1、口(1、1^曰、1'曰、1'1和/或 具有上面的元素的至少兩種的合金組成的組中選擇的一個(gè)。保護(hù)層14可W具有大約1至 1()，000A的厚度。反射電極層130可W不包括歐姆接觸層11、擴(kuò)散勢(shì)壘層13和/或保護(hù) 層14的至少一個(gè)。
[0210] 第二電極焊盤(pán)132可W包括：附著層15、在附著層15下的反射層16、在反射層16 下的擴(kuò)散勢(shì)壘層17、和在擴(kuò)散勢(shì)壘層17下的結(jié)合層18。附著層15結(jié)合到反射電極層130， 并且可W包括從由化、Ti、Co、Ni、V、Hf和/或其合金組成的組中選擇的一個(gè)。附著層15 具有大約1至1 ,OOOA的厚度。反射層16形成在附著層15下，并且可W包括從由Ag、A1、Ru、化、Pt、Pd及其合金組成的組中選擇的一個(gè)。反射層16具有大約1至]0，()00A的厚度。 擴(kuò)散勢(shì)壘層17形成在反射層16下，并且可W包括從由化、1〇、胖、腳、？*、？(1、1^曰、化、1'1和/ 或其合金組成的組中選擇的一個(gè)。擴(kuò)散勢(shì)壘層17具有大約1至I(U)OOA的厚度。結(jié)合層 18可W包括從由Al、Au、化、Hf、Pd、Ru、化、Pt和/或其合金組成的組中選擇的一個(gè)。結(jié)合 層18具有大約1至l〇,〇〇〇A的厚度。第二電極焊盤(pán)132可W不包括反射層16。 悅11] 反射電極層130和第二電極焊盤(pán)132的至少一個(gè)可W被應(yīng)用到在圖1中所示的反 射電極層和第二電極焊盤(pán)，并且/或者可W在其他實(shí)施例中被包括，但是實(shí)施例不限于此。陽(yáng)212] 圖22是示出圖20的第二電極結(jié)合層的示例的視圖。 陽(yáng)213] 返回圖22,第二電極結(jié)合層138包括第=結(jié)合電極138和第四結(jié)合電極138B，其 中，第S結(jié)合電極138A包括至少S個(gè)金屬層。第S結(jié)合電極138A包括附著層21、在附著層 21下的支撐層22、和在支撐層22下的保護(hù)層23。附著層21結(jié)合到第二電極焊盤(pán)，并且可 W包括從由化、Ti、Co、化、化、V、Hf和/或包括上面的元素的至少兩個(gè)的合金組成的組中 選擇的一個(gè)。附著層21具有1，000A的厚度。支撐層22比附著層21厚，并且可W包括 從由Ag、A1、Au、Co、Cu、Hf、Mo、化、Ru、化、Pt、Pd和/或包括上面的元素的至少兩個(gè)的合 金組成的組中選擇的一個(gè)。支撐層22具有1~500,000A或1，〇〇0~-]00,0()0A的厚度。保 護(hù)層23防止第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層受到外部影響，并且可W包括從由Au、化、Ni、Hf、Mo、V、W、 化、腳、？1、？(1、1^曰、化、1'1和/或包括上面的元素的至少兩個(gè)的合金組成的組中選擇的一個(gè)。 保護(hù)層23具有;!'、50,00()A的厚度。
[0214] 通過(guò)至少一個(gè)周期來(lái)重復(fù)地堆疊第S結(jié)合電極138A的附著層21和支撐層22。
[0215] 第四結(jié)合電極138B可W包括至少S個(gè)金屬層。第四結(jié)合電極138B可W包括：附 著層24、在附著層24下的擴(kuò)散勢(shì)壘層25、和在擴(kuò)散勢(shì)壘層25下的結(jié)合層26。附著層24結(jié) 合到第S結(jié)合電極138A，并且可W包括從由化、Ti、Co、Ni、V、Hf和/或包括上面的元素的 至少兩個(gè)的合金組成的組中選擇的一個(gè)。附著層24具有1~UOOOA的厚度。擴(kuò)散勢(shì)壘層 25可W防止層間擴(kuò)散，并且可W包括從由Ni、Mo、Hf、W、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti和/或包括 上面的元素的至少兩個(gè)的合金組成的組中選擇的一個(gè)。擴(kuò)散勢(shì)壘層25具有！~.UXOOOA的 厚度。結(jié)合層26結(jié)合到第一連接電極，并且可W包括從由Au、化、Ni、Hf、Mo、V、W、化、Ru、 Pt、PtLa、Ta、Ti和/或包括上面的元素的至少兩個(gè)的合金組成的組中選擇的一個(gè)。結(jié)合 層26具有1~]0，()00A的厚度?？