有機(jī)電致發(fā)光元件及電子器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光元件及具備該有機(jī)電致發(fā)光元件的電子器件。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光元件（以下，也稱為有機(jī)EL元件）具有用陽(yáng)極和陰極夾持含有進(jìn)行 發(fā)光的化合物的發(fā)光層的構(gòu)成。而且，是利用通過(guò)施加電場(chǎng)而使從陽(yáng)極注入的空穴和從陰 極注入的電子在發(fā)光層內(nèi)復(fù)合而生成激子（exciton)、該激子失活時(shí)的光的放出（熒光?磷 光）的發(fā)光元件。有機(jī)EL元件是由電極和電極之間厚度為僅僅亞微米左右的有機(jī)材料的 膜構(gòu)成的全固體元件，且其發(fā)光可以在數(shù)V~數(shù)十V左右的電壓下發(fā)光。因此，期待向下代 的平板顯示器或照明的利用。
[0003] 作為有機(jī)EL元件，例如，提案有將發(fā)出紅、綠、藍(lán)等的不同顏色的發(fā)光層進(jìn)行層疊 而構(gòu)成白色發(fā)光元件。（例如，參照專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2、專利文獻(xiàn)3)。
[0004] 但是，在這樣的構(gòu)成的有機(jī)EL元件中，原理上每個(gè)發(fā)光色的發(fā)光波長(zhǎng)不同，每個(gè) 發(fā)光色的發(fā)光能量不同。因此，在發(fā)光的同時(shí)引起的有機(jī)材料分解和伴隨該有機(jī)材料分解 的元件的劣化速度不同。
[0005] 因此，在組合不同的發(fā)光色的構(gòu)成的有機(jī)EL元件中，原理上隨著時(shí)間經(jīng)過(guò)而引起 色偏移。特別是能量高的藍(lán)色光與綠色光或紅色光相比，壽命易于變短。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)
[0008] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開(kāi)2008-218320號(hào)公報(bào)
[0009] 專利文獻(xiàn)2 :日本特開(kāi)2007-173584號(hào)公報(bào)
[0010] 專利文獻(xiàn)3 :日本特開(kāi)2003-151769號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 發(fā)明所要解決的課題
[0012] 在組合不同的發(fā)光色的構(gòu)成的有機(jī)EL元件中，原理上每個(gè)發(fā)光色的發(fā)光波長(zhǎng)不 同，即發(fā)光能量不同，因此在發(fā)光的同時(shí)引起的有機(jī)材料分解和伴隨該有機(jī)材料分解的元 件的劣化速度不同。
[0013] 這樣，在組合不同的發(fā)光色的構(gòu)成的有機(jī)EL元件中，原理上隨著時(shí)間經(jīng)過(guò)而引起 色偏移。而且，有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光色的色調(diào)隨著時(shí)間經(jīng)過(guò)而從初始的色調(diào)發(fā)生變化。 其結(jié)果，有機(jī)電致發(fā)光元件的顯示質(zhì)量由于時(shí)間經(jīng)過(guò)而降低。
[0014] 為了解決上述的問(wèn)題，在本發(fā)明中，提供可以抑制顯示質(zhì)量降低的有機(jī)電致發(fā)光 元件及電子器件。
[0015] 用于解決課題的手段
