具有低反射黑底的平板顯示器及其制造方法
【專利說明】
[0001] 本申請要求2014年5月22日提交的韓國專利申請No. 10-2014-0061756號的優(yōu) 先權，該申請出于所有目的以引用方式并入本文，如同在本文中完全闡明。
技術領域
[0002] 本公開涉及具有低反射黑底的平板顯示器及其制造方法。尤其是，本公開涉及具 有黑底的平板顯示器及其制造方法，該黑底包含模糊層（hazy layer)以防從外部入射的光 被直接反射到用戶。
【背景技術】
[0003] 現(xiàn)在，為了克服陰極射線管的眾多缺點（諸如，重重量和大體積），開發(fā)了各種平 板顯示裝置。平板顯示裝置包括液晶顯示裝置（或LCD)、場致發(fā)射顯示器（或FED)、等離 子體顯示面板（或TOP)及電致發(fā)光裝置（或EL)。尤其是，日益需要采用低溫多晶硅（或 LTPS)作為溝道器件的高品質(zhì)平板顯示器。
[0004] 電致發(fā)光顯示裝置按照發(fā)光材料分為無機發(fā)光二極管顯示裝置和有機發(fā)光二極 管顯示裝置。作為自發(fā)光顯示裝置，電致顯示裝置具有反應速度很快、亮度很高及視角大的 優(yōu)點。尤其是，由于高能效、低電流泄漏并易于使用電流控制再現(xiàn)顏色，日益需要有機發(fā)光 二極管顯示器。
[0005] 圖1是示出有機發(fā)光二極管結構的圖示。如圖1中所示，有機發(fā)光二極管包括有 機發(fā)光材料層，以及其間帶有有機發(fā)光材料層的、相互面對的陰極和陽極。有機發(fā)光材料層 包括空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、發(fā)光層EML、電子傳輸層ETL和電子注入層EIL。有 機發(fā)光二極管由于在激發(fā)態(tài)形成的激發(fā)子的能量而輻射光，在所述激發(fā)態(tài)下，空穴和電子 在發(fā)光層EML中復合。
[0006] 有機發(fā)光二極管由于在激發(fā)態(tài)形成的激發(fā)子的能量而輻射光，在所述激發(fā)態(tài)下， 來自陽極的空穴和來自陰極的電子在在發(fā)光層EML中復合。有機發(fā)光二極管顯示器能夠通 過控制如圖1中所示有機發(fā)光二極管的發(fā)光層EML所產(chǎn)生和輻射的光的量（或"亮度"）而 表現(xiàn)視頻數(shù)據(jù)。
[0007] 使用有機發(fā)光二極管的有機發(fā)光二極管顯示器（或0LED)可以分為無源矩陣型有 機發(fā)光二極管顯示器（或PM0LED)和有源矩陣型有機發(fā)光二極管顯示器（或AM0LED)。
[0008] 有源矩陣型有機發(fā)光二極管顯示器（或AM0LED)通過使用薄膜晶體管（或TFT) 控制施加到有機發(fā)光二極管的電流來顯示視頻數(shù)據(jù)。
[0009] 圖2是示出有源矩陣有機發(fā)光二極管顯示器（或AM0LED)內(nèi)一個像素的結構的示 例性電路圖。圖3是示出根據(jù)相關技術使用薄膜晶體管的AMOLED的結構的平面圖。圖4是 沿圖3中截線1-1'的剖視圖，用于示出根據(jù)相關技術的底部發(fā)光型AMOLED的結構。圖5 是沿圖3中截線1-1'的剖視圖，用于示出根據(jù)相關技術的頂部發(fā)光型AMOLED的結構。因 為平面圖中并未示出底部發(fā)光型和頂部發(fā)光型之間的差異，所以圖3是通用的。
[0010] 參照圖2和3,有源矩陣有機發(fā)光二極管顯示器包括開關薄膜晶體管ST、連接到 開關薄膜晶體管ST的驅(qū)動薄膜晶體管DT、連接到驅(qū)動薄膜晶體管DT的有機發(fā)光二極管 OLED。掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL和驅(qū)動電流線VDD形成在基板SUB上以限定像素區(qū)。有機發(fā)光 二極管OLED形成在像素區(qū)內(nèi)以限定發(fā)光區(qū)。
[0011] 開關薄膜晶體管ST形成在掃描線SL和數(shù)據(jù)線DL交叉的位置。開關薄膜晶體管 ST起到選擇哪個像素連接到開關薄膜晶體管ST的作用。開關薄膜晶體管ST包括從選通線 GL分支的柵極SG、與柵極SG重疊的半導體溝道層SA、源極SS和漏極SD。驅(qū)動薄膜晶體管 DT起到驅(qū)動位于開關薄膜晶體管ST所選擇的像素處的有機發(fā)光二極管OD的陽極ANO的作 用。
