發(fā)光器件和具有該發(fā)光器件的發(fā)光設(shè)備的制造方法
【專利說明】
[0001] 本申請是2012年5月4日提交的申請?zhí)枮?01210138022. 5,發(fā)明名稱為"發(fā)光器 件和具有該發(fā)光器件的發(fā)光設(shè)備"的專利申請的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 實(shí)施例可W設(shè)及發(fā)光器件和/或發(fā)光設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0003] III-V族氮化物半導(dǎo)體由于其物理和化學(xué)特性而被用作諸如發(fā)光二極管（LED)或 者激光二極管（LD)的發(fā)光器件的主要材料。III-V族氮化物半導(dǎo)體可W包括具有組成式 IrixAlyGaiXyN(〇《X《1、0《y《1和0《x+y《1)的半導(dǎo)體材料。
[0004]L邸是半導(dǎo)體器件，其通過下述方式來發(fā)送/接收信號：即，通過使用化合物半導(dǎo) 體的特性將電子信號轉(zhuǎn)換為紅外線或者光。L邸也可W被用作光源。 陽〇化]使用氮化物半導(dǎo)體材料的L邸或者LD可W用于發(fā)光器件，W提供光。例如，L邸或 者LD可W被用作諸如蜂窩電話（或移動終端）的小鍵盤發(fā)光部分、電子招牌和/或照明裝 置的各種產(chǎn)品的光源。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 實(shí)施例可W提供具有新穎結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。
[0007] 實(shí)施例可W提供晶片級封裝的發(fā)光器件。
[0008] 實(shí)施例可W提供發(fā)光器件及其制造方法，其中，該發(fā)光器件包括支撐構(gòu)件，該支撐 構(gòu)件具有在第一和第二電極的外圍表面上形成的基于陶瓷的添加物。
[0009] 實(shí)施例可W提供具有發(fā)光器件的發(fā)光設(shè)備、發(fā)光器件封裝和/或照明裝置。
[0010] 一種發(fā)光器件可W包括：襯底；發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電 半導(dǎo)體層、和在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層；在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體 層下的第一電極；在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的反射電極層；在反射電極層下的第二電極；在 第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和反射電極層下布置的支撐構(gòu)件（在第一和第二電極周圍布置支撐構(gòu) 件）；在第一電極下的第一連接電極（第一連接電極的至少一部分被布置在支撐構(gòu)件中）； W及，在第二電極下的第二連接電極（第二連接電極的至少一部分被布置在支撐構(gòu)件中）。
[0011] 一種發(fā)光器件可W包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體 層、和在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層；在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的 第一電極；在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的反射電極層；在反射電極層下的第二電極，所述反射 電極層的一部分設(shè)置在所述第二電極和所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間；在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層 和反射電極層下布置的支撐構(gòu)件（在第一和第二電極周圍布置支撐構(gòu)件）；在第一電極下 的第一連接電極（第一連接電極的至少一部分被布置在支撐構(gòu)件中）；W及，在第二電極下 的第二連接電極（第二連接電極的至少一部分被布置在支撐構(gòu)件中）。
[0012] 一種發(fā)光設(shè)備可W包括：多個發(fā)光器件；W及，模炔基板，用于在其上安裝發(fā)光器 件，并且包括第一和第二電極焊盤。每一個發(fā)光器件可W包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括第一導(dǎo)電 半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層、和在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層； 在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的第一電極；在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的反射電極層；在反射電極層 下的第二電極；在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和反射電極層下布置的支撐構(gòu)件（在所述第一和第二 電極周圍布置支撐構(gòu)件）；在第一電極下的第一連接電極（第一連接電極的至少一部分被 布置在支撐構(gòu)件中）；W及，在第二電極下的第二連接電極，第二連接電極的至少一部分被 布置在支撐構(gòu)件中。