[0016] 本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件具備陽(yáng)極、陰極、介于陽(yáng)極和陰極之間的第1發(fā)光層 及第2發(fā)光層。而且，在第1發(fā)光層和在陽(yáng)極側(cè)與第1發(fā)光層接觸的層中，與第1發(fā)光層接 觸的層滿足：與第1發(fā)光層相比，LUMO(LowestUnoccupiedMolecularOrbital)淺、且最 低激發(fā)三重態(tài)能量（T1)高的關(guān)系。進(jìn)而，在第2發(fā)光層和在陽(yáng)極側(cè)與第2發(fā)光層接觸的層 中，與第2發(fā)光層接觸的層滿足：與第2發(fā)光層相比，LUMO(LowestUnoccupiedMolecular Orbital)深及最低激發(fā)三重態(tài)能量（T1)低的至少任一者。
[0017] 另外，本發(fā)明的電子器件具備上述有機(jī)電致發(fā)光元件。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件，與一者的發(fā)光層的陽(yáng)極側(cè)接觸地形成與該發(fā)光 層相比LUM0淺且T1高的層。而且，與另一者的發(fā)光層的陽(yáng)極側(cè)接觸地形成滿足與該發(fā)光 層相比LUM0深及T1低的至少任一者的層。
[0019] 根據(jù)該構(gòu)成，可以抑制LUM0淺且T1高的層接觸的發(fā)光層的亮度降低，并且促進(jìn)滿 足LUM0深及T1低的至少任一者的層接觸的發(fā)光層的亮度降低。
[0020] 因此，可以調(diào)整由于驅(qū)動(dòng)時(shí)間的經(jīng)過(guò)而產(chǎn)生的各發(fā)光層的亮度降低的差、抑制有 機(jī)電致發(fā)光元件的色調(diào)的變化。因此，可以抑制有機(jī)電致發(fā)光元件及具備該有機(jī)電致發(fā)光 元件的電子器件的顯示質(zhì)量的降低。
[0021] 發(fā)明的效果
[0022] 根據(jù)本發(fā)明，可提供可以抑制顯示質(zhì)量的降低的有機(jī)電致發(fā)光元件及電子器件。
【附圖說(shuō)明】
[0023] 圖1是表示第1實(shí)施方式的有機(jī)EL元件的構(gòu)成的圖；
[0024] 圖2是表示第1實(shí)施方式的有機(jī)EL元件的第1發(fā)光層和第1空穴傳輸層的界面 附近的圖。
[0025] 圖3是表示第1實(shí)施方式的有機(jī)EL元件的第2發(fā)光層和第2空穴傳輸層的界面 附近的圖。
[0026] 圖4是表示第2實(shí)施方式的有機(jī)EL元件的構(gòu)成的圖。
[0027] 圖5是表示第3實(shí)施方式的有機(jī)EL元件的構(gòu)成的圖。
[0028] 圖6是表示第4實(shí)施方式的有機(jī)EL元件的構(gòu)成的圖。
[0029]圖7是表示實(shí)施例的試樣101的有機(jī)EL元件中的、紅藍(lán)綠的各單波長(zhǎng)的衰減的情 形的圖。
[0030]圖8是表示實(shí)施例的試樣102的有機(jī)EL元件中的、紅藍(lán)綠的各單波長(zhǎng)的衰減的情 形的圖。
[0031]圖9是表示實(shí)施例的試樣101的有機(jī)EL元件中的、色度坐標(biāo)x、y的變化的情形的 圖。
[0032]圖10是表示實(shí)施例的試樣102的有機(jī)EL元件中的、色度坐標(biāo)x、y的變化的情形 的圖。
[0033] 符號(hào)的說(shuō)明
[0034] 10、30、40、50有機(jī)EL元件，11、51第1發(fā)光單元，12、61第2發(fā)光單元，13、52第1 空穴傳輸層，13A電子阻擋層，14、33、43、53第1發(fā)光層，14A、17A發(fā)光區(qū)域，15、54第1電子 傳輸層，16、62第2空穴傳輸層，17、34、45、63第2發(fā)光層，18、64第2電子傳輸層，19中間 連接層，21、36、47、75陽(yáng)極，22、37、48、76陰極，23、38、49、77基板，31、41發(fā)光單元，32空穴 傳輸層，35電子傳輸層，42第1有機(jī)層，44第2有機(jī)層，46第3有機(jī)層，55第1中間連接層， 65第2中間連接層，71第3發(fā)光單元，72第3空穴傳輸層，73第3發(fā)光層，74第3電子傳輸 層
