扇出型封裝結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種扇出型封裝結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)工藝，屬于微電子先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]目前主流的扇出型封裝還是基于晶圓工藝基礎(chǔ)上的注塑(molding)方式，其中主要的扇出的RDL應(yīng)用濺射金屬薄膜作為種子層或圓片的方式，該結(jié)構(gòu)所制作的封裝熱管理性能有很大的限制，另外工藝方面也具有成本高，工藝復(fù)雜等特點(diǎn)，所以導(dǎo)致了成本高和性能不尚等特點(diǎn)。
[0003]目前基于基板的芯片埋置的過程中使用化學(xué)鍍種子層的工藝進(jìn)行盲孔的金屬化，但是在化學(xué)鍍的過程中對(duì)芯片的焊盤(pad)材料有一定的限制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種扇出型封裝結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)工藝，排除了基板埋置有源芯片對(duì)芯片的限制條件，擴(kuò)大了應(yīng)用的領(lǐng)域；并且提高器件封裝過程中的良率，進(jìn)一步降低扇出型封裝成本。
[0005]按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征是:包括芯板，芯板上開設(shè)有連通芯板正反面的槽體，槽體中設(shè)置芯片，芯片的正面具有焊盤，焊盤上設(shè)置凸點(diǎn)；所述芯板、芯片以及位于芯片正面和背面的介質(zhì)材料壓合在一起，芯片正面的焊盤和凸點(diǎn)嵌入介質(zhì)材料中，芯片與槽體之間的空隙中填充介質(zhì)材料；所述芯片背面的介質(zhì)材料外表面設(shè)有金屬層，在芯片正面的介質(zhì)材料外表面設(shè)有阻焊層，在阻焊層中布置RDL線路層，RDL線路層的焊盤上設(shè)有BGA球；在所述芯片正面的介質(zhì)材料上設(shè)有激光盲孔，激光盲孔中填充電鍍金屬，RDL線路層通過激光盲孔中的電鍍金屬與芯片正面的凸點(diǎn)互連。
[0006]進(jìn)一步的，所述槽體的高度和寬度與芯片相匹配。
[0007]進(jìn)一步的，所述凸點(diǎn)的表面為平面。
[0008]所述扇出型封裝結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝，其特征是，包括以下步驟:
(1)在芯片的焊盤上植上凸點(diǎn)；
(2)將凸點(diǎn)進(jìn)行平坦化；
(3)壓合備料:使用和芯片厚度相匹配的芯板，在芯板上制作與芯片相匹配的槽體，將芯片嵌入到槽體內(nèi)；將已經(jīng)嵌入芯片的芯板放置于兩層介質(zhì)材料中間，介質(zhì)材料的表面具有銅箔；
(4)將步驟(3)的壓合備料層疊好后進(jìn)行層壓，將嵌入有芯片的芯板埋置在兩層介質(zhì)材料中間；
(5)在芯片正面的介質(zhì)材料上對(duì)應(yīng)芯片焊盤的位置制作激光盲孔，激光盲孔由介質(zhì)材料的表面延伸至芯片焊盤的表面；
(6)在激光盲孔的內(nèi)壁進(jìn)行金屬化再通過電鍍的方式將激光盲孔全部填充引出芯片上
I/O； (7)在芯片正面介質(zhì)材料表面的銅箔上制作扇出的RDL線路層；
(8)在芯片正面的介質(zhì)材料外表面壓合阻焊層，在阻焊層上開窗口，露出用于植球的焊盤;
(9)在步驟(8)露出的焊盤上進(jìn)行植BGA球，從形成整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)。
[0009]進(jìn)一步的，所述凸點(diǎn)為金凸點(diǎn)或銅凸點(diǎn)。
[0010]進(jìn)一步的，所述步驟(4)中，芯片與槽體之間的間隙由介質(zhì)材料填充，芯片正面的焊盤和凸點(diǎn)嵌入介質(zhì)材料中。
