的陽極ANO上。陰極CAT形成在有機(jī)發(fā)光層OL上。
[0054] 間隔體SP可以位于具有陰極CAT的基板SUB上。優(yōu)選地，間隔體SP位于包括在 非開放區(qū)NA (或，非發(fā)光區(qū)）內(nèi)的堤狀物BM上。密封基板ENC覆蓋并層合在下基板SUB的 上側(cè)，使間隔體SP在其間。為了連接密封基板ENC和下基板SUB，可以在它們之間插入粘合 劑層或粘合劑材料（未示出）。
[0055] 在底部發(fā)光型且全彩色的AMOLED的情況下，從有機(jī)發(fā)光層OL發(fā)射的光向下基板 SUB輻射。因此，優(yōu)選地，濾色器CF位于涂覆層OC和鈍化層PAS之間，陽極ANO由透明導(dǎo)電 材料制成。另外，優(yōu)選地，陰極CAT包括具有良好反射屬性的金屬材料，用于將來自有機(jī)發(fā) 光層OL的光朝下基板SUB反射。另外，有機(jī)發(fā)光層OL可包括產(chǎn)生白光的有機(jī)材料。有機(jī) 發(fā)光層OL和陰極CAT可沉積為覆蓋下基板的整個(gè)表面。
[0056] 當(dāng)使用底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管顯示器時(shí)，用戶從基板SUB的外表面觀看或觀 察視頻信息。還可在面對用戶的基板SUB的內(nèi)表面上包括黑底BM，黑底BM正覆蓋非開放區(qū) NA。通過混合鄰近的兩種顏色（即，紅和綠或綠和藍(lán)），黑底BM可避免顏色失真。另外，黑 底BM可避免外部光被薄膜晶體管ST和DT或線DL、GL及VDD反射。
[0057] 也就是說，優(yōu)選地，黑底BM由黑色材料制成。然而，所有黑色材料都具有一定的反 射屬性，即使其程度低。因此，外部光可被黑底BM反射，這樣，用戶可注意到反射光。另外， 當(dāng)顯示器未使用時(shí)，由于黑底BM，導(dǎo)致非開放區(qū)NA可具有比開放區(qū)AA更高的反射性。結(jié) 果，用戶可注意到黑條，以致顯示器的觀察質(zhì)量可下降。另外，當(dāng)顯示器工作時(shí)，由于黑底BM 反射的光，導(dǎo)致顯示器的顏色可失真，以致原始的顏色非適當(dāng)?shù)刂噩F(xiàn)或表現(xiàn)。
[0058] 在本公開的第一實(shí)施方式中，在黑底BM之下還包括模糊層SI0,用于解決位于底 部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的非開放區(qū)的黑底BM反射光的問題。模糊層SIO插入在黑 底BM和基板SUB之間。模糊層SIO可以包含無機(jī)材料（諸如，氧化硅SiOx、氮化硅SiNx， 或非晶硅a-Si)。尤其是，優(yōu)選地，模糊層SIO具有提高的粗糙度，所述提高的粗糙度是因?qū)?與黑底BM的界面進(jìn)行表面處理而得到的。
[0059] 下文中，參照圖9A到9E及11，將說明根據(jù)本公開的第一實(shí)施方式的用于制造底部 發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法。圖9A到9E是示出根據(jù)本公開的第一實(shí)施方式的用 于制造底部發(fā)光型AMOLED的方法的剖視圖。圖11是示出根據(jù)本公開的用于制造有機(jī)發(fā)光 二極管顯示器的方法的流程圖。這里，附圖示出在非開放區(qū)內(nèi)形成包括模糊層SIO的黑底 BM以及形成緩沖層BM。在本公開中，后面的工藝并不那么重要，所以為了方便，沒有對其進(jìn) 行說明。
[0060] 如圖9A中所示，在基板SUB的內(nèi)表面上，通過沉積厚度200A到5000A的氧化硅 SiOx、氮化娃SiNx或非晶娃a-Si而形成無機(jī)層SI。由于使用針對無機(jī)材料的沉積法，無機(jī) 層SI具有低粗糙度，即，該表面非常光滑或處于平坦?fàn)顩r。因此，無機(jī)層SI不可被原樣用 作用于減少反射的元件（參照圖11中的S10)。
[0061] 如圖9B中所示，通過在無機(jī)層SI的頂表面上進(jìn)行表面處理，無機(jī)層SI的表面被 制成具有提高的粗糙度，使得形成模糊層SI0。例如，使用干蝕刻工藝或濕蝕刻工藝，無機(jī)層 SI的頂表面可以具有提高的粗糙度。否則，使用等離子體處理，無機(jī)層SI的某些厚度可被 不規(guī)則氧化，使得無機(jī)層SI的頂表面可具有提高的粗糙度。（參照圖11中的S20)
[0062] 如圖9C中所示，通過沉積黑色材料并將其圖案化，黑底BM形成在非開放區(qū)NA上 方。薄膜晶體管ST和DT及線SUDL及VDD隨后形成在非開放區(qū)NA內(nèi)。（參照圖11中的 S30)
