mm2至1mm 2的范圍、優(yōu)選選自0.25mm2至5mm2的范圍并且例如選自0.5mm 2至2mm2的范圍的面積。
[0047]此外，提出一種光電子器件，所述光電子器件具有根據(jù)上述實施方案的發(fā)射福射的半導體芯片和波長轉換元件，所述波長轉換元件借助第一表面或第二表面在半導體芯片的光路中設置在半導體芯片上。因此，波長轉換元件設置在半導體芯片上，其中在半導體芯片的上側和波長轉換元件之間能夠設置有連接層，所述連接層用于將波長轉換元件固定在半導體芯片上。發(fā)光半導體芯片例如能夠構成為具有帶有產(chǎn)生光的有源區(qū)域的基于砷化物、磷化物和/或氮化物化合物半導體材料體系的半導體層序列的發(fā)光二極管。這種半導體芯片是本領域技術人員已知的并且在此不再詳細解釋。
[0048]具有半導體芯片和波長轉換元件的光電子器件例如還能夠設置在載體上和/或殼體中并且能夠借助于電端子、例如經(jīng)由所謂的導線框電接觸。
[0049]此外，波長轉換元件能夠具有至少一個如在上文中描述的留空部，所述留空部能夠在半導體芯片的上側之上設置，并且在所述留空部中設置有半導體芯片的接觸區(qū)域。換言之，通過留空部，例如在半導體芯片的表面上穿過波長轉換元件可接近半導體芯片的接觸區(qū)域，使得穿過波長轉換元件，半導體芯片對于線接觸、例如鍵合線觸而言能夠是可接近的。此外，光電子器件能夠具有鍵合線，所述鍵合線穿過留空部與半導體芯片的接觸區(qū)域連接。在此，接觸區(qū)域能夠設置在半導體芯片的上側的邊緣區(qū)域中或也能夠設置在上側的遠離邊緣的中間區(qū)域中，其中與此相應地，波長轉換元件的留空部也能夠設置在邊緣上，即尤其設置在環(huán)繞的邊緣的區(qū)域中，或設置在中間區(qū)域中。
[0050]此外，器件能夠具有包圍半導體芯片的囊封件，所述囊封件與波長轉換元件的第二表面或第一表面齊平。借助上述方法制造的波長轉換元件在第二表面的和/或第一表面的側部上具有銳利的棱邊。因此，囊封件包圍半導體芯片以及波長轉換元件。囊封件例如能夠包含T12和硅酮進而對于輻射是不可穿透的或至少是可少量穿透的。用于囊封件的替選的材料選自Si02、Al2O3和BaSO 4，其分別能夠與硅酮混合。
【附圖說明】
[0051]應根據(jù)下面的附圖和實施例詳細闡述本發(fā)明的方面:
[0052]圖1a不出光電子器件的不意側視圖；
[0053]圖1b不出光電子器件的不意俯視圖；
[0054]圖2a至2c示意地示出根據(jù)第一實施方式的根據(jù)本發(fā)明的方法的步驟；
[0055]圖3a至3c示意地示出根據(jù)第二實施方式的根據(jù)本發(fā)明的方法的步驟；
[0056]圖4a至4c示意地示出根據(jù)第三實施方式的根據(jù)本發(fā)明的方法的步驟；
[0057]圖5a至5d示出根據(jù)方法的第一實施方式制造的波長轉換元件的顯微鏡照片；
[0058]圖6a至6g示出根據(jù)方法的第一實施方式制造的波長轉換元件的電子顯微鏡照片;
[0059]圖7a至7e示出根據(jù)方法的第二實施方式制造的波長轉換元件的顯微鏡照片；
[0060]圖8a至Sf示出根據(jù)方法的第二實施方式制造的波長轉換元件的電子顯微鏡照片。
【具體實施方式】
[0061 ] 在實施例和附圖中，相同的或起相同作用的組成部分能夠分別設有相同的附圖標記。示出的元件和其相互間的大小關系原則上不視為合乎比例的，更確切地說，為了更好的可示性和/或為了更好的理解，能夠以夸大或夸厚的尺寸示出個別元件，例如層、構件、器件和區(qū)域。
[0062]圖1a示出具有半導體芯片2和波長轉換元件10的光電子器件的示意側視圖。波長轉換元件10借助第一表面1a設置在半導體芯片上，所述半導體芯片又設置在載體I上。半導體芯片2和波長轉換元件10由囊封件5包圍，所述囊封件與波長轉換元件的第二表面1b齊平。波長轉換元件10具有留空部11，接觸裝置4穿過所述留空部引向半導體芯片2。第二接觸裝置3穿過載體I引向半導體芯片2。
