一種陣列基板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，隨著顯示器尺寸的不斷增大，驅(qū)動電路的頻率不斷提高，現(xiàn)有非晶硅薄膜晶體管迀移率很難滿足需求，具備高迀移率金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal OxideSemiconductor)形成溝道的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)已被逐漸廣泛應(yīng)用于顯示領(lǐng)域。金屬氧化物TFT具有迀移率高，均一性好，透明，制備工藝簡單等優(yōu)點，更好的滿足了大尺寸液晶顯示和有源有機電致發(fā)光(AMOLED)的需求，成為研究熱點。
[0003]非晶銦鎵鋅氧化物是典型的透明金屬氧化物半導(dǎo)體，在可見光波段具有較好的透光性，在420nm以上的波長照射時，非晶銦鎵鋅氧化物TFT的1-V曲線比較穩(wěn)定，但是對于波長低于420nm的紫外光照射時，非晶銦鎵鋅氧化物TFT的1-V曲線開始大幅度漂移，很不穩(wěn)定。因為紫外光的能量已經(jīng)高于非晶銦鎵鋅氧化物的禁帶寬度，導(dǎo)致ι-v曲線發(fā)生漂移。因此解決氧化物半導(dǎo)體TFT的光穩(wěn)定性成為研發(fā)、制備、生產(chǎn)中最大的難點。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]解決上述問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板和顯示裝置。
[0005]本發(fā)明提供的一種陣列基板，包括多個呈陣列分布的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括氧化物有源層，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述氧化物有源層上方的光吸收層，所述光吸收層用于防止所述氧化物有源層受光線的照射。
[0006]優(yōu)選的，所述光吸收層是采用碳化硅或黑色氧化鋯制備的。
[0007]優(yōu)選的，所述光吸收層是采用含鐵，鎳、鉻中的任意一種或幾種的有機材料制備的。
[0008]優(yōu)選的，所述光吸收層和氧化物有源層之間設(shè)置界面改善層。
[0009]優(yōu)選的，所述界面改善層是采用氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化鋯中的任意一種或幾種制備的。
[0010]優(yōu)選的，所述薄膜晶體管包括用于保護所述氧化物有源層的刻蝕阻擋層，所述光吸收層設(shè)置在所述刻蝕阻擋層的上方或下方。
[0011]優(yōu)選的，所述陣列基板包括位于所述薄膜晶體管上用于對所述薄膜晶體管進行保護的鈍化層；所述光吸收層設(shè)置在所述鈍化層的上方或下方。
[0012]優(yōu)選的，所述薄膜晶體管包括用于保護氧化物有源層的刻蝕阻擋層；所述光吸收層是對刻蝕阻擋層進行離子注入形成的。
[0013]優(yōu)選的，所述陣列基板包括用于對所述薄膜晶體管進行保護的鈍化層層；所述光吸收層是對平坦化層進行離子注射形成的。
[0014]優(yōu)選的，所述用于離子注入的離子選自碳離子，鐵離子，鎳離子、鉻離子中的任意一種或幾種。
[0015]優(yōu)選的，所述光吸收層在所述陣列基板上的正投影覆蓋所述氧化物有源層的溝道區(qū)。
[0016]本發(fā)明的另一個目的在于提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0017]本發(fā)明提供的陣列基板和顯示裝置，由于薄膜晶體管氧化物有源層上方設(shè)置有光吸收層，所述光吸收層用于防止所述氧化物有源層受光線的照射，不會導(dǎo)致薄膜晶體管的
1-V曲線發(fā)生漂移，解決氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的光穩(wěn)定性問題。
【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明實施例1中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為本發(fā)明實施例2中陣列基板設(shè)有界面改善層的示意圖；
[0020]圖3為本發(fā)明實施例3中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]其中1.襯底；2.柵極；3.柵極絕緣層；4.氧化物有源層；5.光吸收層；51.光吸收層；6.源漏極；7.像素電極；8.平坦化層；9.公共電極；10.界面改善層；11.刻蝕阻擋層。
【具體實施方式】
[0022]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細描述。
[0023]實施例1:
[0024]如圖1所示，本實施例提供一種陣列基板，包括多個呈陣列分布的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括氧化物有源層4和設(shè)置在所述氧化物有源層4上方的光吸收層5，所述光吸收層5用于防止所述氧化物有源層4受光線的照射。
[0025]本實施例的陣列基板由于薄膜晶體管氧化物有源層上方的光吸收層，所述光吸收層用于防止所述氧化物有源層受光線的照射，不會導(dǎo)致薄膜晶體管的1-V曲線發(fā)生漂移，解決氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的光穩(wěn)定性問題。
[0026]具體陣列基板的結(jié)構(gòu)如圖1所示，在襯底I上依次設(shè)置的柵極2、柵極絕緣層3、氧化物有源層4、光吸收層5、源漏極6、像素電極7、鈍化層8、公共電極9。
[0027]其中，氧化物有源層4可以為氧化銦錫、氧化銦錫鋅、氧化銦鎵鋅等，氧化物有源層材料通常對外界光線比較敏感，光穩(wěn)定性不佳。
[0028]像素電極7和公共電極9可以分別為氧化銦錫，氧化銦鋅等。
[0029]優(yōu)選的，所述光吸收層5是采用碳化硅(SiC)或黑色氧化鋯制備的。
[0030]以SiC為例，其制備方式可以采用磁控濺射或化學(xué)氣相沉積法。
[0031]優(yōu)選的，所述光吸收層5是采用含鐵，鎳、鉻中的任意一種或幾種的有機材料制備的。
[0032]應(yīng)當(dāng)理解的是，上述的光吸收層5優(yōu)選采用對所有波長的光都吸收的物質(zhì)制備，其次，也可以選擇對波長低于420nm吸收較好的材料制備。
[0033]需要說明的是，光吸收層5根據(jù)材料的性質(zhì)選用化學(xué)氣相沉積法、等離子體增強化學(xué)氣相沉積法、或磁控濺射法進行制備。
[0034]如圖2所示，優(yōu)選的，所述光吸收層5和氧化物有源層4之間設(shè)置界面改善層10。上述的界面改善層10能夠與氧化物有源層4產(chǎn)生良好的界面效應(yīng)，不會產(chǎn)生光吸收層5直接設(shè)置在氧化物半導(dǎo)體層上使氧化物有源層4性能變差的問題。
[0035]優(yōu)選的，所述界面改善層10是采用氧化硅(S1y)、氮氧化硅(S1xNy)、氮化硅(SiNx)、氧化錯中的任意一種或幾種制備的。上述材料能更好的與氧化物有源層4的表面進行結(jié)合，保證氧化物有源層4的性能。
[0036]應(yīng)當(dāng)理解的是，上述的光吸收層5可以采用刻蝕阻