[0063] 如圖9D中所示，使用黑底BM作為掩模將模糊層SIO圖案化，覆蓋開放區(qū)AA的模 糊層SIO的部分被去除。黑底BM和模糊層SIO之間的界面具有提高的粗糙度，黑底BM和 模糊層SIO堆疊起來。另一方面，在開放區(qū)AA，沒有模糊層SI0。（參照圖11中的S40)
[0064] 如圖9E中所示，緩沖層BUF沉積在具有黑底BM和模糊層SIO的基板SUB上，所述 黑底BM和模糊層SIO僅堆疊在非開放區(qū)NA內(nèi)。因?yàn)楹诘譈M和模糊層SIO僅位于非開放 區(qū)內(nèi)，所以基板SUB的表面不是平坦的或光滑的狀況。如果薄膜晶體管ST和DT及有機(jī)發(fā) 光二極管OLE形成在不平坦的表面上，則不確保元件的特性。因此，優(yōu)選地，緩沖層BUF沉 積在基板SUB上，用于獲得平坦表面。此后，盡管其未在附圖中示出，但形成薄膜晶體管ST 和DT，形成濾色器CF，形成包括陽極ΑΝ0、有機(jī)發(fā)光層OL和陰極CAT的有機(jī)發(fā)光二極管OLE。 (參照圖11中的S50)
[0065] 下文中，參照圖8,將說明根據(jù)本公開第二實(shí)施方式的頂部發(fā)光型全彩色有機(jī)發(fā)光 二極管顯示器。圖8是沿圖5中截線II-II'的剖視圖，用于示出根據(jù)本公開的第二實(shí)施方 式的頂部發(fā)光型AMOLED的結(jié)構(gòu)。頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的基本結(jié)構(gòu)和底部發(fā) 光型的基本結(jié)構(gòu)非常相似。因?yàn)?，相似或共同的結(jié)構(gòu)將不予說明。
[0066] 對于頂部發(fā)光型的情況來說，來自有機(jī)發(fā)光層OL的光向位于下基板SUB上方的密 封基板ENC輻射。因此，優(yōu)選地，陽極ANO由具有良好反射特性的材料制成，陰極CAT由透 明的導(dǎo)電材料制成。
[0067] 為了再現(xiàn)/表現(xiàn)全彩色，每個(gè)像素內(nèi)的有機(jī)發(fā)光層OL可包括位于每個(gè)像素內(nèi)的紅 色、綠色和藍(lán)色中的任一種顏色。陰極CAT可沉積為覆蓋下基板SUB的整個(gè)表面。否則，有 機(jī)發(fā)光層OL可包括產(chǎn)生白光的有機(jī)材料，濾色器CF可以位于有機(jī)發(fā)光層OL上或陰極CAT 上。
[0068] 這里，方便起見，將說明下濾色器CFL位于有機(jī)發(fā)光層OL和陰極CAT之間。下濾 色器CFL包括紅濾色器R、綠濾色器G和藍(lán)濾色器B。另外，每個(gè)下濾色器CFL的厚度互不 相同。這意味著，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器采用微腔結(jié)構(gòu)，以提高色效率。也就是說，為了使 陽極ANO和陰極CAT之間的距離對應(yīng)于該顏色波長的整數(shù)倍，可控制每個(gè)像素內(nèi)的下濾色 器CFL的厚度。為了在附圖中示出這些結(jié)構(gòu)特征，下濾色器CFL的厚度示出為非常厚。實(shí) 際上，優(yōu)選地，下濾色器CFL具有合適的厚度以在插入于陽極ANO和陰極CAT之間的有機(jī)發(fā) 光層OL上得到足夠的亮度。
[0069] 另外，在第二實(shí)施方式中，為了提高色純度，在密封基板ENC的內(nèi)表面處還可以包 括上濾色器CFU。優(yōu)選地，上濾色器CFU可被設(shè)置成與下濾色器CFL精確重疊。
[0070] 對于頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管顯示器來說，用戶在密封基板ENC的外側(cè)觀看或 觀察視頻信息。還可在面對用戶的密封基板ENC的內(nèi)表面上包括黑底BM，黑底BM正覆蓋非 開放區(qū)NA。黑底BM可通過混合鄰近的兩種顏色（即，紅和綠或綠和藍(lán)）避免顏色失真。
[0071] 例如，優(yōu)選地，黑底BM由黑色材料制成。然而，所有黑色材料都具有一定的反射屬 性，即使其程度低。因?yàn)?，外部光可被黑底BM反射，這樣用戶可注意到反射光。另外，當(dāng)顯 示器未使用時(shí)，由于黑底BM，導(dǎo)致非開放區(qū)NA可具有比開放區(qū)AA更高的反射性。結(jié)果，用 戶可注意到黑條，以致顯示器的觀察質(zhì)量可下降。另外，當(dāng)顯示器工作時(shí)，由于黑底BM反射 的光，導(dǎo)致顯示器的顏色可失真，以致原始的顏色非適當(dāng)?shù)刂噩F(xiàn)或表現(xiàn)。
[0072] 在本公開的第二實(shí)施方式中，在黑底BM之下還包括模糊層SI0,用于解決位于頂