UMO(Lowest UnoccupiedMolecularOrbital)淺且最低激發(fā)三重態(tài)能量（T1)高的材料。
[0439] 即，LUM0中，形成1-C>主體化合物、及、1-C>發(fā)光摻雜劑的關(guān)系。另外，T1中， 形成1-C>主體化合物、及、1-C>發(fā)光摻雜劑的關(guān)系。
[0440][試樣105的有機EL元件的制作]
[0441] 除了在構(gòu)成第2發(fā)光單元的第2發(fā)光層的工序中將第2發(fā)光層的厚度設(shè)為30nm 以外，使用與上述試樣101相同的方法，制作試樣105的有機EL元件。
[0442] 下述表1中示出試樣101~105的有機EL元件的構(gòu)成。另外，表1中示出各構(gòu)成 中的空穴傳輸層和發(fā)光層的LUM0及T1的關(guān)系。
[0443] 予以說明，表1中，在各試樣101~105中，對于作為共同的構(gòu)成的基板（玻璃）、 陽極（IT0)、電子傳輸層（化合物3，LiF/化合物3，Li)及各試樣101~102、105的中間連 接層（Ag)的構(gòu)成，省略記載。
[0444][表1]
[0445]
[0446][試樣106的有機EL元件的制作]
[0447] 首先，使用與上述的試樣101相同的方法在玻璃基板上形成陽極、第1發(fā)光單元、 中間連接層（第1中間連接層）及第2發(fā)光單元。
[0448](中間連接層）
[0449] 接著，在第2發(fā)光單元的第2電子傳輸層上以厚度10nm將Ag成膜、形成第2中間 連接層。
[0450](第3空穴傳輸層）
[0451] 接著，與上述的試樣101的第1空穴傳輸層同樣地形成厚度20nm的化合物 l-A(HAT-CN)、形成 60nm的化合物 1-B。
[0452] 通過以上的工序，形成從陽極側(cè)層疊了化合物1-A、化合物1-B的第3空穴傳輸層。 化合物1-B與后述的構(gòu)成第3發(fā)光層的化合物4、化合物5及化合物6相比LUMO(Lowest UnoccupiedMolecularOrbital)深、且最低激發(fā)三重態(tài)能量（T1)低的材料。
[0453] 即，LUM0中，形成1-B〈主體化合物、及、1-B〈發(fā)光摻雜劑的關(guān)系。另外，T1中， 形成1-B<主體化合物、及、1-B<發(fā)光摻雜劑的關(guān)系。
[0454](第3發(fā)光層）
[0455]接著，以作為主體化合物的化合物4(Tg= 143°C)成為79vol%、作為綠色磷光發(fā) 光摻雜劑的化合物5成為20vol%、作為紅色磷光發(fā)光摻雜劑的化合物6成為lvol%地進 行蒸鍍、形成呈現(xiàn)綠色和紅色的厚度20nm的磷光發(fā)光層。
[0456](第3電子傳輸層）
[0457] 接著，以化合物3(ET-100)成為86vol%、LiF成為14vol%地蒸鍍、形成厚度20nm 的層。進而，以化合物3(ET-100)成為98vol%、Li成為2vol%地蒸鍍、形成厚度10nm的 層。由此，制作由化合物3及LiF和化合物3及Li的2層構(gòu)成的第3電子傳輸性層。
[0458](陰極及密封）
[0459] 接著，使用與上述的試樣101相同的方法而形成陰極后，密封該有機EL元件而制 作試樣106的有機EL元件。
[0460][試樣107的有機EL元件的制作]
[0461] 在構(gòu)成第2發(fā)光單元的第2空穴傳輸層的工序中，形成厚度20nm的化合物1-A、形 成厚度50nm化合物1-B后，以形成厚度10nm地形成化合物1-C，除此以外使用與上述試樣 106相同的方法而制作試樣107的有機EL元件。
[0462] 化合物1-C是與構(gòu)成第2發(fā)光層的化合物4、化合物5及化合物6相比LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital)淺且最低激發(fā)三重態(tài)能量（T1)高的材料。
[0463] 即，LUMO中，形成1-C>主體化合、及、1-C>發(fā)光摻雜劑的關(guān)系。另外，T1中，形 成1-C>主體化合物、及、1-C>發(fā)光摻雜劑的關(guān)系。
[0464][試樣108的有機EL元件的制作]
[0465] 在構(gòu)成第3發(fā)光單元的第3空穴傳輸層的工序中，形成厚度20nm的化合物1-A、形 成厚度50nm的化合物1-B后，以形成厚度10nm地形成化合物1-C，除此以外使用與上述試 樣106相同的方法而制作試樣108的有機EL元件。
[0466]化合物1-C是與構(gòu)成第3發(fā)光層的化合物4、化合物5及化合物6相比LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital)淺且最低激發(fā)三重態(tài)能量（T1)高的材料。
[0467] 即，LUMO中，形成1-C>主體化合物、及、1-C>發(fā)光摻雜劑的關(guān)系。另外，T1中， 形成1-C>主體化合物、及、1-C>發(fā)光摻雜劑的關(guān)系。
[0468][試樣109的有機EL元件的制作]
[0469] 在構(gòu)成第2發(fā)光單元的第2空穴傳輸層的工序及構(gòu)成第3發(fā)光單元的第3空穴傳 輸層的工序中，形成厚度20nm的化合物1-A、形成厚度50nm的化合物1-B后，以形成厚度 l〇nm地形成化合物1-C，除此以外使用與上述試樣106相同的方法而制作試樣109的有機 EL元件。
[0470][試樣110的有機EL元件的制作]
[0471] 除了將第1發(fā)光單元的第1發(fā)光層設(shè)為呈現(xiàn)綠色和紅色的厚度20nm的磷光發(fā)光 層、將第2發(fā)光單元的第2發(fā)光層變更成呈現(xiàn)藍色的厚度30nm的熒光發(fā)光層以外，使用與 上述試樣107相同的方法而制作試樣110的有機EL元件。
[0472] 予以說明，在試樣110的有機EL元件中，第1發(fā)光層及第2發(fā)光層的形成方法使 用與試樣101的第2發(fā)光層及第1發(fā)光層相同的方法。
[0473][試樣111的有機EL元件的制作]
[0474] 在構(gòu)成第3發(fā)光單元的第3空穴傳輸層的工序中，形成厚度20nm的化合物1-A、形 成厚度50nm的化合物1-B后，以形成厚度10nm地形成化合物1-C，除此以外使用與上述試 樣110相同的方法而制作試樣111的有機EL元件。
[0475][試樣112的有機EL元件的制作]
[0476] 除了在構(gòu)成第1發(fā)光單元的第1空穴傳輸層的工序中形成厚度20nm的化合物 1-A、形成厚度60nm的化合物1-B以外，使用與上述試樣110相同的方法而制作試樣112的 有機EL元件。
[0477] 下述表2中表示試樣106~112的有機EL元件的構(gòu)成。另外，表2中表示各構(gòu)成 中的空穴傳輸層和發(fā)光層的LUM0及T1的關(guān)系。
[0478] 予以說明，在表2中，在各試樣106~112中，對于作為共同的構(gòu)成的基板（玻璃）、 陽極（IT0)、第1~3電子傳輸層（化合物3，LiF/化合物3，Li)及第1、2中間連接層（Ag) 的構(gòu)成省略記載。
[0479][表2]
[0480]
[0481] [評價]
[0482] 對于如上述得到的試樣101~112的有機EL元件，如下述進行元件特性的評價。 表3中示出各試樣的評價結(jié)果。
[0483] (色度差）
[0484] 各樣品的色度的測定，例如可以參考大田登"色彩工學(xué)第2版"（東京電機大學(xué)出 版局）等。
