有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地講，涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光顯示器與液晶顯示器(LCD)相比，它具有自發(fā)光特性和優(yōu)良顯示特性，例如視角、對(duì)比度、響應(yīng)速度、功耗，等等。
[0003]有機(jī)發(fā)光顯示器可以包括具有陽(yáng)極、有機(jī)薄膜和陰極的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。有機(jī)發(fā)光顯示器可以被分為無(wú)源矩陣型或有源矩陣型，在無(wú)源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示器中，OLED通過(guò)矩陣方法彼此連接在掃描線與數(shù)據(jù)線之間以形成像素，而在有源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示器中，各個(gè)像素由用作開關(guān)的薄膜晶體管(TFT)控制。
[0004]通常，用在有源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示器中的TFT可以包括用于提供溝道區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)的有源層以及形成在該溝道區(qū)上的柵極，柵極可以通過(guò)柵絕緣層與有源層電絕緣。TFT的這種有源層通?？梢杂衫绶蔷Ч鑼踊蚨嗑Ч鑼拥陌雽?dǎo)體層形成。
[0005]不過(guò)，在有源層由非晶硅形成時(shí)，迀移率可能很低。因此，實(shí)現(xiàn)高速驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路可能很困難。
[0006]具有多晶硅有源層的TFT與具有非晶硅有源層的TFT相比，迀移率增加，但其需要具有至少兩個(gè)TFT和一個(gè)儲(chǔ)存電容器。兩個(gè)TFT中的一個(gè)作為開關(guān)(Switch)器件運(yùn)行，另一個(gè)作為驅(qū)動(dòng)(Driving)器件運(yùn)行。
[0007]作為開關(guān)器件運(yùn)行的TFT需要具有快速開啟或關(guān)閉的特性，即Id-Vg特性曲線較陸峭，對(duì)應(yīng)較小的次臨界擺幅(sub-threshold swing);而作為驅(qū)動(dòng)器件運(yùn)行的TFT需要具有較大的次臨界擺幅，即Id-Vg曲線較平緩，以便提供給使OLED正常發(fā)光的輸出電流平緩。然而，現(xiàn)有的制造技術(shù)中，采用的制造方法制造出的TFT無(wú)法滿足上述的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]因此，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法，其能夠解決上述的現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法，包括:在基板上形成第一薄膜晶體管的柵極；在基板上連續(xù)形成覆蓋所述第一薄膜晶體管的柵極的第一絕緣組合層以及位于所述第一絕緣組合層上的第一薄膜晶體管的源極和漏極、第二薄膜晶體管的源極和漏極、儲(chǔ)存電容器的第一儲(chǔ)存電極；在所述第一絕緣組合層上形成覆蓋所述第一薄膜晶體管的源極和漏極、所述第二薄膜晶體管的源極和漏極以及所述儲(chǔ)存電容器的第一儲(chǔ)存電極的第三絕緣層；在所述第三絕緣層上形成所述第二薄膜晶體管的柵極以及所述儲(chǔ)存電容器的第二儲(chǔ)存電極；在所述第三絕緣層上形成覆蓋所述第二薄膜晶體管的柵極以及所述儲(chǔ)存電容器的第二儲(chǔ)存電極的第二絕緣組合層；在所述第二絕緣組合層中形成通孔，以露出所述第一薄膜晶體管的源極和漏極以及所述第二薄膜晶體管的源極和漏極。
[0010]進(jìn)一步地，在所述第三絕緣層上形成由第四絕緣層和第五絕緣層組成的所述第二絕緣組合層。
[0011]進(jìn)一步地，在基板上形成由第一絕緣層和第二絕緣層組成的所述第一絕緣組合層以及直接位于所述第二絕緣層上的第一薄膜晶體管的源極和漏極、第二薄膜晶體管的源極和漏極、儲(chǔ)存電容器的第一儲(chǔ)存電極。
[0012]進(jìn)一步地，所述第三絕緣層的厚度小于所述第一絕緣組合層的厚度。
[0013]進(jìn)一步地，所述第四絕緣層由氧化硅制成；所述第五絕緣層由氮化硅制成。
[0014]進(jìn)一步地，所述第一絕緣層由氧化硅制成；所述第二絕緣層由氮化硅制成。
[0015]進(jìn)一步地，所述第三絕緣層由氧化娃制成。
[0016]進(jìn)一步地，所述第一薄膜晶體管的源極和漏極以及所述第二薄膜晶體管的源極和漏極均由P型摻雜的多晶硅制成，所述儲(chǔ)存電容器的第一儲(chǔ)存電極由P型摻雜的多晶硅制成，所述儲(chǔ)存電容器的第二儲(chǔ)存電極由多晶硅制成。
[0017]進(jìn)一步地，所述制造方法還包括:在所述第二絕緣組合層上形成接觸所述第一薄膜晶體管的源極的電極、接觸所述第一薄膜晶體管的漏極的電極、接觸所述第二薄膜晶體管的源極的電極以及接觸所述第二薄膜晶體管的漏極的電極。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種利用上述的制造方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示器。
[0019]本發(fā)明的有益效果:在本發(fā)明中，具有底柵結(jié)構(gòu)的第一 TFT和具有頂柵結(jié)構(gòu)的第二 TFT可以在同一工藝中同時(shí)被制備而成，這樣可為作為開關(guān)器件運(yùn)行的第二 TFT提供改進(jìn)的開-關(guān)特性(例如，快速開啟或關(guān)閉的特性，即Id-Vg特性曲線較陡峭，對(duì)應(yīng)較小的次臨界擺幅(sub-threshold swing))以及可為作為驅(qū)動(dòng)器件運(yùn)行的第一 TFT提供較大的次臨界擺幅，即Id-Vg曲線較平緩，以便提供給使OLED正常發(fā)光的輸出電流平緩。
【附圖說(shuō)明】
[0020]通過(guò)結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述，本發(fā)明的實(shí)施例的上述和其它方面、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，附圖中:
