一種薄膜晶體管、其制作方法、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種薄膜晶體管、其制作方法、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，薄膜晶體管(Thin-film Transistor，TFT)在陣列基板中起到具有十分重要的作用。
[0003]目前，在薄膜晶體管的制作工藝中，具體包括:步驟一、如圖1a所示，在襯底基板01上依次形成柵極02的圖形、柵絕緣層薄膜03、有源層薄膜04、歐姆接觸層薄膜05、源漏極金屬層薄膜06以及光刻膠層薄膜07，對光刻膠層薄膜07進(jìn)行曝光顯影，得到光刻膠完全去除區(qū)域a、光刻膠部分保留區(qū)域b和光刻膠完全保留區(qū)域C，光刻膠完全去除區(qū)域a對應(yīng)于除待形成有源層圖形的區(qū)域之外的區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域b對應(yīng)于待形成的溝道區(qū)域，光刻膠完全保留區(qū)域c對應(yīng)于待形成源極、漏極圖形的區(qū)域，其中光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠可以避免對應(yīng)于待形成的溝道區(qū)域的有源層薄膜04在下一步刻蝕工藝中受損；步驟二、如圖1b所示，在濕刻設(shè)備中，通過濕法刻蝕工藝將光刻膠完全去除區(qū)域a的源漏極金屬層薄膜06刻蝕掉，此時源漏極金屬層薄膜06經(jīng)過了一次濕法刻蝕，但并未形成源極、漏極的圖形；步驟三、如圖1c所示，在干刻設(shè)備中分別對光刻膠完全去除區(qū)域a的歐姆接觸層薄膜05和有源層薄膜04進(jìn)行干法刻蝕，對光刻膠部分保留區(qū)域b的光刻膠進(jìn)行灰化，以及對光刻膠部分保留區(qū)域b的源漏極金屬層薄膜06和歐姆接觸層薄膜05進(jìn)行干法刻蝕，得到有源層041、源極061、漏極062、歐姆接觸層051等圖形，此時源漏極金屬層薄膜06又經(jīng)過了一次干法刻蝕，才形成源極、漏極的圖形；步驟四、如圖1d所示，將剩余的光刻膠進(jìn)行剝離。
[0004]在現(xiàn)有的TFT陣列基板制作工藝的上述步驟中，源漏極金屬層薄膜經(jīng)過了一次濕法刻蝕和一次干法刻蝕，其中在干法刻蝕工藝中對于與溝道區(qū)域?qū)?yīng)的源漏極金屬層進(jìn)行刻蝕的時候有著各種弊端，例如干刻設(shè)備對金屬層的刻蝕較困難，且刻蝕不均勻，設(shè)備損耗大，出現(xiàn)良率低的問題，難于適用于量產(chǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管、其制作方法、陣列基板及顯示裝置，只通過利用濕法刻蝕對源漏極金屬層進(jìn)行刻蝕，刻蝕均勻，提高了產(chǎn)能。
[0006]因此，本發(fā)明實施例提供了一種薄膜晶體管的制作方法，包括:在襯底基板上依次形成柵極的圖形、柵極絕緣層薄膜、有源層薄膜和歐姆接觸層薄膜；
[0007]在所述歐姆接觸層薄膜上位于待形成的溝道區(qū)域內(nèi)形成第一刻蝕阻擋模塊；
[0008]在形成所述第一刻蝕阻擋模塊的襯底基板上形成源漏極金屬層薄膜；
[0009]利用所述第一刻蝕阻擋模塊遮擋對應(yīng)于待形成的溝道區(qū)域的有源層薄膜和歐姆接觸層薄膜，通過濕法刻蝕工藝在所述源漏極金屬層薄膜形成包括源極和漏極的圖形；
[0010]通過干法刻蝕工藝在所述歐姆接觸層薄膜形成歐姆接觸層的圖形，以及在所述有源層薄膜形成有源層的圖形。
[0011 ] 在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，在所述歐姆接觸層薄膜上位于待形成的溝道區(qū)域內(nèi)形成第一刻蝕阻擋模塊，具體包括:
[0012]在所述歐姆接觸層薄膜上形成第一光刻膠層薄膜，對所述第一光刻膠層薄膜進(jìn)行曝光顯影，得到光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；
[0013]所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于待形成的溝道區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于除所述溝道區(qū)域以外的其他區(qū)域；
[0014]所述第一光刻膠層薄膜的光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠為第一刻蝕阻擋模塊。
[0015]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，利用所述第一刻蝕阻擋模塊遮擋對應(yīng)于待形成的溝道區(qū)域的有源層薄膜和歐姆接觸層薄膜，通過濕法刻蝕工藝在所述源漏極金屬層薄膜形成包括源極和漏極的圖形，具體包括:
[0016]在所述源漏極金屬層薄膜上對應(yīng)待形成源極和漏極圖形的區(qū)域形成第二刻蝕阻擋豐吳塊；
[0017]以所述第二刻蝕阻擋模塊為掩膜，利用所述第一刻蝕阻擋模塊遮擋對應(yīng)于待形成的溝道區(qū)域的有源層薄膜和歐姆接觸層薄膜，對所述源漏極金屬層進(jìn)行一次濕法刻蝕工藝，形成包括源極和漏極的圖形。
[0018]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，在所述源漏極金屬層薄膜上對應(yīng)待形成源極和漏極圖形的區(qū)域形成第二刻蝕阻擋模塊，具體包括:
[0019]在所述源漏極金屬層薄膜上形成第二光刻膠層薄膜，對所述第二光刻膠層薄膜進(jìn)行曝光顯影，得到光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；
[0020]所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于待形成源極和漏極圖形的區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于除待形成源極和漏極圖形的區(qū)域以外的其他區(qū)域；
[0021]所述第二光刻膠層薄膜的光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠為第二刻蝕阻擋模塊。
[0022]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，通過干法刻蝕工藝在所述歐姆接觸層薄膜形成歐姆接觸層的圖形，以及在所述有源層薄膜形成有源層的圖形，具體包括:
[0023]以所述第一刻蝕阻擋模塊和第二刻蝕阻擋模塊為掩膜，通過一次干法刻蝕工藝刻蝕掉除對應(yīng)于待形成溝道區(qū)域、源極和漏極圖形的區(qū)域以外的歐姆接觸層薄膜；
[0024]去除掉所述第一刻蝕阻擋模塊；
[0025]以所述第二刻蝕阻擋模塊為掩膜，通過一次干法刻蝕工藝刻蝕掉對應(yīng)于待形成溝道區(qū)域的歐姆接觸層薄膜，以及刻蝕掉除對應(yīng)于待形成溝道區(qū)域、源極和漏極圖形的區(qū)域以外的有源層薄膜，在所述歐姆接觸層薄膜形成歐姆接觸層的圖形，以及在所述有源層薄膜形成有源層的圖形。
[0026]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，去除掉第一刻蝕阻擋模塊，具體包括:
[0027]對所述第一刻蝕阻擋模塊進(jìn)行灰化處理。
[0028]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，在所述歐姆接觸層薄膜形成歐姆接觸層的圖形，以及在所述有源層薄膜形成有源層的圖形之后，還包括:
[0029]對所述第二刻蝕阻擋模塊進(jìn)行剝離。
[0030]本發(fā)明實施例還提供了一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管使用本發(fā)明實施例提供的上述制作方法制作。
[0031]本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，包括本發(fā)明實施例提供的上述薄膜晶體管。
[0032]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板。
[0033]本發(fā)明實施例的有益效果包括: