復(fù)之處不再贅述。
[0088]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管。在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中一般還會(huì)具有諸如鈍化層、平坦層、像素電極等其他膜層結(jié)構(gòu)，以及在襯底基板上還一般形成有柵線、數(shù)據(jù)線、公共電極線等結(jié)構(gòu)，這些具體結(jié)構(gòu)可以有多種實(shí)現(xiàn)方式，在此不做限定。
[0089]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板，該顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。對(duì)于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對(duì)本發(fā)明的限制。該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述陣列基板、薄膜晶體管的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。
[0090]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管、其制作方法、陣列基板及顯示裝置，該方法包括:首先在襯底基板上依次形成柵極的圖形、柵極絕緣層薄膜、有源層薄膜和歐姆接觸層薄膜；然后在歐姆接觸層薄膜上位于待形成的溝道區(qū)域內(nèi)形成第一刻蝕阻擋模塊；之后在形成第一刻蝕阻擋模塊的襯底基板上形成源漏極金屬層薄膜；再利用第一刻蝕阻擋模塊遮擋對(duì)應(yīng)于待形成的溝道區(qū)域的有源層薄膜和歐姆接觸層薄膜，通過濕法刻蝕工藝在源漏極金屬層薄膜形成包括源極和漏極的圖形；最后通過干法刻蝕工藝在歐姆接觸層薄膜形成歐姆接觸層的圖形，以及在有源層薄膜形成有源層的圖形。本發(fā)明實(shí)施例提供的制作方法中，在第一刻蝕阻擋模塊可以保護(hù)對(duì)應(yīng)于待形成的溝道區(qū)域的有源層薄膜的基礎(chǔ)上，只通過濕法刻蝕工藝完成對(duì)源漏極金屬層的刻蝕，刻蝕均勻，避免了干法刻蝕工藝對(duì)于源漏極金屬層進(jìn)行刻蝕時(shí)，刻蝕不均勻，設(shè)備損耗大，出現(xiàn)良率低的問題。
[0091]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上依次形成柵極的圖形、柵極絕緣層薄膜、有源層薄膜和歐姆接觸層薄膜； 在所述歐姆接觸層薄膜上位于待形成的溝道區(qū)域內(nèi)形成第一刻蝕阻擋模塊； 在形成所述第一刻蝕阻擋模塊的襯底基板上形成源漏極金屬層薄膜； 利用所述第一刻蝕阻擋模塊遮擋對(duì)應(yīng)于待形成的溝道區(qū)域的有源層薄膜和歐姆接觸層薄膜，通過濕法刻蝕工藝在所述源漏極金屬層薄膜形成包括源極和漏極的圖形； 通過干法刻蝕工藝在所述歐姆接觸層薄膜形成歐姆接觸層的圖形，以及在所述有源層薄膜形成有源層的圖形。2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述歐姆接觸層薄膜上位于待形成的溝道區(qū)域內(nèi)形成第一刻蝕阻擋模塊，具體包括: 在所述歐姆接觸層薄膜上形成第一光刻膠層薄膜，對(duì)所述第一光刻膠層薄膜進(jìn)行曝光顯影，得到光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域； 所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于待形成的溝道區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于除所述溝道區(qū)域以外的其他區(qū)域； 所述第一光刻膠層薄膜的光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠為第一刻蝕阻擋模塊。3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，利用所述第一刻蝕阻擋模塊遮擋對(duì)應(yīng)于待形成的溝道區(qū)域的有源層薄膜和歐姆接觸層薄膜，通過濕法刻蝕工藝在所述源漏極金屬層薄膜形成包括源極和漏極的圖形，具體包括: 在所述源漏極金屬層薄膜上對(duì)應(yīng)待形成源極和漏極圖形的區(qū)域形成第二刻蝕阻擋模塊； 以所述第二刻蝕阻擋模塊為掩膜，利用所述第一刻蝕阻擋模塊遮擋對(duì)應(yīng)于待形成的溝道區(qū)域的有源層薄膜和歐姆接觸層薄膜，對(duì)所述源漏極金屬層進(jìn)行一次濕法刻蝕工藝，形成包括源極和漏極的圖形。4.如權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述源漏極金屬層薄膜上對(duì)應(yīng)待形成源極和漏極圖形的區(qū)域形成第二刻蝕阻擋模塊，具體包括: 在所述源漏極金屬層薄膜上形成第二光刻膠層薄膜，對(duì)所述第二光刻膠層薄膜進(jìn)行曝光顯影，得到光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域； 所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于待形成源極和漏極圖形的區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于除待形成源極和漏極圖形的區(qū)域以外的其他區(qū)域； 所述第二光刻膠層薄膜的光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠為第二刻蝕阻擋模塊。5.如權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，通過干法刻蝕工藝在所述歐姆接觸層薄膜形成歐姆接觸層的圖形，以及在所述有源層薄膜形成有源層的圖形，具體包括: 以所述第一刻蝕阻擋模塊和第二刻蝕阻擋模塊為掩膜，通過一次干法刻蝕工藝刻蝕掉除對(duì)應(yīng)于待形成溝道區(qū)域、源極和漏極圖形的區(qū)域以外的歐姆接觸層薄膜； 去除掉所述第一刻蝕阻擋模塊； 以所述第二刻蝕阻擋模塊為掩膜，通過一次干法刻蝕工藝刻蝕掉對(duì)應(yīng)于待形成溝道區(qū)域的歐姆接觸層薄膜，以及刻蝕掉除對(duì)應(yīng)于待形成溝道區(qū)域、源極和漏極圖形的區(qū)域以外的有源層薄膜，在所述歐姆接觸層薄膜形成歐姆接觸層的圖形，以及在所述有源層薄膜形成有源層的圖形。6.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，去除掉第一刻蝕阻擋模塊，具體包括: 對(duì)所述第一刻蝕阻擋模塊進(jìn)行灰化處理。7.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述歐姆接觸層薄膜形成歐姆接觸層的圖形，以及在所述有源層薄膜形成有源層的圖形之后，還包括: 對(duì)所述第二刻蝕阻擋模塊進(jìn)行剝離。8.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管采用如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的制作方法制作。9.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管。10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的陣列基板。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管、其制作方法、陣列基板及顯示裝置，該方法包括：在襯底基板上依次形成柵極圖形、柵極絕緣層薄膜、有源層薄膜、歐姆接觸層薄膜、位于待形成的溝道區(qū)域內(nèi)的第一刻蝕阻擋模塊、源漏極金屬層薄膜；利用第一刻蝕阻擋模塊遮擋對(duì)應(yīng)于待形成的溝道區(qū)域的有源層薄膜和歐姆接觸層薄膜，通過濕法刻蝕形成包括源極和漏極的圖形；通過干法刻蝕工藝形成包括歐姆接觸層和有源層的圖形。本發(fā)明在第一刻蝕阻擋模塊可以保護(hù)對(duì)應(yīng)于待形成的溝道區(qū)域的有源層薄膜的基礎(chǔ)上，只通過濕法刻蝕工藝完成對(duì)源漏極金屬層的刻蝕，刻蝕均勻，避免了干法刻蝕工藝對(duì)于源漏極金屬層進(jìn)行刻蝕時(shí)，刻蝕不均勻，設(shè)備損耗大，出現(xiàn)良率低的問題。
【IPC分類】H01L21/336, H01L29/786, H01L27/12
【公開號(hào)】CN105047723
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510601156
【發(fā)明人】熊勝楠, 鄭云友, 李偉, 張益存
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2015年9月18日