蒞通過(guò)至少一個(gè)周期來(lái)重復(fù)地堆疊第四結(jié)合電極138B的 附著層24和擴(kuò)散勢(shì)壘層25。在圖22中所示的第二電極結(jié)合層的結(jié)構(gòu)可W被應(yīng)用到在圖1 中所示的電極，或者在其他實(shí)施例中被公開(kāi)，但是實(shí)施例不限于此。 陽(yáng)216] 圖23是示出圖20的第一電極結(jié)合層的示例的視圖。 陽(yáng)217] 參見(jiàn)圖23,第一電極結(jié)合層136可W包括第一結(jié)合電極136A和第二結(jié)合電極 136B，其中，第一結(jié)合電極136A包括與第S結(jié)合層138A(在圖25中示出）相同的金屬層， 并且第二結(jié)合電極136B包括與第四結(jié)合層138B(在圖25中示出）相同的金屬層。因此， 第一結(jié)合電極136A被布置在第一電極焊盤(pán)和第二結(jié)合電極136B之間，并且第二結(jié)合電極 136B被布置在第一結(jié)合電極136A和第一連接電極141之間。第一和第二結(jié)合電極136A和 136B的堆疊結(jié)構(gòu)可W被稱(chēng)為在圖22中所示的第=和第四結(jié)合電極的堆疊結(jié)構(gòu)。在圖23中 所示的第一電極結(jié)合層的結(jié)構(gòu)可W被應(yīng)用到在圖I中所示的電極，或者可W在其他實(shí)施例 中被公開(kāi)，但是實(shí)施例不限于此。 陽(yáng)21引圖24是示出圖20的第二電極結(jié)合層的示例的視圖。
[0219] 參見(jiàn)圖20和24,第二電極結(jié)合層138的第S結(jié)合電極138A的頂部表面面積可W 等于第二電極焊盤(pán)132的下表面面積。第二電極結(jié)合層138的第S結(jié)合電極138A的頂表 面面積可W大于第四結(jié)合電極
[0220] 138B的頂表面面積，并且可W等于或小于第二電極的下表面面積。在圖24中所示 的第二電極焊盤(pán)和第二電極結(jié)合層的結(jié)構(gòu)可W被應(yīng)用到在圖1中所示的電極，或者可W被 在其他實(shí)施例中被公開(kāi)，但是實(shí)施例不限于此。 陽(yáng)221] 圖25是示出具有圖1的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的視圖。 陽(yáng)222] 參見(jiàn)圖25,發(fā)光器件封裝200可W包括：主體211、在主體211中安裝的第一和第 二引線(xiàn)電極215和217、模制構(gòu)件219、和發(fā)光器件100。 陽(yáng)223] 可W通過(guò)使用高反射樹(shù)脂（例如PPA)、聚合材料或塑料材料中的一個(gè)來(lái)注入成型 主體211，并且可W將主體211制備為具有單層的基板或制備為多層。主體211可W包括具 有開(kāi)口的頂表面的腔體212,其中，腔體212的側(cè)壁相對(duì)于腔體212的下表面傾斜或相對(duì)于 其垂直。
[0224] 第一和第二引線(xiàn)電極215和217可W被設(shè)置在腔體212中，使得第一和第二引線(xiàn) 電極215和217彼此間隔開(kāi)。
[0225] 發(fā)光器件100通過(guò)倒裝方案結(jié)合到第一和第二引線(xiàn)電極215和217。（發(fā)光器件 100的）第一連接電極141結(jié)合到第二引線(xiàn)電極217,并且（發(fā)光器件100的）第二連接電 極143結(jié)合到第一引線(xiàn)電極215。 陽(yáng)226] 在第一引線(xiàn)電極215的頂表面和發(fā)光器件100的下表面（例如，第一連接電極 141、第二連接電極143和支撐構(gòu)件151的下表面）之間的距離可W等于在第二引線(xiàn)電極 217的頂表面和發(fā)光器件100的下表面之間的距離。 陽(yáng)227] 支撐構(gòu)件151形成在第一引線(xiàn)電極215和第二引線(xiàn)電極217上，W通過(guò)支撐構(gòu)件 151的整個(gè)表面散熱。
[022引模制構(gòu)件219可W形成在腔體212中。模制構(gòu)件219包括透射樹(shù)脂材料，諸如娃 或環(huán)氧樹(shù)脂。模制構(gòu)件219可W進(jìn)一步包括發(fā)光材料。 陽(yáng)229] 通過(guò)發(fā)光器件100的頂表面和橫向側(cè)來(lái)提取從發(fā)光器件100產(chǎn)生的大部分光，通 過(guò)模制構(gòu)件217向外部散發(fā)所提取的光。
