擋層的圖形；形成的光吸收層5同時具有保護氧化物有源層4不受光照的影響，又能在刻蝕中保護氧化物有源層4的功能。
[0037]當(dāng)然也可以保留原有刻蝕阻擋層，將光吸收層5設(shè)置在所述刻蝕阻擋層的上方或下方。其中，當(dāng)將光吸收層5設(shè)置在所述刻蝕阻擋層的下方時，還可以在光吸收層5和氧化物有源層4之間設(shè)置界面改善層10。優(yōu)選的，當(dāng)保留原有刻蝕阻擋層時，只需要將光吸收層5在陣列基板上的正投影覆蓋氧化物有源層4的溝道區(qū)即可。
[0038]優(yōu)選的，光吸收層5也可以設(shè)置在所述鈍化層8的上方或下方。此時，只需要將光吸收層5在陣列基板上的正投影覆蓋氧化物有源層4的溝道區(qū)即可。
[0039]應(yīng)當(dāng)理解的是，上述陣列基板的各功能層的制備方法為現(xiàn)有技術(shù)范疇，在此不再--贅述。
[0040]實施例2
[0041]本實施例提供另一種結(jié)構(gòu)的陣列基板，與實施例1中的陣列基板結(jié)構(gòu)不同的是，光吸收層51是對陣列基板的功能層進行離子注入形成的。
[0042]如圖3所示，在襯底I上依次設(shè)置的柵極2、柵極絕緣層3、氧化物有源層4、刻蝕阻擋層11、源漏極6、像素電極7、鈍化層8、光吸收層51、公共電極9。
[0043]其中，鈍化層8位于薄膜晶體管上，用于對薄膜晶體管進行保護，光吸收層51是對鈍化層8進行離子注入形成的。
[0044]具體的，在鈍化層8與氧化物有源層4的溝道區(qū)對應(yīng)的區(qū)域通過離子注入形成光吸收層51，也就是說光吸收層51在所述陣列基板上的正投影覆蓋所述氧化物有源層4的溝道區(qū)。
[0045]這樣光吸收層51用于防止所述氧化物有源層4受光線的照射，不會導(dǎo)致薄膜晶體管的1-V曲線發(fā)生漂移，解決氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的光穩(wěn)定性問題。
[0046]優(yōu)選的，所述用于離子注入的離子選自碳離子，鐵離子，鎳離子、鉻離子中的任意一種或幾種。
[0047]上述的離子對紫外波段的光或者全波段的光有強吸收，從而達到遮光效果。
[0048]制作時可以在鈍化層8上涂覆光刻膠，通過構(gòu)圖工藝在光刻膠上形成與氧化物有源層4的溝道區(qū)相對應(yīng)的圖形；然后進行離子注入，完成離子注入后去除光刻膠即可。
[0049]優(yōu)選的，也可以對刻蝕阻擋層11進行離子注入形成光吸收層51。
[0050]具體地，制作時可以在刻蝕阻擋層11上涂覆光刻膠，通過構(gòu)圖工藝在光刻膠上形成與氧化物有源層4的溝道區(qū)相對應(yīng)的圖形；然后進行離子注射，完成離子注射后去除光刻膠即可。
[0051]應(yīng)當(dāng)理解的是，上述鈍化層8、刻蝕阻擋層11也可以是薄膜晶體管的各種絕緣層，只要設(shè)置在氧化物有源層4的上方、并適合離子注入即可。另外，上述的離子注入為現(xiàn)有技術(shù)范疇，在此不再一一贅述。
[0052]需要說明的是，實施例1和2僅示例性的以包括底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的陣列基板為例來說明具體的實施方式，本發(fā)明并不局限于此，還可以用于包括頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的陣列基板。
[0053]實施例3
[0054]本實施例提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。所述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0055]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板，包括多個呈陣列分布的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括氧化物有源層，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述氧化物有源層上方的光吸收層，所述光吸收層用于防止所述氧化物有源層受光線的照射。2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述光吸收層是采用碳化硅或黑色氧化鋯制備的。3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述光吸收層是采用含鐵，鎳、鉻中的任意一種或幾種的有機材料制備的。4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述光吸收層和氧化物有源層之間設(shè)置界面改善層。5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述界面改善層是采用氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化鋯中的任意一種或幾種制備的。6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括用于保護所述氧化物有源層的刻蝕阻擋層，所述光吸收層設(shè)置在所述刻蝕阻擋層的上方或下方。7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括位于所述薄膜晶體管上用于對所述薄膜晶體管進行保護的鈍化層；所述光吸收層設(shè)置在所述鈍化層的上方或下方。8.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括用于保護氧化物有源層的刻蝕阻擋層；所述光吸收層是對刻蝕阻擋層進行離子注入形成的。9.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括位于所述薄膜晶體管上用于對所述薄膜晶體管進行保護的鈍化層；所述光吸收層是對鈍化層進行離子注入形成的。10.如權(quán)利要求8或9所述的陣列基板，其特征在于，所述用于離子注入的離子選自碳離子，鐵離子，鎳離子、鉻離子中的任意一種或幾種。11.如權(quán)利要求1-9任一所述的陣列基板，其特征在于，所述光吸收層在所述陣列基板上的正投影覆蓋所述氧化物有源層的溝道區(qū)。12.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-11任一所述的陣列基板。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板和顯示裝置，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中氧化物有源層受光線的照射，導(dǎo)致薄膜晶體管的I-V曲線發(fā)生漂移的問題。本發(fā)明的陣列基板和顯示裝置由于薄膜晶體管氧化物有源層上方的光吸收層，所述光吸收層用于防止所述氧化物有源層受光線的照射，不會導(dǎo)致薄膜晶體管的I-V曲線發(fā)生漂移，解決氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的光穩(wěn)定性問題。
【IPC分類】H01L27/15, G02F1/015, H01L27/12, G02F1/1333
【公開號】CN105070729
【申請?zhí)枴緾N201510549808
【發(fā)明人】劉廣輝, 周斌
【申請人】京東方科技集團股份有限公司
【公開日】2015年11月18日
【申請日】2015年8月31日