[0013] 一種用于制造發(fā)光器件的方法可W包括：形成發(fā)光結(jié)構(gòu)，發(fā)光結(jié)構(gòu)包括在襯底上 的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；蝕刻發(fā)光結(jié)構(gòu)，使得部分地暴露第一 導(dǎo)電半導(dǎo)體層；在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成反射電極層；在反射電極層和發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成絕緣層； 在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成第一電極，并且在反射電極層上形成第二電極；在第一電極上 形成第一連接電極，并且在第二電極上形成第二連接電極；在絕緣層上形成支撐構(gòu)件，使得 支撐構(gòu)件具有與第一和第二連接電極的頂表面對應(yīng)的高度；在已經(jīng)形成支撐構(gòu)件后去除襯 底；并且，在支撐構(gòu)件中形成基于陶瓷的熱擴(kuò)散體。
[0014] 一種用于制造發(fā)光器件的方法可W包括：形成發(fā)光結(jié)構(gòu)，發(fā)光結(jié)構(gòu)包括在襯底上 的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；蝕刻發(fā)光結(jié)構(gòu)，使得部分地暴露第一 導(dǎo)電半導(dǎo)體層；在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成反射電極層；在反射電極層和發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成絕緣層. 在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成第一電極，并且在反射電極層上形成第二電極；在第一電極上 形成第一連接電極，并且在第二電極上形成第二連接電極；并且，在絕緣層上形成支撐構(gòu) 件，使得支撐構(gòu)件具有與第一和第二連接電極的頂表面對應(yīng)的高度，其中，在支撐構(gòu)件中形 成基于陶瓷的熱擴(kuò)散體。
[0015] 根據(jù)實(shí)施例，可W改善用于發(fā)光器件的倒裝工藝。
[0016] 根據(jù)實(shí)施例，W晶片級封裝發(fā)光器件，使得可W省略封裝工藝，由此減少制造步 驟。
[0017] 根據(jù)實(shí)施例，可W改善發(fā)光器件的光提取效率。
[001引根據(jù)實(shí)施例，可W改善發(fā)光器件的散熱效率。
[0019] 根據(jù)實(shí)施例，可W改善具有發(fā)光器件（通過倒裝方案安裝）的發(fā)光設(shè)備、顯示裝置 和照明裝置的可靠性。
【附圖說明】
[0020] 將參考下面的附圖詳細(xì)描述布置和/或?qū)嵤├?，在附圖中，相似的附圖標(biāo)記指示 相似的元件，并且在附圖中：
[0021] 圖1是根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖；
[0022] 圖2是圖1中所示的發(fā)光器件的底視圖；
[0023] 圖3至9是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的制造工藝的截面圖；
[0024] 圖10是具有在圖1中所示的發(fā)光器件的發(fā)光設(shè)備的側(cè)截面圖；
[00巧]圖11是根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖；
[00%] 圖12是根據(jù)第=實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖；
[0027] 圖13和14分別是根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖和底視圖；
[002引圖15和16分別是根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖和底視圖；
[0029] 圖17是根據(jù)第六實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖；
[0030] 圖18是根據(jù)第屯實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖；
[0031] 圖19是根據(jù)第八實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖；
[0032] 圖20是根據(jù)第九實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖；
[0033] 圖21是示出圖20的反射電極層和第二電極焊盤的示例的視圖；
[0034] 圖22是示出圖20的第二電極結(jié)合層的示例的視圖；
[0035] 圖23是示出圖20的第一電極結(jié)合層的示例的視圖；
[0036] 圖24是示出圖20的第二電極結(jié)合層的示例的視圖；
[0037] 圖25是示出具有圖1的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的視圖；
[003引圖26根據(jù)第十實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖；
[0039] 圖27是在圖26中所示的發(fā)光器件的底視圖； W40] 圖28至37是示出在圖26中所示的發(fā)光器件的制造工藝的截面圖；
[0041] 圖38是具有在圖26中所示的發(fā)光器件的發(fā)光設(shè)備的側(cè)截面圖；
[0042] 圖39是根據(jù)第十一實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖；
[0043] 圖40是根據(jù)第十二實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖；