[0230] 可W在發(fā)光器件封裝200中安裝一個(gè)或多個(gè)發(fā)光器件100,但是實(shí)施例不限于此。 如果在發(fā)光器件封裝中安裝具有發(fā)光層（或巧光體層）的發(fā)光器件，則可W不向模制構(gòu)件 217添加發(fā)光材料。另外，可W向模制構(gòu)件217添加彼此不同的各種發(fā)光材料或發(fā)射類(lèi)似顏 色的發(fā)光材料。 陽(yáng)231] 圖26根據(jù)第十實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖。圖27是在圖26中所示的發(fā)光器 件的底視圖。也可W提供其他實(shí)施例和配置。 陽(yáng)23引參見(jiàn)圖26和27,發(fā)光器件101可W包括：第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117、第 二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、反射電極層131、絕緣層133、第一電極135、第二電極137、第一連接電 極141、第二連接電極143、和支撐構(gòu)件151。 陽(yáng)233] 發(fā)光器件101的頂表面可W是第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面，并且發(fā)光器件101 的下表面可W是支撐構(gòu)件151的下表面。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面與支撐構(gòu)件151 的下表面相反。 陽(yáng)234] 發(fā)光結(jié)構(gòu)120可W被第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、和有源層117 限定。發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括III-V族化合物半導(dǎo)體。例如，發(fā)光結(jié)構(gòu)120可W包括具有組成 式IrixAlyGaiXyN(0《X《1、0《y《1和0《x+y《1)的半導(dǎo)體，并且可W發(fā)射具有在紫 外線(xiàn)帶至可見(jiàn)光帶的波長(zhǎng)范圍中的預(yù)定峰值波長(zhǎng)的光。
[0235](發(fā)光器件100的）發(fā)光結(jié)構(gòu)120可W被第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117和第 二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119限定。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可W具有N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu) 和/或P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)中的一個(gè)。在運(yùn)個(gè)示例中，符號(hào)"N"和"P"分別表示N和P型半導(dǎo)體 層，并且符號(hào)表示兩層直接地或間接地彼此堆疊。為了容易說(shuō)明，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層 119可W被稱(chēng)為發(fā)光結(jié)構(gòu)120的最上層。 陽(yáng)236] 可W通過(guò)從在圖1中所示的發(fā)光器件100去除襯底111來(lái)獲得發(fā)光器件101。良P， 第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面被設(shè)置在發(fā)光器件101的頂側(cè)處。 陽(yáng)237] 反射電極層131形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119下。反射電極層131可W包括歐姆 接觸層、反射層、擴(kuò)散勢(shì)壘層和/或保護(hù)層中的至少一個(gè)。