【具體實(shí)施方式】
[0035] 以下，說(shuō)明用于實(shí)施本發(fā)明的方式的例子，但本發(fā)明不限定于以下的例子。
[0036] 予以說(shuō)明，說(shuō)明按照以下順序進(jìn)行。
[0037] 1.有機(jī)電致發(fā)光元件的實(shí)施方式（第1實(shí)施方式）
[0038] 2.有機(jī)電致發(fā)光元件的實(shí)施方式（第2實(shí)施方式）
[0039] 3.有機(jī)電致發(fā)光元件的實(shí)施方式（第3實(shí)施方式）
[0040]4.有機(jī)電致發(fā)光元件的實(shí)施方式（第4實(shí)施方式）
[0041] 5.電子器件的實(shí)施方式（第5實(shí)施方式）
[0042] 〈1.有機(jī)電致發(fā)光元件的實(shí)施方式（第1實(shí)施方式）〉
[0043] 以下，對(duì)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件（有機(jī)EL元件）的具體的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō) 明。圖1中表示第1實(shí)施方式的有機(jī)EL元件的構(gòu)成。
[0044][有機(jī)EL元件的構(gòu)成]
[0045] 圖1中所示的有機(jī)EL元件10具備：陽(yáng)極21、第1發(fā)光單元11、中間連接層19、第 2發(fā)光單元12及陰極22。而且，這些各層設(shè)于基板23上。
[0046] 有機(jī)EL元件10中，在基板23上形成有陽(yáng)極21，在該陽(yáng)極21上形成有第1發(fā)光 單元11。進(jìn)而，在第1發(fā)光單元11上形成有中間連接層19,在中間連接層19上形成有第 2發(fā)光單元12。進(jìn)而，在第2發(fā)光單元12上形成有陰極22。
[0047] 上述有機(jī)EL元件10具有將陽(yáng)極21通過(guò)透明電極而構(gòu)成、使陰極22作為反射電 極而發(fā)揮功能的構(gòu)成，是從基板23側(cè)取出光的所謂的底部發(fā)光型的構(gòu)成。另外，是經(jīng)由中 間連接層19而層疊了第1發(fā)光單元11和第2發(fā)光單元12的所謂的串聯(lián)型的構(gòu)成。
[0048] 第1發(fā)光單元11是從陽(yáng)極21側(cè)依次層疊形成了第1空穴傳輸層13、第1發(fā)光層 14及第1電子傳輸層15的構(gòu)成。
[0049] 第2發(fā)光單元12是從陽(yáng)極21側(cè)（中間連接層19側(cè)）依次層疊形成了第2空穴 傳輸層16、第2發(fā)光層17及第2電子傳輸層18的構(gòu)成。
[0050] 第1空穴傳輸層13及第2空穴傳輸層16是具有傳輸空穴的功能的層，廣義上也 包括空穴注入層及電子阻擋層等。另外，第1電子傳輸層15及第2電子傳輸層18是具有 傳輸電子的功能的層，廣義上也包括電子注入層及空穴阻擋層等。
[0051] 另外，有機(jī)EL元件10是在第1發(fā)光層14及第2發(fā)光層17中至少含有發(fā)光性的 有機(jī)材料、例如作為發(fā)光性的有機(jī)材料具有藍(lán)（B)、綠（G)及紅（R)的各色的發(fā)光摻雜劑的 白色發(fā)光元件。
[0052] 為了提高有機(jī)EL元件10的發(fā)光效率，優(yōu)選在光取出側(cè)設(shè)置發(fā)出短波長(zhǎng)的光的發(fā) 光層。因此，在圖1中所示的有機(jī)EL元件10中，優(yōu)選在第1發(fā)光層14中含有發(fā)出短波長(zhǎng) 的藍(lán)的發(fā)光摻雜劑。而且，優(yōu)選在第2發(fā)光層17中含有綠（G)及紅（R)的發(fā)光摻雜劑。