[0044] 圖41和42分別是根據(jù)第十=實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖和底視圖；
[0045] 圖43和44分別是根據(jù)第十四實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖和底視圖；
[0046] 圖45是根據(jù)第十五實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖；
[0047] 圖46是根據(jù)第十六實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖；
[0048] 圖47是根據(jù)第十屯實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖；
[0049] 圖48是根據(jù)第十八實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖；
[0050] 圖49是具有圖26的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的截面圖；
[0051] 圖50是示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的分解透視圖； 陽05引圖51是示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的截面圖；W及
[0053] 圖52是示出根據(jù)實(shí)施例的照明裝置的透視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0054] 可W理解，當(dāng)層（或膜）、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)被稱為在另一個襯底、另一個層（或 膜）、另一個區(qū)域、另一個焊盤或另一個圖案"上"或"下"時，它可直接地"或"間接地" 在該另一個襯底、層（或膜）、區(qū)域、焊盤、或圖案上，并且/或者，也可W存在一個或多個中 間層?？蒞參考附圖描述了該層的位置。
[0055] 為了方便或清楚的目的，可能夸大、省略和/或示意地繪制（在附圖中所示的）每 層的厚度和大小。另外，元件的大小不完全地反映實(shí)際大小。
[0056] 將參考附圖描述實(shí)施例。
[0057] 圖1是根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖。圖2是圖1中所示的發(fā)光器件的 底視圖。也可W提供其他實(shí)施例和配置。
[0058] 參見圖1和2,發(fā)光器件100可W包括：襯底111、第一半導(dǎo)體層113、第一導(dǎo)電半導(dǎo) 體層115、有源層117、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、反射電極層131、絕緣層133、第一電極135、 第二電極137、第一連接電極141、第二連接電極143、和支撐構(gòu)件151。
[0059] 襯底111可W包括透射襯底、絕緣襯底和/或?qū)щ娨r底。例如，襯底111可W包括 AI2O3、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge和 / 或Ga2〇3的至少一種?？蒞在襯底 111 的一個橫向側(cè)上形成諸如凹凸圖案的光提取結(jié)構(gòu)?？蒞通過蝕刻襯底或在襯底上形成粗糖 部分來形成凹凸圖案。凹凸圖案可W具有條紋狀或凸透鏡形狀。
[0060] 第一半導(dǎo)體層113可W形成在襯底111下。第一半導(dǎo)體層113可W包括II至VI 族化合物半導(dǎo)體。通過使用II至VI族化合物半導(dǎo)體，第一半導(dǎo)體層113可W被形成為單 層或多層。例如，第一半導(dǎo)體層113可W包括III-V族化合物半導(dǎo)體，該III-V族化合物半 導(dǎo)體包括GaN、InN、A1N、InGaN、AlGaN、InAlGaN和/或AlInN的至少一種。第一半導(dǎo)體層 113可W包括諸如化0的氧化物，但是實(shí)施例不限于此。
[0061] 第一半導(dǎo)體層113可W包括緩沖層。緩沖層可W在襯底111和氮化物半導(dǎo)體層之 間減小晶格失配。
[0062] 第一半導(dǎo)體層113可W包括未滲雜半導(dǎo)體層。未滲雜的半導(dǎo)體層可W被制備為包 括III-V族化合物半導(dǎo)體的GaN基的半導(dǎo)體層。未滲雜的半導(dǎo)體層可W具有第一導(dǎo)電屬性， 即使當(dāng)在制造工藝中未有意添加導(dǎo)電滲雜物時也是如此。另外，未滲雜的半導(dǎo)體層可W具 有比第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的導(dǎo)電滲雜物低的滲雜物濃度。
[0063] 第一半導(dǎo)體層113可W包括緩沖層和/或未滲雜半導(dǎo)體層的至少一個，但是實(shí)施 例不限于此。
[0064] 發(fā)光結(jié)構(gòu)120可W形成在第一半導(dǎo)體層113上。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可W包括III-V族化 合物半導(dǎo)體。例如，發(fā)光結(jié)構(gòu)120可W包括具有組成式IrixAlyGaiXyN(0《X《1、0《y《1 和0《x+y《1)的半導(dǎo)體，并且可W發(fā)射具有在紫外線帶至可見光帶的波長范圍中的預(yù)定 峰值波長的光。 陽0化]發(fā)光結(jié)構(gòu)120可W包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、W及在第 一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119之間的有源層117。