[0485] 具體而言，在室溫（約23~25°C的范圍內(nèi)）下，使用分光放射亮度計CS_2000( 3 二力Sy少夕七'7シ > 夕公司制）對進行了 50mA/cm2的恒定電流密度條件下的點燈時的 各樣品的發(fā)光光譜進行測定。而且，將通過該測定而得到了的光譜由CIE1931表色系中規(guī) 定了的原刺激[X]、[Y]、[Z]使用三刺激值X、Y、Z來轉(zhuǎn)換成色度坐標X、y。
[0486] 同樣，在室溫下，使用分光放射亮度計CS-2000( 3二力S y少夕七yシy夕公司 制）對進行了 50mA/cm2的恒定電流密度條件下的點燈時的各樣品的發(fā)光亮度進行測定。另 外，在同條件下進行連續(xù)驅(qū)動，將直到亮度減少30%的時間作為發(fā)光壽命而求得。
[0487] 而且，由初始（LT100)的色度坐標x、y和亮度減少30%時（LI70)的色度坐標X、 y，通過下述式算出色度差A(yù)Exy。
[0488]AExy - [(xLT100_xLT70) + (yLT100_yLT70)]
[0489](相關(guān)色溫度）
[0490] 各樣品的相關(guān)色溫度的測定，可以例如參考大田登"色彩工學(xué)第2版"（東京電機 大學(xué)出版局）等。
[0491] 具體而言，在室溫（約23~25°C的范圍內(nèi)）下，使用分光放射亮度計CS-2000( 3 二力Sy少夕七'7シ > 夕公司制）對進行了 50mA/cm2的恒定電流密度條件下的點燈時的 各樣品的發(fā)光亮度進行測定。而且，將通過該測定而得到了的光譜由CIE1931表色系中規(guī) 定的原刺激[X]、[Y]、[Z]使用三刺激值X、Y、Z來對色度坐標u、v進行轉(zhuǎn)換。
[0492] 通過將得到了的色度坐標u、v對照CIE1960UV色度圖上所示的黑體軌跡及等色溫 度線而決定色溫度。
[0493] 予以說明，就各有機EL元件的相關(guān)色溫度而言，以將得到了的值的100的位進行 四舍五入的值來表示。
[0494][表3]
[0495]
[0496] 另外，將在試樣101的有機EL元件和試樣102的有機EL元件中、以50mA/cm2的 連續(xù)驅(qū)動時的藍色光、綠色光及紅色光的短波長的衰減以及色度的變化示于圖7~10。予 以說明，在圖7及8中，縱軸為亮度的殘存率，橫軸為連續(xù)驅(qū)動時間。
[0497]另外，圖7是表示試樣101的有機EL元件中的紅藍綠的各單波長的衰減的情形的 圖。圖8是表示試樣102的有機EL元件中的紅藍綠的各單波長的衰減的情形的圖。
[0498] 予以說明，在圖7及8中，"B"表示來自第1發(fā)光層的呈現(xiàn)波長480nm的藍色的光， "G"表示來自第2發(fā)光層的呈現(xiàn)波長545nm的綠色的光，"R"表示來自第2發(fā)光層的呈現(xiàn)波 長595nm的紅色的光。
[0499] 另外，圖9是表示試樣101的有機EL元件中的色度坐標x、y的變化的情形的圖。 圖10是表示試樣102的有機EL元件中的色度坐標x、y的變化的情形的圖。在圖9及10 中，縱軸為色度坐標x、y，橫軸為連續(xù)驅(qū)動時間。
[0500][結(jié)果]
[0501] 在試樣101的有機EL元件中，在第1發(fā)光單元中，設(shè)有與第1發(fā)光層相比 LUMO(LowestUnoccupiedMolecularOrbital)淺且最低激發(fā)三重態(tài)能量（T1)高的第 1 空穴傳輸層。進而，在第2發(fā)光單元中，設(shè)有與第2發(fā)光層相比LUMO(LowestUnoccupied MolecularOrbital)深且最低激發(fā)三重態(tài)能量（T1)低的第2空穴傳輸層。
[0502] 因此，可以調(diào)節(jié)藍色發(fā)光層和綠色及紅色發(fā)光層的亮度降低速度，連續(xù)驅(qū)動了有 機EL元件時的色度差形成0. 003這樣的全部試樣中最佳的值。