[0053] 因此，在圖1中所示的有機(jī)EL元件10中，第1發(fā)光層14為含有藍(lán)色發(fā)光摻雜劑 的藍(lán)色發(fā)光層，第2發(fā)光層17為含有綠色發(fā)光摻雜劑及紅色發(fā)光摻雜劑的綠色及紅色（黃 色）發(fā)光層。
[0054][本實(shí)施方式的概要]
[0055] -般在有機(jī)EL元件中，越是短波長(zhǎng)的發(fā)光，發(fā)光能量越大。而且，由于發(fā)光能量 大，因此發(fā)出短波長(zhǎng)的光（藍(lán)色）的發(fā)光層與其它發(fā)光層相比，易于引起構(gòu)成發(fā)光層的化合 物本身的破壞。因此，發(fā)出短波長(zhǎng)的光（藍(lán)色）的發(fā)光層與發(fā)出長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)的光的發(fā)光層相 比，易于引起因驅(qū)動(dòng)時(shí)間的經(jīng)過(guò)所引起的亮度的降低。
[0056] 另外，不管波長(zhǎng)，因構(gòu)成發(fā)光層的材料驅(qū)動(dòng)時(shí)間的經(jīng)過(guò)所引起的亮度降低的速度 不同。
[0057] 這樣，將易于引起因驅(qū)動(dòng)時(shí)間的經(jīng)過(guò)所引起的亮度的降低的發(fā)光層作為一般亮度 降低大的發(fā)光層。另外，將易于引起因驅(qū)動(dòng)時(shí)間經(jīng)過(guò)所引起的亮度的降低的發(fā)光層作為一 般亮度降低小的發(fā)光層。
[0058] 予以說(shuō)明，所謂一般亮度降低大的發(fā)光層及一般亮度降低小的發(fā)光層，表示在相 同構(gòu)成的有機(jī)EL元件中僅變更發(fā)光層、在相同的條件下連續(xù)發(fā)光的情況下的各發(fā)光層的 亮度降低的大小。
[0059] 當(dāng)一般亮度降低大的發(fā)光層、例如短波長(zhǎng)側(cè)的發(fā)光層的亮度降低時(shí)，從有機(jī)EL元 件取出的光隨著驅(qū)動(dòng)時(shí)間的經(jīng)過(guò)而變化。例如，由最初的白色光形成來(lái)自綠色及紅色的發(fā) 光層的微黃色強(qiáng)的光，作為有機(jī)EL元件的白色光的質(zhì)量降低。
[0060] 因此，為了避免有機(jī)EL元件的因驅(qū)動(dòng)時(shí)間的經(jīng)過(guò)所引起的質(zhì)量的降低，需要調(diào)整 一般亮度降低大的發(fā)光層和一般亮度降低小的發(fā)光層的亮度降低的平衡以使得由最初的 白色光的平衡的偏差變少。例如，需要調(diào)整各色（紅綠及藍(lán)）的亮度降低的平衡。因此，例 如需要抑制一般亮度降低大的短波長(zhǎng)（藍(lán)）的發(fā)光層的亮度降低，或使一般亮度降低小的 長(zhǎng)波長(zhǎng)（綠、紅）的發(fā)光層的亮度與短波長(zhǎng)側(cè)一致地降低。
[0061] 在本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件10中，通過(guò)調(diào)整與第1發(fā)光層14及第2發(fā)光層17 接觸的層的LUMO(LowestUnoccupiedMolecularOrbital)及最低激發(fā)三重態(tài)能量（T1)， 可以取得各發(fā)光層的因驅(qū)動(dòng)時(shí)間所引起的亮度降低的平衡。
[0062] 具體而言，一般亮度降低大的發(fā)光層、例如發(fā)出短波長(zhǎng)側(cè)的光的第1發(fā)光層14 中，在與第1發(fā)光層14的陽(yáng)極21側(cè)接觸的層設(shè)置與第1發(fā)光層14相比LUM0(L〇west UnoccupiedMolecularOrbital)淺且最低激發(fā)三重態(tài)能量（T1)高的層。
