具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0057]請參閱圖1至圖9。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，雖圖示中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0058]請參閱圖1，本發(fā)明提供一種扇出型晶圓級封裝方法，所述扇出型晶圓級封裝方法包括以下步驟:
[0059]S1:提供一載體，在所述載體表面形成粘合層；
[0060]S2:將至少一半導(dǎo)體芯片正面朝上貼裝于所述粘合層表面；
[0061]S3:采用塑封工藝將所述半導(dǎo)體芯片塑封于塑封材料層中，并同時(shí)在所述塑封材料層內(nèi)形成與后續(xù)要形成的連接通孔及重新布線層相對應(yīng)的開口；
[0062]S4:在所述開口內(nèi)形成連接通孔及重新布線層。
[0063]在步驟SI中，請參閱圖1中的SI步驟及圖2，提供一載體10，在所述載體10表面形成粘合層11。
[0064]作為示例，所述載體10可以為后續(xù)制作粘合層11提供剛性的結(jié)構(gòu)或基體，例如，所述載體10可以選用為具有適當(dāng)形狀的玻璃、半導(dǎo)體、金屬及剛性的聚合物中的一種。優(yōu)選地，在本實(shí)施例中，所述載體10選用為玻璃。
[0065]作為示例，所述載體10的形狀為圓形。
[0066]作為示例，所述粘合層11最好選用具有光潔表面的粘合材料制成，并且能夠在其表面貼裝半導(dǎo)體芯片12及形成塑封材料層132，所述粘合層11必須與所述半導(dǎo)體芯片12及所述塑封材料層132具有一定的結(jié)合力，以保證所述半導(dǎo)體芯片12及所述塑封材料層132在后續(xù)工藝中不會產(chǎn)生自動脫落等情況；另外，所述粘合層11與載體10可以具有較強(qiáng)的結(jié)合力，一般來說，所述粘合層11與載體10的結(jié)合力應(yīng)大于與所述半導(dǎo)體芯片12及所述塑封材料層132的結(jié)合力，以便于所述粘合層11及所述載體10與所述半導(dǎo)體芯片12及所述塑封材料層132分離。作為示例，所述粘合層11可以選用為膠帶、通過旋涂工藝制作的粘合膠或環(huán)氧樹脂中的一種。優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述粘合層11選用為膠帶。
[0067]在步驟S2中，請參閱圖1中的S2步驟及圖3，將至少一半導(dǎo)體芯片12正面朝上貼裝于所述粘合層11表面。
[0068]作為示例，在本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體芯片12可以為扇出型半導(dǎo)體芯片14。當(dāng)然，在其它的實(shí)施例中，本發(fā)明的封裝方法也可以用于安裝如存儲器件、顯示器件、輸入組件、分立元件、電源、穩(wěn)壓器等器件，且并不限定于此處所列舉的幾種示例。
[0069]作為示例，所述半導(dǎo)體芯片12的數(shù)量可以為I個(gè)至I個(gè)載體所能承載的半導(dǎo)體芯片12的數(shù)量，且所述半導(dǎo)體芯片12可以為不同類型的半導(dǎo)體芯片，即所述粘合層11上可以承載多種類型、多個(gè)數(shù)量的所述半導(dǎo)體芯片12。
[0070]在步驟S3中，請參閱圖1中的S3步驟及圖4至圖5，采用塑封工藝將所述半導(dǎo)體芯片12塑封于塑封材料層132中，并同時(shí)在所述塑封材料層132內(nèi)形成與后續(xù)要形成的連接通孔171及重新布線層172相對應(yīng)的開口 14。
[0071]作為示例，采用塑封工藝將所述半導(dǎo)體芯片12塑封于塑封材料層132中，并同時(shí)在所述塑封材料層132內(nèi)形成與后續(xù)要形成的連接通孔171及重新布線層172相對應(yīng)的開口 14包括:
[0072]S31:提供上塑封成型模板15及下塑封成型模板16，利用電子術(shù)直寫曝光結(jié)合反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)，在所述上塑封成型模板16的下表面制備出連接通孔及重新布線層圖形151 ；
[0073]S32:將表面貼裝有所述半導(dǎo)體芯片12的所述載體10正面朝上置于所述下塑封成型模板16的上表面；
[0074]S33:將塑封材料131置于貼裝有所述半導(dǎo)體芯片12的粘合層11上；
[0075]S34:在預(yù)設(shè)溫度條件下，壓緊所述上塑封成型模板15及所述下塑封成型模板16，將所述半導(dǎo)體芯片12塑封于塑封材料層132中，并同時(shí)將所述上塑封成型模板15上的圖形轉(zhuǎn)移到所述塑封材料層132中，即在將所述半導(dǎo)體芯片12塑封于塑封材料層132的同時(shí)在所述塑封材料層132內(nèi)形成所述開口 14 ;