[0063]在此未示出另一實施方式，根據(jù)該實施方式，波長轉換元件10具有第二留空部11，接觸裝置3穿過所述第二留空部引向半導體芯片。此外，替選地，兩個接觸裝置3和4能夠穿過載體I引向半導體芯片2。在該情況下，波長轉換元件10不具有留空部。
[0064]囊封件5例如能夠是不透明的或不太透明的、優(yōu)選強反射的含T12的囊封件。波長轉換元件10能夠包含一種或多種在上文中提到的基質材料和在其中分布的波長轉換材料。因此，由半導體芯片2發(fā)射的初級輻射射到波長轉換元件10上，所述波長轉換元件將由半導體芯片發(fā)射的初級輻射至少部分地轉換為次級輻射。
[0065]圖1b示出光電子器件的示意俯視圖，其中示出波長轉換元件的第二表面1b和囊封件5。在此，可見波長轉換元件10中的留空部11，接觸裝置4引導穿過所述留空部。
[0066]圖2a至2c示出用于制造波長轉換元件10的方法的第一實施方式。
[0067]在圖2a中示出波長轉換層100，將所述波長轉換層在兩側用等離子體50 (示意地通過虛線的箭頭表明)、例如氧等離子體處理。這是方法的簡化的示圖。也可能的是，波長轉換層100設置在載體200上(在此未示出)并且首先僅用等離子體50處理波長轉換層的第一表面100a，然后將載體200移除并且最后用等離子體50處理第二表面100b、或下側。
[0068]圖2b示出波長轉換層100，所述波長轉換層固定在具有底座42和空腔41的沖裁工具40中。沖裁工具本身包括沖模20和手柄30，穿過空腔41引導所述沖模和手柄穿過沖裁工具40。
[0069]圖2c示出沖模20，所述沖模引導穿過沖裁工具40，并且所述沖模在此已經(jīng)沖出波長轉換元件10。波長轉換元件10被在容器60中接收并且能夠從那里起以在容器中或在運輸層上設置的方式繼續(xù)運輸和/或加工。能夠多次重復在圖2c中示出的沖裁，其中在每次執(zhí)行之后移動波長轉換層100，使得能夠沖出另一波長轉換元件10。能夠將得到的波長轉換元件10共同地在容器60中接收。
[0070]在圖3a中示出在第一表面10a上用等離子體50處理的波長轉換層100。在此又涉及簡化的示圖，因為波長轉換層100能夠設置在載體200上，其中能夠在等離子體處理之后移除載體200。
[0071]圖3b又示出沖裁工具40，在所述沖裁工具中設置有波長轉換層100的。在此，與圖2b中不同的是，沖裁工具40借助底座42設置在輔助層70、例如散熱膜上。
[0072]在圖3c中示意地示出的沖裁過程期間，將波長轉換元件10借助其第二表面1b直接設置在輔助層70上。波長轉換元件的第一表面1a位于波長轉換元件的背離輔助層70的一側。在所述輔助層70上能夠對波長轉換元件10進行測試，必要時分類并且設置在新的輔助層70上。能夠多次重復在圖3b中示出的沖裁過程，其中在每次執(zhí)行之后移動波長轉換層100，以便得到新的波長轉換元件10，并且同樣移動輔助層70，以便將新的波長轉換元件10設置在輔助層70的不具有波長轉換元件10的區(qū)域上(在此未示出)。
[0073]圖4a示出方法的第三實施方式。在此，波長轉換層100設置在載體200上。波長轉換層的第一表面10a在一側由等離子體50處理。
[0074]在圖4b中示出，載體層200還有經(jīng)過等離子體處理的波長轉換層100設置在沖裁工具40中。沖裁工具40借助底座42設置在粘接層80上。在沖裁過程之后，沖裁的載體層220和波長轉換元件10設置在粘接層80上，其中波長轉換元件10借助其第二表面1b設置在沖裁的載體層220上。
[0075]圖4c示出，在波長轉換元件10的背離沖裁的載體層220的、第一表面1a上設置有輔助層70，并且將粘接層80連同沖裁的載體層220 —起從波長轉換元件拉下。在圖4c中已經(jīng)示出在相應多個沖裁過程之后在