[0238] 反射電極層131可W包括下述結(jié)構(gòu)：歐姆接觸層/反射層/擴(kuò)散勢(shì)壘層/保護(hù)層、 反射層/擴(kuò)散勢(shì)壘層/保護(hù)層、歐姆接觸層/反射層/保護(hù)層、反射層/擴(kuò)散勢(shì)壘層、和/ 或反射層。
[0239] 反射電極層131可W包括透射電極層/反射層的堆疊結(jié)構(gòu)。反射電極層131可W 包括從由口0 (銅錫氧化物）、IZO(銅鋒氧化物）、IZTO(銅鋒錫氧化物）、IAZO(銅侶鋒氧 化物）、IGZO(銅嫁鋒氧化物）、IGTO(銅嫁錫氧化物）、AZO(侶鋒氧化物）、ATO(錬錫氧化 物）、GZO(嫁鋒氧化物）、SnO、InO、In化0、化0、Ir化和/或Ru化組成的組中選擇的一個(gè)。 反射層可W形成在透射電極層下。反射層可W包括具有第一折射率的第一層和具有第二折 射率的第二層。反射層可W包括其中至少兩對(duì)第一和第二層交替地堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)。第一 折射率與第二折射率不同，并且第一和第二層可W包括具有在1. 5至2. 4的范圍中的折射 率的材料。例如，第一和第二層可W包括導(dǎo)電材料或絕緣材料。運(yùn)樣的結(jié)構(gòu)可W被定義為 DBR(分布式布拉格反射）結(jié)構(gòu)。
[0240] 可W在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119和/或反射電極層131的至少一個(gè)的表面上形成諸 如粗糖部分的光提取結(jié)構(gòu)。該光提取結(jié)構(gòu)可W改變?nèi)肷鋵拥呐R界角W改善光提取效率。 陽(yáng)241] 第一和第二連接電極141和143可W作為用于供應(yīng)電力和散熱路徑的引線(xiàn)。第一 和第二連接電極141和143可W具有柱形狀。例如，第一和第二連接電極141和143可W具有球形、圓柱形、多邊柱形和/或任意形狀。多邊柱形可W是等角柱形或不是等角柱形， 但是實(shí)施例不限于此。第一和第二連接電極141和143的頂和下表面可W具有圓形和/或 多邊形，但是實(shí)施例不限于此。第一和第二連接電極141和143的下表面面積可W與第一 和第二連接電極141和143的頂表面面積不同。例如，第一和第二連接電極141和143的 下表面面積可W比第一和第二連接電極141和143的頂表面面積大或小。 陽(yáng)242] 第一和第二連接電極141和143中的一個(gè)可W比發(fā)光結(jié)構(gòu)120的下表面的寬度 小，并且可W比第一和第二電極135和137的下表面的直徑或?qū)挾却蟆?br>[0243] 第一和第二連接電極141和143的直徑或?qū)挾瓤蒞在I ym~100, 000 ym的范圍 內(nèi)，并且第一和第二連接電極141和143的高度可W在1 y m~100, 000 y m的范圍內(nèi)。第 一連接電極141的高度化可W比第二連接電極143的高度肥大，并且第一和第二連接電 極141和143的下表面可W對(duì)齊在同一平面（即，水平平面）上。
[0244] 通過(guò)使用一種金屬或合金，可W將第一和第二連接電極141和143制備為單層。單 層的寬度和高度可W在Iym~100, OOOym的范圍內(nèi)。例如，單層可W具有比第二連接電 極143的厚度大的厚度。 悅45] 第一和第二連接電極141和143可W包括從由Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、 Mo、Ni、Si、Sn、化、Ti、W及其合金組成的組中選擇的一種。為了改善相對(duì)于第一和第二電 極135和137的附著強(qiáng)度，第一和第二連接電極141和143可W被鍛上金屬，該金屬包括從 由In、Sn、Ni、化及其合金組成的組中選擇的一個(gè)。鍛層的厚度可W在1~l()〇,〇()()A的范 圍中。 陽(yáng)246] 鍛層可W進(jìn)一步形成在第一和第二連接電極141和143的表面上。鍛層可W包括 Sn或其合金、Ni或其合金、和/或Sn-Ag-化。鍛層可W具有大約0. 5ym~10ym的厚度。 鍛層可W改善相對(duì)于其他結(jié)合層的結(jié)合強(qiáng)度。 陽(yáng)247] 絕緣層133可W形成在反射電極層131下。