[0063] 而且，一般亮度降低小的發(fā)光層、例如發(fā)出長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)的光的第2發(fā)光層17中， 在與第2發(fā)光層17的陽(yáng)極21側(cè)接觸的層設(shè)置滿足與第2發(fā)光層17相比LUM0(L〇west UnoccupiedMolecularOrbital)深及最低激發(fā)三重態(tài)能量（T1)低的至少任一者的層。
[0064] 通過(guò)在第1發(fā)光層14的陽(yáng)極21側(cè)接觸LUM0淺且T1高的層，可以抑制第1發(fā)光 層14的劣化。
[0065] 另外，通過(guò)在第2發(fā)光層17的陽(yáng)極21側(cè)接觸與第2發(fā)光層17相比LUM0深或T1 低的層，可以促進(jìn)第2發(fā)光層17的驅(qū)動(dòng)時(shí)間所引起的劣化。
[0066] 這樣，通過(guò)抑制第1發(fā)光層14的劣化、并且促進(jìn)第2發(fā)光層17的劣化，可以調(diào)整 第1發(fā)光層14和第2發(fā)光層17的亮度的平衡，可以抑制有機(jī)EL元件10的白色發(fā)光的質(zhì) 量的降低。
[0067][亮度調(diào)整]
[0068] 接著，對(duì)第1發(fā)光層14和第2發(fā)光層17的亮度的調(diào)整的機(jī)理進(jìn)行說(shuō)明。圖2中 表示第1發(fā)光層14和第1空穴傳輸層13的界面附近。圖3中表示第2發(fā)光層17和第2 空穴傳輸層16的界面附近。圖2及圖3表示對(duì)第1發(fā)光層14及第2發(fā)光層17施加了電 場(chǎng)時(shí)的發(fā)光的情形。
[0069] 第1空穴傳輸層13作為與第1發(fā)光層14相比LUMO淺且T1高的層而形成。因此， 如圖2中所示，第1空穴傳輸層13的與第1發(fā)光層14的界面的表面區(qū)域作為電子阻擋層 13A而發(fā)揮功能。由此，注入第1發(fā)光層14的電子向第1空穴傳輸層13的移動(dòng)被阻擋，易 于積存在第1發(fā)光層14。而且，如圖2中所示，第1發(fā)光層14中的發(fā)光區(qū)域14A從與第1 空穴傳輸層13的界面擴(kuò)展到第1發(fā)光層14的深的位置。
[0070] 另一方面，第2空穴傳輸層16作為與第2發(fā)光層17相比LUMO深的層、或者T1低 的層、或LUMO深且T1低的層而形成。
[0071] 這樣，作為第2空穴傳輸層16,形成滿足與第2發(fā)光層17相比LUMO深及T1低的 至少任一者的層，由此注入第2發(fā)光層17的電子易于向第2空穴傳輸層16移動(dòng)，難以積存 在第2發(fā)光層17。
[0072] 因此，如圖3中所示，第2發(fā)光層17中的發(fā)光區(qū)域17A，集中產(chǎn)生于第2發(fā)光層17 和第2空穴傳輸層16的界面附近的窄的區(qū)域。進(jìn)而，該發(fā)光區(qū)域17A產(chǎn)生于從第2發(fā)光層 17跨越到第2空穴傳輸層16的區(qū)域。
[0073] 如上述，通過(guò)調(diào)整形成于發(fā)光層的陽(yáng)極側(cè)的層的LUMO及T1，可以調(diào)整發(fā)光層中的 發(fā)光區(qū)域。一般而言，在發(fā)光層中，當(dāng)發(fā)光區(qū)域擴(kuò)大時(shí)，可以緩和發(fā)光能量的集中、抑制化合 物的崩潰。與之相對(duì)，當(dāng)縮小發(fā)光區(qū)域時(shí)，發(fā)光能量易于集中、在該集中了的區(qū)域中容易引 起化合物的崩潰。
