波長選擇反射元件50的環(huán)諧振器52的透過中心波長的位移，以免引起激光振蕩波長的變化發(fā)生。其結(jié)果，能夠使激光強(qiáng)度增加，而調(diào)制器的動作波長和激光的振蕩波長不會發(fā)生偏移。
[0064]另外，環(huán)輔助光調(diào)制器160中的第一調(diào)制器光導(dǎo)波路161、第二調(diào)制器光導(dǎo)波路162、光導(dǎo)波路165以及166、多個環(huán)諧振器163以及164用與波長選擇反射元件50中的第一光導(dǎo)波路51等相同的構(gòu)造形成。因此，環(huán)輔助光調(diào)制器160中的第一調(diào)制器光導(dǎo)波路161、第二調(diào)制器光導(dǎo)波路162、光導(dǎo)波路165以及166、多個環(huán)諧振器163以及164能夠與波長選擇反射元件50中的第一光導(dǎo)波路51等同時形成。
[0065]另外，在上述內(nèi)容中，對以第一光導(dǎo)波路51等光導(dǎo)波路的上表面為上側(cè)的方式在硅基板170設(shè)置有光半導(dǎo)體元件10的情況進(jìn)行了說明，但也可以是以這些光導(dǎo)波路的上表面為下側(cè)的方式倒置安裝的構(gòu)造。在該情況下，光導(dǎo)波路的位置能夠根據(jù)上部包層部從光導(dǎo)波路的芯部的外延生長的厚度而精密地控制，例如，能夠通過被動對準(zhǔn)穩(wěn)定地進(jìn)行第一光導(dǎo)波路51等和光半導(dǎo)體元件10的光耦合。
[0066][第三實(shí)施方式]
[0067]接下來，對第三實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式是光調(diào)制裝置，如圖11所示，光半導(dǎo)體元件210中的第一增益導(dǎo)波路11的入射出射端Ila以及第二增益導(dǎo)波路12的出射端12a均設(shè)置于同一個光半導(dǎo)體元件210的一個面?zhèn)取Ｒ虼?，在本?shí)施方式中，如圖11所示，第二增益導(dǎo)波路12曲線形成，為U字狀。此外，在本實(shí)施方式中，在光半導(dǎo)體元件210的一個面形成有防反射膜214。
[0068]另外，波長選擇反射元件50和環(huán)輔助光調(diào)制器160形成在同一個硅基板270上。因此，波長選擇反射元件50的第一光導(dǎo)波路51的入射出射端51a和環(huán)輔助光調(diào)制器160中的光導(dǎo)波路165的入射端165a形成于娃基板270中同一側(cè)的面。由此，光半導(dǎo)體元件210與波長選擇反射元件50以及環(huán)輔助光調(diào)制器160的位置對準(zhǔn)變得容易。即，第一增益導(dǎo)波路11與第一光導(dǎo)波路51的光學(xué)對準(zhǔn)以及第二增益導(dǎo)波路12與光導(dǎo)波路165的光學(xué)對準(zhǔn)一次即可。因此，在本實(shí)施方式中，能夠縮短制造工序，能夠用低成本制造光調(diào)制裝置。另夕卜，波長選擇反射元件50以及環(huán)輔助光調(diào)制器160相對于光半導(dǎo)體元件210形成于相同的面?zhèn)?，所以也無需形成槽等，能夠使光調(diào)制裝置小型化。并且，環(huán)諧振器52和環(huán)諧振器163以及164能夠在更近的位置形成，所以能夠進(jìn)一步減少由于溫度變化而導(dǎo)致的波長位移的影響。
[0069]另外，在上述內(nèi)容中，對光半導(dǎo)體元件210中的第二增益導(dǎo)波路12形成為U字狀的構(gòu)造進(jìn)行了說明。然而，本實(shí)施方式也可以是通過在光半導(dǎo)體元件的端面附近配置反射型的2X2多模式干擾導(dǎo)波路來在光半導(dǎo)體元件的內(nèi)部使光折返的構(gòu)造。在該情況下，無需彎曲第二增益導(dǎo)波路12，所以能夠進(jìn)一步使光半導(dǎo)體元件210小型化。
[0070]此外，上述以外的內(nèi)容與第二實(shí)施方式相同。
[0071][第四實(shí)施方式]
[0072]接下來，對第四實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式是激光裝置，