[0066] 第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115形成在第一半導(dǎo)體層113下。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115可W 包括滲雜了第一導(dǎo)電滲雜物的III-V族化合物半導(dǎo)體。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115是N型半導(dǎo) 體層，并且第一導(dǎo)電滲雜物是包括Si、Ge、Sn、Se和/或Te的至少一種的N型滲雜物。
[0067] 可W在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115和第一半導(dǎo)體層113之間形成包括在彼此之上交替 堆疊的各種半導(dǎo)體層的超晶格結(jié)構(gòu)。超晶格結(jié)構(gòu)可W減少晶格缺陷。超晶格結(jié)構(gòu)的每層可 W具有大約幾個A或更大的厚度。
[0068] 第一導(dǎo)電包覆層可W形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115和有源層117之間。第一導(dǎo)電 包覆層可W包括GaN基的半導(dǎo)體，并且可W具有比有源層117大的帶隙。第一導(dǎo)電包覆層 可W限制載流子。
[0069] 有源層117可W形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115下。有源層117可W選擇性地 包括單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)和/或量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)，并且有源層117可W 具有阱層和勢壘層的周期。阱層可W具有組成式InxAlyGalxyN(0《x《l、0《y《l 和0《x+y《1)，并且，勢壘層可W具有組成式IrixAlyGaiXyN(〇《X《1、0《y《1和 0《x+y《1)。
[0070]通過使用InGaN/GaN、AlGaN/GaN、InGaN/AlGaN和 / 或InGaN/InGaN的堆疊結(jié)構(gòu)， 阱層/勢壘層可W具有至少一個周期。勢壘層可W包括具有比阱層大（或高）的帶隙的半 導(dǎo)體材料。
[0071] 第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119可W形成在有源層117下。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119可W包 括滲雜了第二導(dǎo)電滲雜物的半導(dǎo)體。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119可W包括化合物半導(dǎo)體， 諸如GaN、InN、A1N、InGaN、AlGaN、InAlGaN和 / 或AlInN。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層 119 可W是P 型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電滲雜物可W是P型滲雜物，諸如Mg、Zn、化、Sr和/或Ba。
[0072] 第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119可W包括超晶格結(jié)構(gòu)，諸如InGaN/GaN和/或AlGaN/GaN。 供應(yīng)給第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的異常電流可W利用超晶格結(jié)構(gòu)來擴(kuò)散，由此保護(hù)有源層 117。
[0073] 另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115可W被制備為P型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層 119可W被制備為N型半導(dǎo)體層?？蒞在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119上形成具有與第二導(dǎo)電半 導(dǎo)體層119相反的極性的第=導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
[0074](發(fā)光器件100的）發(fā)光結(jié)構(gòu)120可W被第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117和第 二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119限定。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可W具有N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu) 和/或P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)的至少一個。在運(yùn)個示例中，符號"N"和叩"分別表示N和P型半導(dǎo) 體層，并且符號表示兩層直接地或間接地彼此堆疊。為了容易說明，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層 119可W被稱為發(fā)光結(jié)構(gòu)120的最上層。
[0075] 反射電極層131可W形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119下。反射電極層131可W包括 歐姆接觸層、反射層、擴(kuò)散勢壘層和/或保護(hù)層的至少一個。