[0074] 因此，在有機(jī)EL元件10中，通過(guò)與第1發(fā)光層14的陽(yáng)極21側(cè)接觸而設(shè)置與第1 發(fā)光層14相比LUMO淺且T1高的第1空穴傳輸層13,可擴(kuò)張發(fā)光區(qū)域14A、緩和發(fā)光能量 的集中。因此，可抑制構(gòu)成第1發(fā)光層14的化合物的崩潰。其結(jié)果，可以抑制第1發(fā)光層 14的驅(qū)動(dòng)時(shí)間的經(jīng)過(guò)所引起的亮度的降低。
[0075] 進(jìn)而，在有機(jī)EL元件10中，通過(guò)與第2發(fā)光層17的陽(yáng)極21側(cè)接觸而設(shè)置滿足與 第2發(fā)光層17相比LUMO深及T1低的至少任一者的第2空穴傳輸層16,發(fā)光區(qū)域17A被集 中在小的區(qū)域，在該小的發(fā)光區(qū)域17A中發(fā)光能量集中。其結(jié)果，構(gòu)成第2發(fā)光層17的化 合物易于崩潰，可以增大第2發(fā)光層17的驅(qū)動(dòng)時(shí)間的經(jīng)過(guò)所引起的亮度的降低。
[0076] 因此，通過(guò)使第1發(fā)光層14中含有發(fā)出一般亮度降低大的短波長(zhǎng)的光的化合物， 可以抑制短波長(zhǎng)的光的亮度降低。而且，通過(guò)使第2發(fā)光層17中含有發(fā)出一般亮度降低小 的長(zhǎng)波長(zhǎng)的光的化合物，可以促進(jìn)長(zhǎng)波長(zhǎng)的光的亮度降低。
[0077] 而且，在有機(jī)EL元件10中，通過(guò)如上述那樣構(gòu)成第1發(fā)光層14及第1空穴傳輸 層13以及第2發(fā)光層17及第2空穴傳輸層16,可以平衡性良好地調(diào)整短波長(zhǎng)的光的亮度 降低和長(zhǎng)波長(zhǎng)的光的亮度降低。其結(jié)果，可以抑制驅(qū)動(dòng)時(shí)間的經(jīng)過(guò)所引起的白色光的色變 化、抑制從有機(jī)EL元件10取出的白色光的質(zhì)量的降低。
[0078](空穴傳輸層的構(gòu)成）
[0079] 作為與上述第1發(fā)光層14相比LUMO淺且T1高的第1空穴傳輸層13,具有空穴傳 輸層的功能，優(yōu)選具有傳輸空穴的功能、且傳輸電子的能力小的材料。例如，通過(guò)從后述的 適用于空穴傳輸層的材料選擇與第1發(fā)光層14相比LUMO淺且T1高的材料，可以形成第1 空穴傳輸層13。特別優(yōu)選通過(guò)應(yīng)用后述的電子阻擋層的構(gòu)成而形成第1空穴傳輸層13。
[0080] 另外，作為第1空穴傳輸層13,也可以形成為將多層具有空穴傳輸層的功能、由具 有傳輸空穴的功能且傳輸電子的能力小的材料構(gòu)成的層層疊了的構(gòu)成。在該情況下，將與 第1發(fā)光層14接觸的層作為與第1發(fā)光層14相比LUMO淺且T1高的層。
[0081] 另外，作為上述的滿足與第2發(fā)光層17相比LUMO深及T1低的至少任一者的第2 空穴傳輸層16,優(yōu)選是具有傳輸空穴的功能并且傳輸電子的能力小的材料。具體而言，通過(guò) 從后述的適用于空穴傳輸層的材料選擇滿足與第2發(fā)光層17相比LUMO深及T1低的至少 任一者的材料，可以形成第2空穴傳輸層16。
[0082] 另外，作為第2空穴傳輸層16,也可以是將多層具有空穴傳輸層的功能、由具有傳 輸空穴的功能并且傳輸電子的能力小的材料構(gòu)成的層層疊了的構(gòu)成。在該情況下，將與第 2發(fā)光層17接觸的層作為滿足與第2發(fā)光層17相比LUMO深及T1低的至少任一者的層。
[0083] [發(fā)光層的厚度]
[0084] 第2發(fā)光層17的厚度，可以是與第1發(fā)光層14相比小。第2發(fā)光層17薄容易使 發(fā)光區(qū)域17A集中于更小的區(qū)域。因此，可以進(jìn)一步促進(jìn)化合物的劣化。
[0085] 另外，第1發(fā)光層14中，為了擴(kuò)張發(fā)光區(qū)域14A，需要一定程度的厚度。因此，優(yōu)選 第1發(fā)光層14的厚度至少比第2發(fā)光層17的厚度大。