[0503] 與之相對，在試樣102的有機EL元件中，在第2發(fā)光單元中，設(shè)有與第2發(fā)光層相 比LUMO淺且T1高的第2空穴傳輸層。因此，不能調(diào)節(jié)藍色發(fā)光層和綠色及紅色發(fā)光層的 亮度降低速度，藍色發(fā)光層的亮度降低比綠色及紅色發(fā)光層大，連續(xù)驅(qū)動了有機EL元件時 的色度差惡化成0.028。
[0504] 在將發(fā)光單元設(shè)為單層的構(gòu)成的試樣103中，在第2發(fā)光層的陽極側(cè)進行接觸的 中間連接層，通過與第2發(fā)光層相比LUMO(LowestUnoccupiedMolecularOrbital)深且最 低激發(fā)三重態(tài)能量（Tl)低的化合物2-A而形成。因此，可以調(diào)節(jié)藍色發(fā)光層和綠色及紅色 發(fā)光層的亮度降低速度，連續(xù)驅(qū)動了有機EL元件時的色度差形成0. 015這樣的良好的值。
[0505] 與之相對，在同樣將發(fā)光單元設(shè)為單層的構(gòu)成的試樣104中，在第2發(fā)光層的陽 極側(cè)進行接觸的中間連接層，通過與第2發(fā)光層相比LUMO(LowestUnoccupiedMolecular Orbital)淺且最低激發(fā)三重態(tài)能量（T1)高的化合物1-C而形成。因此，不能調(diào)節(jié)色發(fā)光層 和綠色及紅色發(fā)光層的亮度降低速度，連續(xù)驅(qū)動了有機EL元件時的色度差惡化成0. 025。
[0506] 另外，試樣105中，第2發(fā)光層的厚度比試樣101厚，第1發(fā)光層和第2發(fā)光層為 相同的厚度。而且，在試樣105中，色度差為0.010,與試樣102相比得到良好的結(jié)果，但與 試樣101相比惡化。
[0507] 由該結(jié)果可知，如試樣101，通過與亮度降低大的發(fā)光層相比、將一般亮度降低少 的發(fā)光層薄地形成，可進一步促進化合物的劣化。而且，由此可以調(diào)整各發(fā)光層的亮度降低 的平衡，抑制驅(qū)動時間的經(jīng)過所導(dǎo)致的由最初的發(fā)光色的色變化。
[0508] 在將發(fā)光單元層疊了 3層的試樣106~試樣109的有機EL元件的結(jié)果中，均看到 與上述試樣101~試樣105的有機EL元件的結(jié)果相同的傾向。
[0509] 試樣106,在第1發(fā)光單元中，設(shè)有與第1發(fā)光層相比LUMO淺且T1高的第1空穴 傳輸層。
[0510] 另外，在第2發(fā)光單元及第3發(fā)光單元中，設(shè)有與各發(fā)光層相比LUMO深且T1低的 空穴傳輸層。
[0511]S卩，在第1~3發(fā)光單元中，滿足與上述的試樣101相同的LUMO及T1的關(guān)系。因 此，在試樣106的有機EL元件中，連續(xù)驅(qū)動了時的色度差形成0.005這樣的良好的結(jié)果。
[0512] 與之相對，在試樣109的有機EL元件中，在第2發(fā)光單元及第3發(fā)光單元中，不滿 足LUMO及T1的關(guān)系。因此，與試樣106的有機EL元件相比，連續(xù)驅(qū)動了有機EL元件時的 色度差大為惡化。
[0513] 在試樣107及試樣108中，在第2發(fā)光單元或第3發(fā)光單元中，任一者不滿足LUMO 及T1的關(guān)系。因此，與試樣106相比，色度差稍微惡化。但是，在第2發(fā)光單元或第3發(fā)光 單元中，任一者滿足LUMO及T1的關(guān)系，因此，與試樣109的有機EL元件相比，大為改善。
[0514] 因此，在具有多層一般亮度降低小的發(fā)光層的構(gòu)成的有機EL元件中，通過形成與 一般亮度降低小的發(fā)光層的至少任一方接觸而滿足LUMO及T1的關(guān)系的層，可以抑制有機 EL元件的驅(qū)動時間的經(jīng)過所導(dǎo)致的由最初的發(fā)光色的色變化。