絕緣層133可W形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo) 體層119的下表面、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119和有源層117的橫向側(cè)、W及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的預(yù)定區(qū)域Al的下表面上。絕緣層133可W形成在除了用于反射電極層131、第一電 極135和第二電極137的區(qū)域之外的發(fā)光結(jié)構(gòu)120的下部區(qū)域上，W電保護(hù)發(fā)光結(jié)構(gòu)120 的下部。 悅4引絕緣層133可W包括通過(guò)使用包括A1、化、Si、Ti、化和/或Zr的至少一種的氧 化物、氮化物、氣化物或硫化物而形成的絕緣材料或絕緣樹(shù)脂。例如，絕緣層133可W包括 從由Si化、Si3N4、Al2〇3和TiO2組成的組中選擇的一個(gè)。絕緣層133可W被制備為單層或多 層，但是實(shí)施例不限于此。絕緣層133可W當(dāng)在發(fā)光結(jié)構(gòu)120下形成金屬結(jié)構(gòu)W用于倒裝 結(jié)合的目的時(shí)，防止在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的層之間的短路。
[0249]絕緣層133可W僅形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的表面上，而不形成在反射電極層131的 下表面上。因?yàn)榫哂薪^緣屬性的支撐構(gòu)件151形成在反射電極層131的下表面上，所W絕 緣層133可W不必延伸到反射電極層131的下表面。 陽(yáng)巧0] 絕緣層133具有DBR結(jié)構(gòu)，其中，交替地排列具有彼此不同的折射率的第一和第二 層。第一層可W包括Si〇2、Si3N4、Al2〇3和/或TiO2中的一個(gè)，并且，第二層可W包括除了第 一層的材料之外的材料。 陽(yáng)巧U絕緣層133可W具有在100至10,說(shuō)的范圍內(nèi)的厚度。如果絕緣層133被制備 為多層，則每層可W具有在1至50,0()()A或者100至K)，000A的范圍中的厚度。具有多 層的絕緣層133的每層的厚度可W根據(jù)發(fā)射波長(zhǎng)來(lái)改變反射效率。在運(yùn)個(gè)示例中可W省略 反射電極層。 陽(yáng)巧2]第一和第二連接電極141和143可W包括Ag、A1、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、 Ni、Si、Sn、化、Ti、W和/或其合金。另外，第一和第二連接電極141和143可W具有包括 In、Sn、Ni、化和其合金的鍛層，W改善相對(duì)于第一和第二電極135和137的附著強(qiáng)度。在 運(yùn)個(gè)示例中，鍛層可W具有在^lO(U)OOA的范圍內(nèi)的厚度。第一和第二連接電極141和 143可W被用作諸如焊料球或金屬凸塊的單個(gè)金屬，但是實(shí)施例不限于此。 陽(yáng)巧3] 支撐構(gòu)件151可W作為支撐層W支撐發(fā)光器件101。支撐構(gòu)件151可W包括絕緣 材料。例如，絕緣材料可W是包括娃或環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂。另外，絕緣材料可W包括糊狀物或 絕緣墨。絕緣材料也可W包括從由聚丙締酸醋樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、酪醒樹(shù)脂、聚酷胺樹(shù)脂、聚酷 亞胺樹(shù)脂、不飽和聚醋樹(shù)脂、聚苯酸樹(shù)脂（PPE)、聚苯酸樹(shù)脂（PPO)、聚亞苯基硫化物樹(shù)脂、 氯酸醋樹(shù)脂、苯并環(huán)下締度CB)、聚酷胺-胺型樹(shù)狀聚合物（PAMAM)、聚丙締亞胺樹(shù)狀聚合物 (PPI)、具有PAMAM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和有機(jī)娃的外表面的PAMAM-OS(有機(jī)娃），和/或其組合組成 的組中選擇的樹(shù)脂。支撐構(gòu)件151的材料可W與絕緣層133的材料不同。
