如圖12所示，不是在波長選擇反射元件350設(shè)置如第一實施方式的DBR導(dǎo)波路54的構(gòu)造，而是設(shè)置波長依賴性極少的環(huán)形鏡355的構(gòu)造。由于環(huán)形鏡355不形成端面等而形成環(huán)狀的光導(dǎo)波路，從而具有能夠不管波長如何均形成具有高反射率的反射鏡這樣的特征，有望作為應(yīng)用于使用了假定高密度集成的硅導(dǎo)波路的元件的反射鏡。因此，在本實施方式中的激光裝置中，波長選擇反射元件350的環(huán)諧振器52中的周期性的透過波長中，在半導(dǎo)體元件10的DBR導(dǎo)波路13中選擇出的波長為諧振波長。
[0073]圖13是表示在第一實施方式等中的波長選擇反射元件50中，由硅形成的DBR導(dǎo)波路54中的光導(dǎo)波路的寬度與布拉格波長的關(guān)系的圖。另外，圖14是表示在光半導(dǎo)體元件10中由化合物半導(dǎo)體形成的DBR導(dǎo)波路13中的光導(dǎo)波路的寬度與布拉格波長的關(guān)系的圖。如圖13以及圖14所示，對于布拉格波長相對于光導(dǎo)波路寬度的依賴性，圖13所示的形成于波長選擇反射元件50的DBR導(dǎo)波路54比圖14所示的形成于光半導(dǎo)體元件10的DBR導(dǎo)波路13大。即，對于布拉格波長中光導(dǎo)波路寬度的依賴性，圖13所示的形成于波長選擇反射元件50的DBR導(dǎo)波路54比圖14所示的形成于光半導(dǎo)體元件10的DBR導(dǎo)波路13大。因此，在DBR導(dǎo)波路54等中，在由于制造誤差等而光導(dǎo)波路的寬度不同地形成的情況下，存在選擇出的波長對于所希望的波長偏移較大的情況。然而，在本實施方式中，通過將選擇環(huán)諧振器的諧振波長中的一個的功能不設(shè)置在波長選擇反射元件350的內(nèi)部的環(huán)形鏡355，而設(shè)置在半導(dǎo)體元件10的DBR導(dǎo)波路13，從而能夠使諧振波長更嚴(yán)格地成為所希望的值，所以能夠進(jìn)一步提高激光的振蕩波長的均勻性。
[0074]此外，上述以外的內(nèi)容與第一實施方式相同。另外，本實施方式中的激光裝置在第二實施方式以及第三實施方式中的光調(diào)制裝置中，能夠與第一實施方式中的激光裝置相同地使用。
[0075]以上，對實施方式進(jìn)行了詳述，但并不局限于特定的實施方式，能夠在權(quán)利要求書所述的范圍內(nèi)，進(jìn)行各種的變形以及變更。
[0076]附圖標(biāo)記說明
[0077]10...光半導(dǎo)體元件；11...第一增益導(dǎo)波路；lla...入射出射端；12...第二增益導(dǎo)波路；12a...出射端；13...DBR導(dǎo)波路；14...防反射膜；15...防反射膜；20...η -1nP基板;21...η -1nP鍍層;22...MQff活性層;23...ρ — InP鍍層;24...光導(dǎo)波路芯層；25...衍射光柵；26...下部電極；27...第一上部電極；28...第二上部電極；29...S1-1nP層；50...波長選擇反射元件；51...第一光導(dǎo)波路；51a...入射出射端；52...環(huán)諧振器；53...第三光導(dǎo)波路；54...波長選擇反射鏡(DBR導(dǎo)波路)；70...硅基板；160...環(huán)輔助光調(diào)制器；161...第一調(diào)制器光導(dǎo)波路；162...第二調(diào)制器光導(dǎo)波路；163...環(huán)諧振器；164...環(huán)諧振器；165...光導(dǎo)波路；165a...入射端；166...光導(dǎo)波路；166a...出射端；170...硅基板。
【主權(quán)項】