[0515] 另外，通過形成與一般亮度降低小的發(fā)光層的全部接觸而滿足LUMO及T1的關(guān)系 的層，可以進一步抑制有機EL元件的驅(qū)動時間的經(jīng)過所導(dǎo)致的由最初的發(fā)光色的色變化。
[0516] 在變更了發(fā)光單元的層疊順序的試樣110~試樣112的有機EL元件的結(jié)果中，看 到與上述的試樣106~試樣108的有機EL元件的結(jié)果相同的傾向。
[0517] 與在第1發(fā)光單元及第3發(fā)光單元中不滿足LUMO及T1的關(guān)系的試樣111的有機 EL元件相比，在第1發(fā)光單元及第3發(fā)光單元中滿足LUMO及T1的關(guān)系的試樣112及僅在 第3發(fā)光單元中滿足LUMO及T1的關(guān)系的試樣110得到了連續(xù)驅(qū)動了時的色度差形成良好 的結(jié)果。
[0518] 進而，與僅在第3發(fā)光單元中滿足LUMO及T1的關(guān)系的試樣110相比，在第1發(fā)光 單元及第3發(fā)光單元中滿足LUMO及T1的關(guān)系的試樣112得到了連續(xù)驅(qū)動了時的色度差形 成良好的結(jié)果。
[0519] 這樣，即使在一般亮度降低小的發(fā)光層和一般亮度降低大的發(fā)光層在有機EL元 件中成為任意層疊順序的情況下，通過滿足上述的關(guān)系，可以抑制有機EL元件的驅(qū)動時間 的經(jīng)過所導(dǎo)致的由最初的發(fā)光色的色變化。
[0520] 另外，如圖7中所示，在具備與第1發(fā)光層接觸而LUMO淺且T1高的第1空穴傳輸 層、具備與第2發(fā)光層接觸、LUMO深且T1低的第2空穴傳輸層的試樣101的有機EL元件 中，藍、綠及紅的光的衰減的情形大致一致。這表示在第1發(fā)光層和第2發(fā)光層中亮度降低 的速度接近。
[0521] 與之相對，如圖8中所示，在具備與第1發(fā)光層及第2發(fā)光層接觸而共同LUMO淺 且T1高的第1空穴傳輸層及第2空穴傳輸層的試樣102的有機EL元件中，在第1發(fā)光層 的藍色光的衰減情形和第2發(fā)光層的綠及紅色光的衰減的情形中形成大的差。
[0522] 另外，當(dāng)比較圖7和圖8時，第1發(fā)光層的藍色光的衰減的情形近似。但是，在圖7 中，與圖8相比，在第2發(fā)光層的綠及紅色光的衰減的情形中形成大的差。具體而言，第2發(fā) 光層的綠及紅色光的衰減的情形，向接近第1發(fā)光層的藍色光的衰減的情形的方向轉(zhuǎn)移。
[0523] 由該圖7和圖8中所示的結(jié)果得知：通過設(shè)置與第2發(fā)光層接觸而LUMO深且T1 低的第2空穴傳輸層，在一般亮度降低小的發(fā)光層中促進劣化。
[0524] 另外，在圖9及圖10中也得到相同的結(jié)果。
[0525] 如圖9中所示，在試樣101的有機EL元件中，即使驅(qū)動時間經(jīng)過，色度坐標x、y的 變動也少。這是由于：如上述的圖7中所示，藍、綠及紅的光的衰減的情形大致一致。
[0526] 另外，如圖10中所示，在試樣102的有機EL元件中，因驅(qū)動時間經(jīng)過，色度坐標X、 y的變動大。這是由于：如上述的圖8中所示，在藍色光的衰減的情形和綠及紅色光的衰減 的情形中形成大的差。
[0527] 因此，由圖7~10中所示的結(jié)果，通過設(shè)置與一般亮度降低大的發(fā)光層接觸而 LUMO淺且T1高的層、設(shè)置滿足與一般亮度降低小的發(fā)光層接觸而LUMO深及T1低的至少任 一者的層，可以抑制有機EL元件驅(qū)動時間的經(jīng)過所引起的從最初的發(fā)光色的色變化。
[0528] 予以說明，本發(fā)明不限定于在上述的實施方式例中所說明的構(gòu)成，其他可以在不 脫離本發(fā)明構(gòu)成的范圍中進行各種變形、變更。
【主權(quán)項】