[0012] 驅(qū)動薄膜晶體管DT包括連接到開關薄膜晶體管ST的漏極SD的柵極DG、半導體溝 道層DA、連接到驅(qū)動電流線VDD的源極DS以及漏極DD。驅(qū)動薄膜晶體管DT的漏極DD連 接到有機發(fā)光二極管OLED的陽極ΑΝ0。有機發(fā)光層OLE插入陽極ANO與陰極CAT之間。陰 極CAT連接到基礎電壓（或，地電壓）VSS。有存儲電容Cst位于驅(qū)動薄膜晶體管DT的柵極 DG和驅(qū)動電流線VDD之間或位于驅(qū)動薄膜晶體管DT的柵極DG和驅(qū)動薄膜晶體管DT的漏 極DD之間。
[0013] 參照圖4,我們將詳細解釋底部發(fā)光型有機發(fā)光二極管顯示器。在有源矩陣有機 發(fā)光二極管顯示器的基板SUB上，分別形成開關薄膜晶體管ST和驅(qū)動薄膜晶體管DT的柵 極SG和DG。柵絕緣層GI沉積在柵極SG和DG上。在與柵極SG和DG重疊的柵絕緣層GI 上，分別形成半導體層SA和DA。在半導體層SA和DA上，形成相互面對并相互分離的源極 SS和DS及漏極SD和DD。開關薄膜晶體管ST的漏極SD經(jīng)由穿透柵絕緣層GI的漏接觸孔 DH連接到驅(qū)動薄膜晶體管DT的柵極DG。鈍化層PAS沉積在具有開關薄膜晶體管ST和驅(qū) 動薄膜晶體管DT的基板SUB上。
[0014] 如上所述，因為有許多元件，所以具有薄膜晶體管ST和DT的基板SUB具有不平坦 的表面和高度差。有機發(fā)光層OL可優(yōu)選地形成在平坦表面上，以在有機發(fā)光層OL的整個區(qū) 域上確保一致的發(fā)光分布。因為，為了使基板SUB的表面光滑，涂覆層（over coat layer) OC (或，平面層）沉積在基板SUB上。
[0015] 在涂覆層OC上，形成有機發(fā)光二極管OLE的陽極ANO。這里，陽極ANO經(jīng)由形成在 涂覆層OC和鈍化層PAS處的像素接觸孔PH連接到驅(qū)動薄膜晶體管DT的漏極DD。
[0016] 在具有陽極ANO的基板SUB上，堤狀物（bank)(或"堤狀物圖案"）形成在具有開 關薄膜晶體管ST、驅(qū)動薄膜晶體管DT和各種線DL、SL及VDD的區(qū)域上，用于限定發(fā)光區(qū)。 陽極ANO被堤狀物BN暴露的部分將成為發(fā)光區(qū)。有機發(fā)光層OL形成在從堤狀物BN暴露 的陽極ANO上。陰極CAT形成在有機發(fā)光層OL上。
[0017] 間隔體SP可位于具有陰極CAT的基板SUB上。優(yōu)選地，間隔體SP位于包括在非 發(fā)光區(qū)內(nèi)的堤狀物BM上。密封（encap)基板ENC覆蓋并層合在下基板SUB的上側，使間隔 體SP在其間。為了連接密封基板ENC和下基板SUB，可在它們之間插入粘合劑層或粘合劑 材料（未示出）。
[0018] 在底部發(fā)光型且全彩色的AMOLED的情況下，從有機發(fā)光層OL發(fā)射的光向下基板 SUB輻射。因此，優(yōu)選地，濾色器CF位于涂覆層OC和鈍化層PAS之間，而陽極ANO由透明導 電材料制成。另外，優(yōu)選地，陰極CAT包括具有良好反射屬性的金屬材料，用于將來自有機 發(fā)光層OL的光朝下基板SUB反射。另外，有機發(fā)光層OL可包括產(chǎn)生白光的有機材料。有 機發(fā)光層OL和陰極CAT可沉積為覆蓋下基板SUB的整個表面。
[0019] 下文中，參照圖5,將說明頂部發(fā)光型全彩有機發(fā)光二極管顯示器。基本結構與底 部發(fā)光型非常相似。因此，關于相同結構的說明可不再提及。對于頂部發(fā)光型的情況，來自 有機發(fā)光層OL的光朝位于下基板SUB上的密封基板ENC輻射。因此，優(yōu)選地，陽極ANO具 有良好的反射屬性，陰極CAT由透明導電材料制成。
[0020] 為了重現(xiàn)/表現(xiàn)全彩色，每個像素內(nèi)的有機發(fā)光層OL可包括位于每個像素內(nèi)的紅 色、綠色和藍色中的任一顏色。陰極CAT可沉積為覆蓋下基板SUB的整個表面。否則，有機 發(fā)光層OL可包括產(chǎn)生白光的有機材料，濾色器CF可以位于有機發(fā)光層OL上或陰極CAT上。 這里，方便起見，附圖示出濾色器CF位于陰極CAT上。濾色器