1.一種激光裝置，具有由化合物半導(dǎo)體材料形成的光半導(dǎo)體元件和包括光導(dǎo)波路的波長選擇反射元件，其特征在于， 所述光半導(dǎo)體元件具有: 第一增益導(dǎo)波路； 第二增益導(dǎo)波路； DBR導(dǎo)波路，其形成于所述第一增益導(dǎo)波路與所述第二增益導(dǎo)波路之間； 第一電極，其使電流流過所述第一增益導(dǎo)波路；以及 第二電極，其使電流流過所述第二增益導(dǎo)波路，并且 所述光半導(dǎo)體元件在與所述第二增益導(dǎo)波路連接的元件端面形成有防反射膜， 所述波長選擇反射元件中的所述光導(dǎo)波路反射入射的光中規(guī)定波長的光， 所述光半導(dǎo)體元件具有激光諧振器，所述第一增益導(dǎo)波路和所述波長選擇反射元件被光學(xué)耦合，所述激光諧振器以所述第一增益導(dǎo)波路作為增益介質(zhì)，由所述DBR導(dǎo)波路和所述波長選擇反射元件形成。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光裝置，其特征在于， 在所述光半導(dǎo)體元件中的與所述第一增益導(dǎo)波路連接的端面也形成有防反射膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的激光裝置，其特征在于， 在與所述波長選擇反射元件同一個基板上，還配置有與所述光半導(dǎo)體元件的第二增益導(dǎo)波路光學(xué)連接的光導(dǎo)波路。4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項所述的激光裝置，其特征在于， 所述第一增益導(dǎo)波路、所述第二增益導(dǎo)波路以及所述DBR導(dǎo)波路由包括InP的材料形成。5.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項所述的激光裝置，其特征在于， 所述第一增益導(dǎo)波路、所述第二增益導(dǎo)波路以及所述DBR導(dǎo)波路的芯層由包括InGaAsP的材料形成。6.根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項所述的激光裝置，其特征在于， 形成所述DBR導(dǎo)波路的芯層的化合物半導(dǎo)體材料中的帶隙波長比形成所述第一增益導(dǎo)波路以及所述第二增益導(dǎo)波路的芯層的化合物半導(dǎo)體材料中的帶隙波長短。7.根據(jù)權(quán)利要求1?6中任一項所述的激光裝置，其特征在于， 所述第一增益導(dǎo)波路、所述第二增益導(dǎo)波路以及所述DBR導(dǎo)波路形成在由第一導(dǎo)電型的包括InP的化合物半導(dǎo)體材料形成的下部包層上， 在所述第一增益導(dǎo)波路、所述第二增益導(dǎo)波路以及所述DBR導(dǎo)波路上，形成有由第二導(dǎo)電型的包括InP的化合物半導(dǎo)體材料形成的上部包層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的激光裝置，其特征在于， 在形成有所述DBR導(dǎo)波路的區(qū)域中，在所述下部包層形成有衍射光柵。9.根據(jù)權(quán)利要求1?8中任一項所述的激光裝置，其特征在于， 使流過所述第一增益導(dǎo)波路的電流固定，并使流過所述第二增益導(dǎo)波路的電流變化，由此來使從所述第二增益導(dǎo)波路的端面射出的激光束的強(qiáng)度發(fā)生變化。10.根據(jù)權(quán)利要求1?9中任一項所述的激光裝置，其特征在于， 與所述第一增益導(dǎo)波路連接的端面形成于所述光半導(dǎo)體元件的一個面， 與所述第二增益導(dǎo)波路連接的端面形成于所述光半導(dǎo)體元件的與所述一個面相反的另一個面。11.根據(jù)權(quán)利要求1?9中任一項所述的激光裝置，其特征在于， 與所述第一增益導(dǎo)波路連接的端面以及與所述第二增益導(dǎo)波路連接的端面形成于所述光半導(dǎo)體元件中同一側(cè)的面。12.