[0086] 例如，優(yōu)選將第1發(fā)光層14的厚度設(shè)為10-100nm。而且，優(yōu)選比第1發(fā)光層更薄 地形成第2發(fā)光層17,例如，將第2發(fā)光層17的厚度設(shè)為5-50nm。
[0087] 另外，就1發(fā)光層14及第2發(fā)光層17的LUMO、T1而言，一般而言，如果摻雜劑的 濃度為15%以下，則依賴于主體化合物的LUMO、T1。在摻雜劑的濃度超過(guò)15%的情況下， 主體化合物的LUM0、T1再加上摻雜劑的LUM0、T1來(lái)決定第1發(fā)光層14及第2發(fā)光層17的 LUMO,T1〇
[0088]另外，在第1發(fā)光層14及第2發(fā)光層17具有多種主體化合物、摻雜劑的情況下， 依賴于含有最多的化合物而決定第1發(fā)光層14及第2發(fā)光層17的LUMO、T1。
[0089] 另外，第1空穴傳輸層13及第2空穴傳輸層16的LUMO、T1，一般而言，依賴于含 有最多的化合物的LUMO、T1。另外，在第1空穴傳輸層13及第2空穴傳輸層16中含有多 種化合物的情況下，根據(jù)各化合物的比例，決定第1空穴傳輸層13及第2空穴傳輸層16的 LUMO、T1。在含有的量為15%以下的化合物的情況下影響少，幾乎不需要考慮對(duì)第1空穴 傳輸層13及第2空穴傳輸層16的LUMO、T1的影響。
[0090] 另外，在第1發(fā)光層14及第1空穴傳輸層13、以及第2發(fā)光層17及第2空穴傳 輸層16中，只要僅在與分別鄰接的界面接近的側(cè)的區(qū)域中考慮LUM0、T1即可。在上述各層 中，引起化合物間的電子移動(dòng)、能量移動(dòng)造成的失活。為了引起該電子移動(dòng)（Marcus式）、能 量移動(dòng)（7工少只夕一機(jī)構(gòu)、尹夕只夕一機(jī)構(gòu)），需要化合物間的距離近。因此，在上述各層 間的界面中，需要考慮與界面近的側(cè)的區(qū)域中的LUMO、T1。
[0091] [構(gòu)成的詳情]
[0092] 以下，對(duì)于圖1中所示的有機(jī)EL元件10的陽(yáng)極21、第1發(fā)光單元11 (第1空穴傳 輸層13、第1發(fā)光層14、第1電子傳輸層15)、中間連接層19、第2發(fā)光單元12 (第2空穴 傳輸層16、第2發(fā)光層17、第2電子傳輸層18)、及陰極22的各構(gòu)成、以及設(shè)置有機(jī)EL元件 10的基板23的構(gòu)成的詳情進(jìn)行說(shuō)明。予以說(shuō)明，在以下說(shuō)明的有機(jī)EL元件10的各構(gòu)成， 是用于說(shuō)明實(shí)施方式的一例，也可以在可以構(gòu)成上述有機(jī)EL元件10的范圍內(nèi)適當(dāng)應(yīng)用其 它構(gòu)成。
[0093][發(fā)光單元]
[0094] 第1發(fā)光單元11設(shè)于陽(yáng)極21和中間連接層19之間，具備至少1層以上的含有具 有發(fā)光性的有機(jī)材料的發(fā)光層。另外，第2發(fā)光單元12設(shè)于中間連接層19和陰極22之間， 具備至少1層以上的含有具有發(fā)光性的有機(jī)材料的發(fā)光層。予以說(shuō)明，在第1發(fā)光單元11 及第2發(fā)光單元12中，也可以在發(fā)光層和陽(yáng)極21、中間連接層19及陰極22之間具備其它 層。
[0095] 以下，將這些第1發(fā)光單元11及第2發(fā)光單元12總合而記載為發(fā)光單元來(lái)說(shuō)明。 另外，對(duì)形成于第1發(fā)光單元11及第2發(fā)光單元12的第1空穴傳輸層13、第1發(fā)光層14 及第1電子傳輸層15、以及第2空穴傳輸層16、第2發(fā)光層17及第2電子傳輸層18,也總 合而記載為空穴傳輸層、發(fā)光層及電子