極可以連接至第一節(jié)點N，而柵極可以連接至掃描線Sn。因此，選擇性地流經(jīng)數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)信號可以根據(jù)通過掃描線Sn傳送的掃描信號而被選擇性地傳送至第一節(jié)點N。
[0035]在儲存電容器Cst中，第一儲存電極可以連接至第一電源VDD，而第二儲存電極可以連接至第一節(jié)點N。
[0036]第一 TFT Tl和第二 TFT T2可以在同一工藝中例如同時被制備而成。因此，由于第一 TFT Tl和第二 TFT T2可以分別具有底柵結(jié)構(gòu)和頂柵結(jié)構(gòu)，因此具有不同特性的TFT可以在單個工藝中被實現(xiàn)而無需增加掩膜工藝。
[0037]圖3示出第一 TFT、第二 TFT以及儲存電容器的剖視圖。
[0038]參照圖3，第一 TFT Tl的柵極20可以形成在基板(例如，玻璃基板)10上。
[0039]接著，在基板210上連續(xù)形成覆蓋柵極20的第一絕緣組合層12以及位于第一絕緣組合層12上的第一 TFT Tl的源極22a和漏極22b、第二 TFT T2的源極32a和漏極32b、儲存電容器Cst的第一儲存電極40。源極22a和漏極22b與源極32a和漏極32b，以及與第一儲存電極40可以彼此間隔開。源極22a和漏極22b、源極32a和漏極32b以及第一儲存電極40可以形成在基本相同的水平上，即源極22a和漏極22b、源極32a和漏極32b以及第一儲存電極40可以同時形成在第一絕緣組合層12上。例如，第一儲存電極40接觸連接第一電源VDD。
[0040]第一絕緣組合層12可以是由第一絕緣層122和第二絕緣層124構(gòu)成。其中，第一絕緣層122由氧化硅(S12)制成；第二絕緣層124由氮化硅(SiNx)制成。第一 TFT Tl的源極22a和漏極22b、第二 TFT T2的源極32a和漏極32b以及儲存電容器Cst的第一儲存電極40可以都是由P型慘雜的多晶娃制成。
[0041]這里，由氮化硅制成的第二絕緣層124能夠隔絕基板210中的金屬離子對將要形成的各器件的影響，即第一 TFT Tl的源極22a和漏極22b、第二 TFT T2的源極32a和漏極32b以及儲存電容器Cst的第一儲存電極40直接形成在第二絕緣層124上。
[0042]接著，在第一絕緣組合層12上形成覆蓋源極22a和漏極22b、源極32a和漏極32b以及第一儲存電極40的第三絕緣層16。這里，第三絕緣層16的厚度小于第一絕緣組合層12的厚度。第三絕緣層16亦由氧化硅(S12)制成。
[0043]接著，在第三絕緣層16上形成第二 TFT T2的柵極30以及儲存電容器Cst的第二儲存電極42。柵極30與第二儲存電極42可以彼此間隔開。柵極30與第二儲存電極42可以形成在基本相同的水平上，即柵極30與第二儲存電極42可以形成在第三絕緣層16上。儲存電容器Cst的第二儲存電極42可以都是由多晶硅制成。例如，第二儲存電極42接觸連接第一節(jié)點N。
[0044]接著，在第三絕緣層16上形成覆蓋柵極30和第二儲存電極42的由第四絕緣層182和第五絕緣層184組合形成的第二絕緣組合層18。第四絕緣層182由氧化硅(S12)制成。第五絕緣層184由氮化娃(SiNx)制成。
[0045]接著，在第二絕緣組合層18中形成通孔18’，以露出第一 TFT Tl的源極22a和漏極22b以及第二 TFT T2的源極32a和漏極32b。
[0046]最后，在第二絕緣組合層18上形成接觸第一 TFT Tl的源極22a的電極18a、接觸第一 TFT Tl的漏極22b的電極18b、接觸第二 TFT T2的源極32a的電極18c以及接觸第二TFT T2的漏極32b的電極18d。
[0047]這四個電極18a、18b、18c和18d可由鈦/鋁/鈦金屬結(jié)構(gòu)制成。例如，電極18a接觸連接圖2所示的第一電源VDD，電極18b接觸連接圖2所示的OLED的陽極，電極18c接觸連接圖2所示的數(shù)據(jù)線Dm，而電極18d接觸連接圖2所示的第一節(jié)點N。
[0048]綜上所述，在根據(jù)本發(fā)明的實施例中，具有底柵結(jié)構(gòu)的第一 TFT Tl和具有頂柵結(jié)構(gòu)的第二 TFT T2可以在同一工藝中同時被制備而成，這樣可為作為開關(guān)器件運行的第二TFT T2提供改進(jìn)的開-關(guān)特性(例如，快速開啟或關(guān)閉的特性，即Id-Vg特性曲線較陡峭，對應(yīng)較小的次臨界擺幅(sub-threshold swing))以及可為作為驅(qū)動器件運行的第一 TFTTl提供較大的次臨界擺幅，即Id-Vg曲線較平緩，以便提供給使OLED正常發(fā)光的輸出電流平緩。
[0049]雖然已經(jīng)參照特定實施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解:在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。
