并不限制于這兩種材料，主要是能夠適用于后面的化銅電鍍的基板工藝流程；
(2)凸點平坦化:如圖2所示，將通過引線鍵合設備植的凸點11上面留下的尾線通過機械打磨等方式進行平坦化，將凸點11表面制作成平面，從而可以更好的在凸點上面進行激光鉆孔以及盲孔電鍍等工藝；
(3)壓合備料:如圖3所示，使用和芯片3厚度相匹配的芯板1，通過激光等方式在芯板I上制作與芯片3相匹配的槽體2，將芯片3嵌入到槽體2內(nèi)；該槽體2 —方面能夠?qū)⑿酒?很好地固定，另一方面也可以保證芯片3的貼裝精度；將已經(jīng)嵌入芯片3的芯板I放置于兩層介質(zhì)材料4中間，介質(zhì)材料的表面具有銅箔；具體的，介質(zhì)材料4可以采用半固化片或帶銅箔的RCC材料等；
(4)層壓:如圖4所示，使用高溫壓機或真空壓機將步驟(3)的壓合備料層疊好后進行層壓，將嵌入有芯片3的芯板I埋置在兩層介質(zhì)材料4中間，芯片3與槽體2之間的間隙由介質(zhì)材料4填充，從而形成嵌入式埋置的有源芯片的結(jié)構(gòu)；其中，芯片3正面的焊盤5和凸點11嵌入芯片3正面的介質(zhì)材料4中；
(5)激光盲孔:如圖5所示，在芯片3正面的介質(zhì)材料上對應芯片3焊盤5的位置制作激光盲孔10，激光盲孔10由介質(zhì)材料4的表面延伸至芯片3焊盤7的表面；
(6)填孔電鍍:如圖6所示，通過化銅方式在激光盲孔10的內(nèi)壁進行金屬化然后再通過電鍍的方式將激光盲孔10全部填充引出芯片上I/O ;
(7)扇出線路制作:如圖7所示，在芯片3正面介質(zhì)材料4表面的銅箔上制作扇出的RDL線路層8 ；
(8)阻焊壓合:如圖8所示，在芯片3正面的介質(zhì)材料4外表面壓合阻焊層7，阻焊層7可以采用阻焊綠油；在阻焊層7上開窗口，露出用于植球的焊盤；
(9)植球:如圖9所示，在步驟(8)露出的焊盤上進行植BGA球9，從形成整個封裝結(jié)構(gòu)。
[0026]本發(fā)明主要是通過在芯片上進行凸點的制作并將凸點平坦化之后進行后續(xù)的激光盲孔以及盲孔電鍍的工藝，排除了基于有機基板埋置有源芯片對芯片的限制條件，擴大了該技術(shù)應用的領域。另外凸點的制作還能夠有效的提高器件封裝過程中的良率從而進一步降低了扇出型封裝成本，更好的支撐該技術(shù)應用于更廣泛的應用。本發(fā)明能夠適合于絕大多數(shù)芯片的應用，如Al焊盤芯片等等。
【主權(quán)項】
1.一種扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征是:包括芯板(I)，芯板(I)上開設有連通芯板(I)正反面的槽體(2)，槽體(2)中設置芯片(3)，芯片(3)的正面具有焊盤(5)，焊盤(5)上設置凸點(11);所述芯板(1)、芯片(3)以及位于芯片(3)正面和背面的介質(zhì)材料(4)壓合在一起，芯片(3)正面的焊盤(5)和凸點(11)嵌入介質(zhì)材料(4)中，芯片(3)與槽體(2)之間的空隙中填充介質(zhì)材料；所述芯片(3)背面的介質(zhì)材料(4)外表面設有金屬層(6)，在芯片(3)正面的介質(zhì)材料(4)外表面設有阻焊層(7)，在阻焊層(7)中布置RDL線路層(8)，RDL線路層(8)的焊盤上設有BGA球(9);在所述芯片(3)正面的介質(zhì)材料(4)上設有激光盲孔(10)，激光盲孔(10)中填充電鍍金屬，RDL線路層(8)通過激光盲孔(10)中的電鍍金屬與芯片(3)正面的凸點(11)互連。2.如權(quán)利要求1所述的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征是:所述槽體(2)的高度和寬度與芯片(3)相匹配。3.如權(quán)利要求1所述的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征是:所述凸點(11)的表面為平面。4.一種扇出型封裝結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝，其特征是，包括以下步驟: (1)在芯片(3)的焊盤(5)上植上凸點(11)； (2)將凸點(11)進行平坦化； (3)壓合備料:使用和芯片(3)厚度相匹配的芯板(1)，在芯板(I)上制作與芯片(3)相匹配的槽體(2)，將芯片(3)嵌入到槽體(2)內(nèi)；將已經(jīng)嵌入芯片(3)的芯板(I)放置于兩層介質(zhì)材料(4)中間，介質(zhì)材料的表面具有銅箔； (4)將步驟(3)的壓合備料層疊好后進行層壓，將嵌入有芯片(3)的芯板(I)埋置在兩層介質(zhì)材料(4)中間； (5 )在芯片(3 )正面的介質(zhì)材料(4)上對應芯片(3 )焊盤(5 )的位置制作激光盲孔(10 )，激光盲孔(10)由介質(zhì)材料(4)的表面延伸至芯片(3)焊盤(7)的表面； (6)在激光盲孔(10)的內(nèi)壁進行金屬化再通過電鍍的方式將激光盲孔(10)全部填充引出芯片上I/O ; (7)在芯片(3)正面介質(zhì)材料(4)表面的銅箔上制作扇出的RDL線路層(8); (8)在芯片(3)正面的介質(zhì)材料(4)外表面壓合阻焊層(7)，在阻焊層(7)上開窗口，露出用于植球的焊盤； (9)在步驟(8)露出的焊盤上進行植BGA球(9)，從形成整個封裝結(jié)構(gòu)。5.如權(quán)利要求4所述的扇出型封裝結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝，其特征是:所述凸點(11)為金凸點或銅凸點。6.如權(quán)利要求4所述的扇出型封裝結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝，其特征是:所述步驟(4)中，芯片(3)與槽體(2)之間的間隙由介質(zhì)材料(4)填充，芯片(3)正面的焊盤(5)和凸點(11)嵌入介質(zhì)材料(4)中。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種扇出型封裝結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)工藝，其特征是：包括芯板，芯板上的槽體中設置芯片，芯片的正面具有焊盤，焊盤上設置凸點；所述芯板、芯片以及位于芯片正面和背面的介質(zhì)材料壓合在一起，芯片正面的焊盤和凸點嵌入介質(zhì)材料中，芯片與槽體之間的空隙中填充介質(zhì)材料；所述芯片背面的介質(zhì)材料外表面設有金屬層，在芯片正面的介質(zhì)材料外表面設有阻焊層，在阻焊層中布置RDL線路層，RDL線路層的焊盤上設有BGA球；在所述芯片正面的介質(zhì)材料上設有激光盲孔，激光盲孔中填充電鍍金屬，RDL線路層通過激光盲孔中的電鍍金屬與芯片正面的凸點互連。本發(fā)明排除了有機基板埋置有源芯片對芯片的限制條件，提高器件封裝的良率，降低了扇出型封裝成本。
【IPC分類】H01L23/488, H01L21/60
【公開號】CN105161474
【申請?zhí)枴緾N201510397494
【發(fā)明人】郭學平, 于中堯
【申請人】華進半導體封裝先導技術(shù)研發(fā)中心有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年7月8日