層4的材質(zhì)為酚樹脂且厚度為5um，在介電層4的上表面覆蓋一層保護(hù)層5，保護(hù)層5的材質(zhì)為氮化硅且厚度為5um，如圖3所示；
d、去除對應(yīng)芯片I的輸入輸出端位置的介電層4，再在去除部位采用常規(guī)的沉積工藝形成引出線3和焊球8，引出線3的一端與芯片I的輸入輸出端相連，如圖4所示；
e、沿著基板6的下表面進(jìn)行減薄，將基板6、粘結(jié)劑7以及部分的塑封材料層2和芯片I的下表面去除，最終磨削面停留在芯片I的設(shè)定位置形成封裝半成品，如圖5所示；
f、在封裝半成品上沿著相鄰兩個芯片I之間的切割線將封裝半成品切割成單個封裝結(jié)構(gòu)，如圖6所示。
[0026]
實施例3
一種晶圓級扇出封裝的制作方法包括以下步驟:
a、在基板6的上表面通過粘結(jié)劑7貼裝芯片1，芯片I的輸入輸出端朝上，基板6的材質(zhì)為藍(lán)寶石且厚度為700um，粘結(jié)劑7的材質(zhì)為二氧化硅材料為主的膜狀物質(zhì)且厚度為40um，如圖1所示；
b、在基板6的上表面通過常規(guī)的壓膜工藝形成塑封材料層2，塑封材料層2將芯片I封裝，芯片I的輸入輸出端露出，如圖2所示；
c、在塑封材料層2的上表面涂上介電材料，形成介電層4，介電層4的材質(zhì)為聚酰亞胺且厚度為15um，在介電層4的上表面覆蓋一層保護(hù)層5，保護(hù)層5的材質(zhì)為酚樹脂且厚度為15um，如圖3所示；
d、去除對應(yīng)芯片I的輸入輸出端位置的介電層4，再在去除部位采用常規(guī)的印刷工藝形成引出線3和焊球8，引出線3的一端與芯片I的輸入輸出端相連，如圖4所示；
e、沿著基板6的下表面進(jìn)行減薄，將基板6、粘結(jié)劑7以及部分的塑封材料層2和芯片I的下表面去除，最終磨削面停留在芯片I的設(shè)定位置形成封裝半成品，如圖5所示；
f、在封裝半成品上沿著相鄰兩個芯片I之間的切割線將封裝半成品切割成單個封裝結(jié)構(gòu)，如圖6所示。
[0027]
實施例4
一種晶圓級扇出封裝的制作方法包括以下步驟:
a、在基板6的上表面通過粘結(jié)劑7貼裝芯片1，芯片I的輸入輸出端朝上，基板6的材質(zhì)為玻璃材料且厚度為1mm，粘結(jié)劑7的材質(zhì)為二氧化硅材料為主的膜狀物質(zhì)且厚度為50um，如圖1所示；
b、在基板6的上表面通過常規(guī)的印刷工藝形成塑封材料層2，塑封材料層2將芯片I封裝，芯片I的輸入輸出端露出，如圖2所示；
c、在塑封材料層2的上表面涂上介電材料，形成介電層4，介電層4的材質(zhì)為聚酰亞胺且厚度為20um，在介電層4的上表面覆蓋一層保護(hù)層5，保護(hù)層5的材質(zhì)為聚酰亞胺且厚度為20um，如圖3所示；
d、去除對應(yīng)芯片I的輸入輸出端位置的介電層4，再在去除部位采用常規(guī)的印刷工藝形成引出線3和焊球8，引出線3的一端與芯片I的輸入輸出端相連，如圖4所示；
f、沿著基板6的下表面進(jìn)行減薄，將基板6、粘結(jié)劑7以及部分的塑封材料層2和芯片I的下表面去除，最終磨削面停留在芯片I的設(shè)定位置形成封裝半成品，如圖5所示；
g、在封裝半成品上沿著相鄰兩個芯片I之間的切割線將封裝半成品切割成單個封裝結(jié)構(gòu)，如圖6所示。
【主權(quán)項】