1. 一種有機電致發(fā)光元件，其為具備陽極、陰極、介于所述陽極和所述陰極之間的第I 發(fā)光層及第2發(fā)光層的有機電致發(fā)光元件，其中， 在所述第1發(fā)光層和在所述陽極側(cè)與所述第1發(fā)光層接觸的層中， 與所述第1發(fā)光層接觸的層滿足：與所述第1發(fā)光層相比，LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)淺且最低激發(fā)三重態(tài)能量（Tl)高的關(guān)系， 在所述第2發(fā)光層和在所述陽極側(cè)與所述第2發(fā)光層接觸的層中， 與所述第2發(fā)光層接觸的層滿足：與所述第2發(fā)光層相比，LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)深及最低激發(fā)三重態(tài)能量（Tl)低的至少任一者。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件，其中，與所述第2發(fā)光層接觸的層滿足： 與所述第2發(fā)光層相比，LUM0(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)深及最低激發(fā)三 重態(tài)能量（Tl)低的兩者。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件，其中，與來自所述第2發(fā)光層的發(fā)光的光 的波長相比，來自所述第1發(fā)光層的發(fā)光的光的波長短。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述第2發(fā)光層的厚度比所述第1 發(fā)光層的厚度小。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件，其中，與所述第2發(fā)光層相比，所述第1 發(fā)光層形成于所述有機電致發(fā)光元件的光取出側(cè)。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件，其中，在所述第1發(fā)光層和所述第2發(fā)光 層之間具有中間連接層。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述中間連接層為電荷產(chǎn)生層或 金屬層。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件，其具有所述第1發(fā)光層及所述第2發(fā)光 層和第3發(fā)光層，在所述陽極側(cè)與所述第3發(fā)光層接觸的層滿足：與所述第3發(fā)光層相比， LUM0(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)深及最低激發(fā)三重態(tài)能量（Tl)低的至少任 一者。9. 一種電子器件，其具備權(quán)利要求1~8的任一項所述的有機電致發(fā)光元件。
【專利摘要】本發(fā)明提供以下的有機電致發(fā)光元件：其構(gòu)成具有與第1發(fā)光層的陽極側(cè)接觸而與第1發(fā)光層相比、LUMO淺且T1高的層，具有與第2發(fā)光層的陽極側(cè)接觸而與第2發(fā)光層相比、LUMO深及T1低的至少任一者的層的有機電致發(fā)光元件，可以抑制顯示質(zhì)量的降低。
【IPC分類】H01L51/50
【公開號】CN104979482
【申請?zhí)枴緾N201510153395
【發(fā)明人】岡本健, 高橋理愛子, 新井賢司
【申請人】柯尼卡美能達株式會社
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2015年4月2日
【公告號】US20150287949