[0076]S35:對所述塑封材料層132進(jìn)行固化處理，并釋放所述上塑封成型模板15及所述下塑封成型模板16。
[0077]作為示例，所述塑封材料131包括環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂等聚合物材料。優(yōu)選地，在本實(shí)施例中，所述塑封材料131為環(huán)氧樹脂。
[0078]作為示例，所述上塑封成型模板15及所述下塑封成型模板16的材料及形狀相同，優(yōu)選地，所述上塑封成型模板15及所述下塑封成型模板16均為圓形，所述上塑封成型模板15及所述下塑封成型模板16的材料均為為金剛石、不銹鋼、二氧化硅或陶瓷。
[0079]作為示例，溫度升高至所述預(yù)設(shè)溫度，所述塑封材料131處于軟化狀態(tài)甚至處于液體，所述塑封材料層13發(fā)生熱變形，此時(shí)，壓緊所述上塑封成型模板15及所述下塑封成型模板16，在壓力的作用下，所述塑封材料131沿所述粘合層11的表面鋪展開，在形成包覆所述半導(dǎo)體芯片12并覆蓋所述粘合層11裸露表面的塑封材料層132的同時(shí)，所述上塑封成型模板15下表面的所述連接通孔及重新布線層圖形151可以陷入所述塑封材料層132的內(nèi)部，并在所述塑封材料層132內(nèi)形成與所述連接通孔及重新布線層圖形151相對應(yīng)的開口，即在所述塑封材料層132內(nèi)形成與后續(xù)要形成的所述連接通孔171及所述重新布線層172相對應(yīng)的所述開口 14。
[0080]作為示例，所述預(yù)設(shè)溫度可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，只要能使得所述塑封材料131軟化的溫度范圍均可，優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述預(yù)設(shè)溫度為125°C?150°C。
[0081]作為示例，位于所述半導(dǎo)體芯片12上方的所述開口 14貫穿所述塑封材料層132以暴露出所述半導(dǎo)體芯片12，以確保后續(xù)可以實(shí)現(xiàn)所述半導(dǎo)體芯片12的電性引出。
[0082]作為示例，所述上塑封成型模板15的下表面及所述連接通孔及重新布線層圖形151的表面均貼有剝離膜(未示出)，所述剝離膜有利于在塑封工藝完成后使得所述上塑封成型模板15與所述塑封材料層132剝離。
[0083]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明采用塑封工藝將所述半導(dǎo)體芯片12塑封于塑封材料層132中，并同時(shí)在所述塑封材料層132內(nèi)形成與后續(xù)要形成的連接通孔171及重新布線層172相對應(yīng)的開口 14，只需要提供一下表面形成有與連接通孔171及重新布線層172相對應(yīng)的連接通孔及重新布線層圖形151的所述上塑封成型模板15，并將塑封材料131置于所述上塑封成型模板15及貼裝有所述半導(dǎo)體芯片12的粘合層11之間，在預(yù)設(shè)溫度條件下使所述塑封材料131軟化，壓緊所述上塑封成型模板15及所述下塑封成型模板16，即可使得所述塑封材料131沿所述粘合層11的表面鋪展開以形成塑封材料層132，并在所塑封材料層132內(nèi)形成與連接通孔171及重新布線層172相對應(yīng)的開口 14，減少了涂覆介電層、光刻RDL層等工藝步驟，有效地降低了生產(chǎn)成本，且整個(gè)工藝過程中步驟簡單，可以大大提高產(chǎn)品的產(chǎn)量，在半導(dǎo)體封裝域具有廣泛的應(yīng)用前景。
[0084]在步驟S4中，請參閱圖1中的S4步驟及圖6，在所述開口 14內(nèi)形成連接通孔171及重新布線層172。
[0085]作為示例，采用化學(xué)鍍工藝或電鍍工藝在所述開口 14內(nèi)形成所述連接通孔171及所述重新布線層172。
[0086]作為示例，所述塑封材料131中含有特殊的有機(jī)金屬復(fù)合物形態(tài)的添加物，所述添加劑在激光束的照射下會發(fā)生物理化學(xué)反應(yīng)而被活化，進(jìn)而可以釋放出金屬離子。
[0087]作為示例，采用化學(xué)鍍工藝或電鍍工藝在所述開口 14內(nèi)形成所述連接通孔171及所述重新布線層172包括:
[0088]S41:在所述開口內(nèi)通過激光光束活化使所述塑封材料層132產(chǎn)生物理化學(xué)反應(yīng)形成金屬核(未示出)；
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