1.一種晶圓級扇出封裝的制作方法，其特征是該封裝方法包括以下步驟: a、在基板(6)的上表面將芯片(I)通過含有與芯片(I)同等面積的粘結(jié)劑(7)固定在設(shè)定位置，芯片(I)的輸入輸出端朝上； b、在基板(6)的上表面形成塑封材料層(2 )，塑封材料層(2 )將芯片(I)封裝，芯片(I)的輸入輸出端露出； c、在塑封材料層(2)的上表面涂上介電材料，形成介電層(4); d、去除對應(yīng)芯片(I)的輸入輸出端位置上方的介電層(4)，再在去除部位形成引出線(3)和焊球(8)，引出線(3)的一端與芯片(I)的輸入輸出端相連； e、沿著基板(6)的下表面進(jìn)行減薄，將基板(6)、粘結(jié)劑(7)以及部分的塑封材料層(2)和芯片(I)的下表面去除，最終磨削面停留在芯片(I)的設(shè)定位置形成封裝半成品； f、在封裝半成品上沿著相鄰兩個芯片(I)之間的切割線將封裝半成品切割成單個封裝結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓級扇出封裝的制作方法，其特征是:所述基板(6)的材質(zhì)為硅、陶瓷、藍(lán)寶石或者玻璃材料，且基板(6)的厚度為lOOum-lmm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓級扇出封裝的制作方法，其特征是:所述粘結(jié)劑(7)的材質(zhì)為環(huán)氧樹脂或者二氧化硅材料為主的液狀或者膜狀物質(zhì)，且粘結(jié)劑(7)的厚度為5um_50umo4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓級扇出封裝的制作方法，其特征是:所述塑封材料層(2)的材質(zhì)是由環(huán)氧樹脂為主體的樹脂，且塑封材料層(2)的厚度與芯片上表面齊平。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓級扇出封裝的制作方法，其特征是:所述塑封材料層(2)通過常規(guī)的填充工藝、噴涂工藝、壓膜工藝或者印刷工藝完成。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓級扇出封裝的制作方法，其特征是:所述介電層(4)的材質(zhì)為二氧化硅、酚樹脂或者聚酰亞胺，且介電層(4)的厚度為lum-20um。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓級扇出封裝的制作方法，其特征是:所述引出線(3)通過常規(guī)的電鍍、印刷或者沉積工藝形成。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓級扇出封裝的制作方法，其特征是:步驟c中，在介電層(4)的上表面覆蓋一層保護(hù)層(5)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種晶圓級扇出封裝的制作方法，其特征是:所述保護(hù)層(5)的材質(zhì)為二氧化硅、氮化硅、酚樹脂或者聚酰亞胺，保護(hù)層(5)的厚度為2um-20um。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種晶圓級扇出封裝的制作方法，它包括以下步驟：在基板的上表面通過粘結(jié)劑貼裝芯片；在基板的上表面進(jìn)行塑封成型，塑封材料層將芯片封裝；在塑封材料層的上表面涂上介電材料，形成介電層；去除對應(yīng)芯片的輸入輸出端位置的介電層，再在去除部位形成引出線和焊球；沿著基板的下表面進(jìn)行減薄，將基板、粘結(jié)劑以及部分的塑封材料層和芯片的下表面去除，最終磨削面停留在芯片的設(shè)定位置形成封裝半成品；在封裝半成品上沿著相鄰兩個芯片之間的切割線將封裝半成品切割成單個封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能夠極大地減少扇出式封裝制程的工藝步驟，極大的減少了其封裝成本，同時保證了封裝的可靠性。
【IPC分類】H01L21/60, H01L21/50, H01L21/56
【公開號】CN105097566
【申請?zhí)枴緾N201510377660
【發(fā)明人】姜峰, 陸原
【申請人】華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2015年7月1日