[0011]本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):
(1)本發(fā)明具有很廣泛的適用性，能夠更好的應(yīng)用于各類型的芯片；更能夠和現(xiàn)有晶圓工藝的扇出型封裝技術(shù)進(jìn)行競爭，增強(qiáng)了該技術(shù)的市場應(yīng)用競爭力；
(2)本發(fā)明的芯片采用凸點(diǎn)的方式嵌入到封裝的介質(zhì)材料中，然后通過化銅電鍍盲孔的方式進(jìn)行扇出，通過這種方式能夠很好地控制良率和可靠性，另外該結(jié)構(gòu)采用的是嵌入式的結(jié)構(gòu)，從而可以解決器件封裝過程對(duì)貼片工藝設(shè)備的依賴，可以節(jié)約其設(shè)備的成本也適合于大尺寸板級(jí)封裝；
(3)本發(fā)明基于有機(jī)基板工藝開展的板級(jí)扇出型封裝技術(shù)，具有成本低，可適用于大規(guī)模生產(chǎn)等特點(diǎn)。
【附圖說明】
[0012]圖1為芯片植球后的示意圖。
[0013]圖2為凸點(diǎn)平坦化后的示意圖。
[0014]圖3為壓合備料的示意圖。
[0015]圖4為層壓后的示意圖。
[0016]圖5為制作激光盲孔的不意圖。
[0017]圖6為填充激光盲孔的不意圖。
[0018]圖7為制作RDL線路層的示意圖。
[0019]圖8為制作阻焊層的示意圖。
[0020]圖9為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021 ] 圖中序號(hào):芯板1、槽體2、芯片3、介質(zhì)材料4、焊盤5、金屬層6、阻焊層7、RDL線路層8、BGA球9、激光盲孔10、凸點(diǎn)11。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合具體附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0023]下文將參考附圖更完整地描述本公開內(nèi)容，其中在附圖中顯示了本公開內(nèi)容的實(shí)施方式。但是這些實(shí)施方式可以用許多不同形式來實(shí)現(xiàn)并且不應(yīng)該被解釋為限于本文所述的實(shí)施方式。相反地，提供這些實(shí)例以使得本公開內(nèi)容將是透徹和完整的，并且將全面地向本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員表達(dá)本公開內(nèi)容的范圍。應(yīng)當(dāng)注意，雖然在下文將描述一個(gè)相對(duì)完整的芯片封裝器件的制作工藝，但是其中有的工藝步驟是可選的，并且存在替換的實(shí)施方式。
[0024]如圖9所示:所述扇出型封裝結(jié)構(gòu)，包括芯板1，芯板I上開設(shè)有連通芯板I正反面的槽體2，槽體2中設(shè)置芯片3，槽體2的高度和寬度與芯片3相匹配；所述芯片3的正面具有焊盤5和凸點(diǎn)11，凸點(diǎn)11的表面為平面；所述芯板1、芯片3以及位于芯片3正面和背面的介質(zhì)材料4壓合在一起，芯片3正面的焊盤5和凸點(diǎn)11嵌入介質(zhì)材料4中，芯片3與槽體2之間的空隙中填充介質(zhì)材料；所述芯片3背面的介質(zhì)材料4的表面設(shè)有金屬層6，在芯片3正面的介質(zhì)材料4的表面設(shè)有阻焊層7，在阻焊層7中布置RDL線路層8，RDL線路層8的焊盤上設(shè)有BGA球9 ;在所述芯片3正面的介質(zhì)材料4上設(shè)有激光盲孔10，激光盲孔10中填充電鍍金屬，RDL線路層8通過激光盲孔10中的電鍍金屬與芯片3正面的凸點(diǎn)11互連。
[0025]所述扇出型封裝結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝，包括以下步驟:
(1)芯片植球:如圖1所示，在芯片3的焊盤5上通過引線鍵合設(shè)備或其他設(shè)備植上凸點(diǎn)11，凸點(diǎn)11為金凸點(diǎn)或銅凸點(diǎn)，但