【主權(quán)項】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于，包括: 在基板(10)上形成第一薄膜晶體管(Tl)的柵極(20); 在基板(10)上連續(xù)形成覆蓋所述第一薄膜晶體管(Tl)的柵極(20)的第一絕緣組合層(12)以及位于所述第一絕緣組合層(12)上的第一薄膜晶體管(Tl)的源極(22a)和漏極(22b)、第二薄膜晶體管(T2)的源極(32a)和漏極(32a)、儲存電容器(Cst)的第一儲存電極(40)； 在所述第一絕緣組合層(12)上形成覆蓋所述第一薄膜晶體管(Tl)的源極(22a)和漏極(22b)、所述第二薄膜晶體管(T2)的源極(32a)和漏極(32a)以及所述儲存電容器(Cst)的第一儲存電極(40)的第三絕緣層(16); 在所述第三絕緣層(16)上形成所述第二薄膜晶體管(T2)的柵極(30)以及所述儲存電容器(Cst)的第二儲存電極(42); 在所述第三絕緣層(16)上形成覆蓋所述第二薄膜晶體管(T2)的柵極(30)以及所述儲存電容器(Cst)的第二儲存電極(42)的第二絕緣組合層(18); 在所述第二絕緣組合層(18)中形成通孔(18’)，以露出所述第一薄膜晶體管(Tl)的源極(22a)和漏極(22b)以及所述第二薄膜晶體管(T2)的源極(32a)和漏極(32a)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第三絕緣層(16)上形成由第四絕緣層(182)和第五絕緣層(184)組成的所述第二絕緣組合層(18)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在基板(10)上形成由第一絕緣層(122)和第二絕緣層(124)組成的所述第一絕緣組合層(12)以及直接位于所述第二絕緣層(124)上的第一薄膜晶體管(Tl)的源極(22a)和漏極(22b)、第二薄膜晶體管(T2)的源極(32a)和漏極(32a)、儲存電容器(Cst)的第一儲存電極(40)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第三絕緣層(16)的厚度小于所述第一絕緣組合層(12)的厚度。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第四絕緣層(182)由氧化硅制成；所述第五絕緣層(184)由氮化硅制成。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一絕緣層(122)由氧化硅制成；所述第二絕緣層(124)由氮化硅制成。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第三絕緣層(16)由氧化硅制成。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一薄膜晶體管(Tl)的源極(22a)和漏極(22b)以及所述第二薄膜晶體管(T2)的源極(32a)和漏極(32a)均由P型摻雜的多晶硅制成，所述儲存電容器(Cst)的第一儲存電極(40)由P型摻雜的多晶硅制成，所述儲存電容器(Cst)的第二儲存電極(42)由多晶硅制成。9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項所述的制造方法，其特征在于，還包括: 在所述第二絕緣組合層(18)上形成接觸所述第一薄膜晶體管(Tl)的源極(22a)的電極(18a)、接觸所述第一薄膜晶體管(Tl)的漏極(22b)的電極(18b)、接觸所述第二薄膜晶體管(T2)的源極(32a)的電極(18c)以及接觸所述第二薄膜晶體管(T2)的漏極(32b)的電極(18d) ο10.一種利用權(quán)利要求1至9任一項所述的制造方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示器。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法。所述制造方法包括：在基板(10)上形成第一薄膜晶體管(T1)的柵極(20)；在基板(10)上連續(xù)形成覆蓋柵極(20)的第一絕緣組合層(12)及位于第一絕緣組合層(12)上的第一薄膜晶體管(T1)的源極(22a)和漏極(22b)、第二薄膜晶體管(T2)的源極(32a)和漏極(32a)、儲存電容器(Cst)的第一儲存電極(40)；在第一絕緣組合層(12)上形成覆蓋源極(22a)和漏極(22b)、源極(32a)和漏極(32a)及第一儲存電極(40)的第三絕緣層(16)；在第三絕緣層(16)上形成第二薄膜晶體管(T2)的柵極(30)及儲存電容器(Cst)的第二儲存電極(42)；在第三絕緣層(16)上形成覆蓋柵極(30)及第二儲存電極(42)的第二絕緣組合層(18)；在第二絕緣組合層(18)中形成通孔(18’)，以露出源極(22a)和漏極(22b)及源極(32a)和漏極(32a)。
【IPC分類】H01L27/32, H01L51/56
【公開號】CN105161516
【申請?zhí)枴緾N201510494172
【發(fā)明人】湯富雄
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司, 武漢華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年8月13日