根據(jù)權(quán)利要求1?11中任一項所述的激光裝置，其特征在于， 所述波長選擇反射元件具有: 第一光導(dǎo)波路； 第二光導(dǎo)波路； 環(huán)諧振器，其在所述第一光導(dǎo)波路與所述第二光導(dǎo)波路之間由光導(dǎo)波路形成，以及 反射鏡，其形成于所述第二光導(dǎo)波路的一部分。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的激光裝置，其特征在于， 所述反射鏡通過使光導(dǎo)波路的寬度周期性地變化而形成。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的激光裝置，其特征在于， 所述反射鏡是環(huán)形鏡。15.根據(jù)權(quán)利要求1?14中任一項所述的激光裝置，其特征在于， 所述光導(dǎo)波路是Si光導(dǎo)波路。16.一種光調(diào)制裝置，其特征在于，具有: 權(quán)利要求1?15中任一項所述的激光裝置；以及 光調(diào)制器， 從所述第二增益導(dǎo)波路的端面射出的激光束是從所述光調(diào)制器中的光導(dǎo)波路的端面入射，在所述光調(diào)制器中被調(diào)制后，從所述光調(diào)制器的光導(dǎo)波路的端面射出的激光束。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光調(diào)制裝置，其特征在于， 在所述光調(diào)制器的至少一部分形成有環(huán)諧振器。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光調(diào)制裝置，其特征在于， 所述波長選擇反射元件的環(huán)諧振器是與形成于所述光調(diào)制器的環(huán)諧振器具有相同周圍長度的構(gòu)造。19.根據(jù)權(quán)利要求16?18中任一項所述的光調(diào)制裝置，其特征在于， 所述波長選擇反射元件和所述光調(diào)制器形成于同一基板。20.一種光半導(dǎo)體元件，其特征在于，具有: 第一增益導(dǎo)波路，其由化合物半導(dǎo)體材料形成； 第二增益導(dǎo)波路，其由化合物半導(dǎo)體材料形成； DBR導(dǎo)波路，其在所述第一增益導(dǎo)波路與所述第二增益導(dǎo)波路之間由化合物半導(dǎo)體材料形成； 第一電極，其使電流流過所述第一增益導(dǎo)波路；以及 第二電極，其使電流流過所述第二增益導(dǎo)波路，并且 與所述第一增益導(dǎo)波路連接的端面和與所述第二增益導(dǎo)波路連接的端面均形成有無反射膜。
【專利摘要】本發(fā)明涉及激光裝置、光調(diào)制裝置以及光半導(dǎo)體元件。具有由化合物半導(dǎo)體材料形成的光半導(dǎo)體元件和包括光導(dǎo)波路的波長選擇反射元件的激光裝置的特征在于，上述光半導(dǎo)體元件具有：第一增益導(dǎo)波路；第二增益導(dǎo)波路；DBR導(dǎo)波路，其形成于上述第一增益導(dǎo)波路與上述第二增益導(dǎo)波路之間；第一電極，其使電流流過上述第一增益導(dǎo)波路；以及第二電極，其使電流流過上述第二增益導(dǎo)波路，并且，在連接有上述第二增益導(dǎo)波路的元件端面形成有防反射膜，上述波長選擇反射元件中的上述光導(dǎo)波路反射入射的光中規(guī)定波長的光，具有激光諧振器，其中，上述第一增益導(dǎo)波路和上述波長選擇反射元件光學(xué)耦合，將上述第一增益導(dǎo)波路作為增益介質(zhì)，由上述DBR導(dǎo)波路和上述波長選擇反射元件形成。
【IPC分類】H01S5/14
【公開號】CN104937791
【申請?zhí)枴緾N201380070494
【發(fā)明人】高林和雅
【申請人】富士通株式會社
【公開日】2015年9月23日
【申請日】2013年1月28日
【公告號】US20150288148, WO2014115330A1