[0254] 諸如包括A1、化、Si、Ti、化和/或Zr的至少一種的氧化物、氮化物、氣化物和硫 化物的化合物的至少一種可W被加到支撐構(gòu)件151。向支撐構(gòu)件151添加的化合物可W是 熱擴(kuò)散體。熱擴(kuò)散體是具有預(yù)定大小、粒度、填充物和/或添加物的粉末顆粒。為了容易描 述，W下描述包括熱擴(kuò)散體的支撐構(gòu)件151。熱擴(kuò)散體可W包括具有大小IA~IOO.OOOA的 絕緣材料或?qū)щ姴牧?。為了改善熱擴(kuò)散效率，熱擴(kuò)散體可W具有1，〇〇〇A--50.000A的人小。 熱擴(kuò)散體的增益可W具有球形或不規(guī)則形狀，但是實(shí)施例不限于此。 陽(yáng)巧5] 熱擴(kuò)散體可W包括陶瓷材料。該陶瓷材料可W包括LTCC(低溫共燒陶瓷）、 HTCC(高溫共燒陶瓷）、抓±、石英、巧錯(cuò)酸鹽、儀橄攬石、SiC、石墨、烙融石英、莫來(lái)石、堇青 石、氧化錯(cuò)、氧化被和/或氮化侶的至少一種。該陶瓷材料可W包括具有比氮化物或氧化物 高的導(dǎo)熱率的金屬氮化物。例如，金屬氮化物可W包括具有等于或大于140W/mK的導(dǎo)熱率 的材料。例如，該陶瓷材料可W包括從由Si〇2、SixOy、SisN*、SixNy、SiOxNy、Al2〇3、BN、SisN*、 SiC(SiC-BeO)、Be0、Ce0和/或AlN組成的組中選擇的一個(gè)。導(dǎo)熱材料可W包括C成分，諸 如金剛石或CNT。 陽(yáng)巧6] 支撐構(gòu)件151可W被制備為單層或多層，但是實(shí)施例不限于此。支撐構(gòu)件151可 W具有陶瓷粉末，因此可W改善支撐構(gòu)件151的強(qiáng)度和導(dǎo)熱率。
[0257] 另外，向支撐構(gòu)件151添加的熱擴(kuò)散體的量可W是1~99wt%。為了改善熱擴(kuò)散 效率。50~99wt%的熱擴(kuò)散體可W被加到支撐構(gòu)件151。因?yàn)闊釘U(kuò)散體被加到支撐構(gòu)件 151，所W可W在支撐構(gòu)件151的內(nèi)部改善導(dǎo)熱率。另外，支撐構(gòu)件151可W具有熱膨脹系 數(shù)4-11 [xl(f/°C]。上面的熱膨脹系數(shù)可W等于或類(lèi)似于諸如藍(lán)寶石襯底的襯底的熱膨脹 系數(shù)，因此晶片可W不由支撐構(gòu)件151和在襯底上形成的發(fā)光結(jié)構(gòu)120之間的熱膨脹系數(shù) 差而引起翅曲或損壞，由此改善發(fā)光器件101的可靠性。
[0258] 支撐構(gòu)件151的下表面面積可W與發(fā)光結(jié)構(gòu)120的頂表面面積（即，支撐構(gòu)件151 的頂表面面積）基本上相同。另外，支撐構(gòu)件151的下表面面積可W等于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體 層115的頂表面面積。參見(jiàn)圖27,支撐構(gòu)件151的第一橫向側(cè)的長(zhǎng)度Dl可W與發(fā)光結(jié)構(gòu) 120 (在圖26中所示）的第一橫向側(cè)的長(zhǎng)度基本上相同，并且，支撐構(gòu)件151的第二橫向側(cè) 的長(zhǎng)度D2可W與發(fā)光結(jié)構(gòu)120(在圖26中所示）的第二橫向側(cè)的長(zhǎng)度基本上相同。另外， 在第一連接電極141和第二連接電極143之間的距離D5可W是在兩個(gè)鄰近的電極焊盤(pán)之 間的間隔，并且可W對(duì)應(yīng)于相對(duì)于發(fā)光器件101的一個(gè)橫向側(cè)的長(zhǎng)度的1/2或更大。 陽(yáng)259] 支撐構(gòu)件151的下表面可W是基本上平坦的表面，或者可W是不規(guī)則表面，但是 實(shí)施例不限于此。 陽(yáng)260] 支撐構(gòu)件151的第一區(qū)域的厚度Tl可W比第二連接電極143的厚度厚。替代地， 支撐構(gòu)件151的第一區(qū)域的厚度Tl可W比第二連接電極143的厚度肥薄。如果絕緣層 133的厚度比第二連接電極143的厚度厚，則支撐構(gòu)件151的厚度可能變薄。支撐構(gòu)件151 的第二區(qū)域的厚度T2可W比第一連接電極141的厚度T2厚。支撐構(gòu)件151可W具有在 1Jim~100, 000Jim或50Jim~1, 000Jim的范圍中的厚度Tl。 陽(yáng)％1] 支撐構(gòu)件151的下表面可W低于第一和第二電極135和137的下表面，并且可W與第一和第二連接電極141和143的下表面對(duì)齊在同一平面（即，水平平面