[0021]圖1A和圖1B分別示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的平面圖和剖面圖；
[0022]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的像素的電路圖；
[0023]圖3示出第一 TFT、第二 TFT以及儲(chǔ)存電容器的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]以下，將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施本發(fā)明，并且本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實(shí)施例和適合于特定預(yù)期應(yīng)用的各種修改。在附圖中，為了清楚器件，夸大了層和區(qū)域的厚度，相同的標(biāo)號(hào)在整個(gè)說(shuō)明書和附圖中可用來(lái)表示相同的元件。也將理解的是，在一層或元件被稱為位于另一層或基板“上”時(shí)，它可以直接位于該另一層或基板上，或者也可以存在中間層。
[0025]圖1A和圖1B分別示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的平面圖和剖面圖。
[0026]參照?qǐng)D1A，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器200包括基板210，其中，基板210被劃分為像素區(qū)220和圍繞像素區(qū)220的非像素區(qū)230。例如，被布置成矩陣圖案的、彼此被連接在掃描線224與數(shù)據(jù)線226之間的多個(gè)像素300可以形成在基板210上的像素區(qū)220中。連接至掃描線224的掃描驅(qū)動(dòng)器234、以及用于處理從外部通過(guò)焊盤228所提供的數(shù)據(jù)信號(hào)并將處理后的數(shù)據(jù)信號(hào)提供給數(shù)據(jù)線226的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器236等可以形成在基板210上的非像素區(qū)230中。數(shù)據(jù)線226和掃描線224可以從各個(gè)像素300延伸，即從像素區(qū)220延伸至非像素區(qū)230。各個(gè)像素300中的每個(gè)可以包括具有多個(gè)TFT的像素電路以及連接至該像素電路的至少一個(gè)0LED。
[0027]參照?qǐng)D1B，用于密封像素區(qū)220的封裝基板400可以設(shè)置在基板210之上，像素300如上所述地形成在其中。封裝基板400可以通過(guò)密封材料410粘合至基板210，因此多個(gè)像素300可以被密封在基板210與封裝基板400之間。形成在基板210上的多個(gè)像素300中的每個(gè)像素可以包括多個(gè)TFT。多個(gè)TFT中的每個(gè)TFT可以按照所執(zhí)行的操作具有不同的特性。例如，像素300可以包括作為開關(guān)器件運(yùn)行的TFT和作為驅(qū)動(dòng)器件運(yùn)行的TFT。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光顯示器200中的不同TFT，例如像素300中的兩個(gè)TFT可以包括在同一工藝中形成的具有底柵結(jié)構(gòu)的TFT以及具有頂柵結(jié)構(gòu)的TFT，使得具有不同特性的TFT可以在單個(gè)工藝中被實(shí)現(xiàn)。換句話說(shuō)，與常規(guī)有機(jī)發(fā)光顯示器，例如具有結(jié)構(gòu)相同、用于執(zhí)行不同操作的TFT、包括特性不具有任何實(shí)質(zhì)差異的TFT的顯示器相反的是，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的TFT可以具有在單個(gè)工藝中形成的不同結(jié)構(gòu)，從而便于不同TFT的不同特性的改進(jìn)。例如，由于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的TFT具有不同結(jié)構(gòu)，因此可在單個(gè)工藝中為作為開關(guān)器件運(yùn)行的TFT中提供改進(jìn)的開-關(guān)特性(例如，快速開啟或關(guān)閉的特性，即Id-Vg特性曲線較陸峭，對(duì)應(yīng)較小的次臨界擺幅(sub-threshold swing))以及為作為驅(qū)動(dòng)器件運(yùn)行的TFT提供較大的次臨界擺幅，即Id-Vg曲線較平緩，以便提供給使OLED正常發(fā)光的輸出電流平緩。
[0029]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的像素300的電路圖。不過(guò)，需要說(shuō)明的是，圖2中的像素電路僅為示例實(shí)施例，用于有機(jī)發(fā)光顯示器200的其它像素電路也包括在本發(fā)明概念的范圍內(nèi)。
[0030]參照?qǐng)D2，像素300的像素電路可以包括作為驅(qū)動(dòng)TFT的第一 TFT Tl、作為開關(guān)TFT的第二 TFT T2、以及儲(chǔ)存電容器Cst。第一 TFT Tl和第二 TFT T2可以是低溫多晶硅(LTPS)TFT0
[0031]具體地，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，作為驅(qū)動(dòng)器件運(yùn)行的第一 TFT Tl可以用底柵結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，而作為開關(guān)器件運(yùn)行的第二 TFT T2可以用頂柵結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。不過(guò)，要注意的是，盡管在圖2中第一 TFT Tl和第二 TFT T2被示作P型LTPS TFT，但是其它類型的LTPS TFT也包括在本發(fā)明概念的范圍內(nèi)。
[0032]第一 TFT Tl和第二 TFT T2中的每一個(gè)可以包括源極、漏極和柵極。儲(chǔ)存電容器Cst可以包括第一儲(chǔ)存電極和第二儲(chǔ)存電極。
[0033]繼續(xù)參照?qǐng)D2，在第一TFT Tl中，漏極可以連接至OLED的陽(yáng)極，而源極可以連接至第一電源VDD。柵極可以連接至第一節(jié)點(diǎn)N。
[0034]在第二 TFT T2中，源極可以連接至數(shù)據(jù)線Dm，漏