[0076] 反射電極層131可W包括下述結(jié)構(gòu)：歐姆接觸層/反射層/擴(kuò)散勢壘層/保護(hù)層、 反射層/擴(kuò)散勢壘層/保護(hù)層、歐姆接觸層/反射層/保護(hù)層、反射層/擴(kuò)散勢壘層、和/ 或者反射層。
[0077] 歐姆接觸層可W接觸第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的下表面，其中，歐姆接觸層的接觸 區(qū)域?qū)?yīng)于基于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的下表面區(qū)域的70%或更大。歐姆接觸層可W包 括從由口0 (銅錫氧化物）、IZO(銅鋒氧化物）、IZTO(銅鋒錫氧化物）、IAZO(銅侶鋒氧化 物）、IGZO(銅嫁鋒氧化物）、IGTO(銅嫁錫氧化物）、AZO(侶鋒氧化物）、ATO(錬錫氧化物）、 GZO(嫁鋒氧化物）、SnO、InO、InSiO、化0、IrOx、RuOx、NiO、Ni、Cr及其化合物和/或合金 組成的組中選擇的一個。歐姆接觸層可W包括具有大約I至:l，〇烘)A的厚度的至少一層。
[0078] 在歐姆接觸層下形成的反射層可W包括具有大約70%或更大的反射率的材料。例 如，反射層可W包括從由A1、Ag、Ru、Pt化、Pt、Ir和具有上面的元素的至少兩種的合金組 成的組中選擇的一個。反射層的金屬可W與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的下表面進(jìn)行歐姆接 觸。在運(yùn)個示例中，可W省略歐姆接觸層。反射層可W具有大約1至]0,00()A的厚度。 陽0巧]擴(kuò)散勢壘層可W包括從由Au、Cu、冊、Ni、Mo、V、W、化、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti和具 有上面的元素的至少兩種的合金組成的組選擇的一個。擴(kuò)散勢壘層可W防止在兩個不同層 之間的邊界區(qū)域處的層間擴(kuò)散。擴(kuò)散勢壘層可W具有大約1至K)，()()〇A的厚度。
[0080] 保護(hù)層可W包括從由Au、Cu、冊、Ni、Mo、V、W、化、Ru、Pt、Pd、La、化、Ti和具有上 面的元素的至少兩種的合金組成的組中選擇的一個。保護(hù)層可W具有大約I至10,00化i的 厚度。
[0081] 反射電極層131可W包括透射電極層/反射層的堆疊結(jié)構(gòu)。反射電極層131可W 包括從由口0 (銅錫氧化物）、IZO(銅鋒氧化物）、IZTO(銅鋒錫氧化物）、IAZO(銅侶鋒氧 化物）、IGZO(銅嫁鋒氧化物）、IGTO(銅嫁錫氧化物）、AZO(侶鋒氧化物）、ATO(錬錫氧化 物）、GZO(嫁鋒氧化物）、SnO、InO、In化0、化0、Ir化和/或Ru化組成的組中選擇的一個。 反射層可W形成在透射電極層下。反射層可W包括具有第一折射率的第一層和具有第二折 射率的第二層。反射層可W包括堆疊結(jié)構(gòu)，其中，至少兩對的第一和第二層交替地堆疊。第 一折射率與第二折射率不同，并且第一和第二層可W包括具有在1. 5至2. 4的范圍中的折 射率的材料。例如，第一和第二層可W包括導(dǎo)電材料或絕緣材料。運(yùn)樣的結(jié)構(gòu)可W被定義 為DBR(分布式布拉格反射）結(jié)構(gòu)。
[0082] 可W在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119和/或反射電極層131的至少一個的表面上形成諸 如粗糖部分的光提取結(jié)構(gòu)。該光提取結(jié)構(gòu)可W改變?nèi)肷鋵拥呐R界角W改善光提取效率。 [008引第一電極135可W形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的預(yù)定區(qū)域Al下，并且，第二電 極137可W形成在反射電極層131的預(yù)定區(qū)域下。第一連接電極141可W形成在第一電極 135下，并且第二連接電極143可W形成在第二電極137下。
[0084] 第一電極135可W電連接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的預(yù)定區(qū)域Al。第一電極135 可W包括電極焊盤，但是實(shí)施例不限于此。
[0085] 第一電極135可W與有源層117和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的橫向側(cè)間隔開，并且， 第一電極135可W具有比第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的預(yù)定區(qū)域Al小的面積。
[0086] 第二電極137可W通過反射電極層131物理地和/或電子地連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo) 體層119。第二電極137可W包括電極焊盤。
[0087] 第一和第二電極135和137可W包括附著層、反射層、擴(kuò)散勢壘層和/或結(jié)合層的 至少一個。附著層可W與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的預(yù)定區(qū)域Al的下表面進(jìn)行歐姆接觸。 附著層可W包括從由化、Ti、Co、Ni、V、Hf及其合金組成的組中選擇的一個，并且可W具有 大約1至1，0004的厚度。反射層可W形成在附著層下，并且可W包括從由Ag、A1、Ru、化、 Pt、Pd及其合金組成的組中選擇的一個。反射層可W具有大約1至10,000A的厚度。擴(kuò)散 勢壘層可W形成在反射層下，并且可W包括從由Ni、Mo、W、Ru、Pt、Pd、La、化、Ti及其合金 組成的組中選擇的一個。擴(kuò)散勢壘層可W具有大約I至I化說的厚度。結(jié)合層可W結(jié)合 到第一連接電極141，并且可W包括從由A1、Ru、化、Pt和合金組成的組中選擇的