粘接層80上得到的多個(gè)沖裁的載體層220和波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件10。
[0076]在圖1a至4c中分別示出借助一個(gè)沖裁過(guò)程產(chǎn)生僅一個(gè)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的沖裁工具。替選地,沖裁工具也能夠成型為,使得借助一個(gè)沖裁過(guò)程同時(shí)得到多個(gè)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件。這出于概覽性并未在此示出。
[0077]下面示出借助于方法的實(shí)施方式制造的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件。在圖5和6中示出的示例中,示出具有Imm2的面積的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件,所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件在兩側(cè)借助于氧等離子體玻璃化并且在沖裁過(guò)程之后、即在分割之后被在容器中接收。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件作為基質(zhì)材料例如包含硅酮和顏料I (黃綠色的發(fā)光材料)和II (紅色的發(fā)光材料)。示例性的發(fā)光材料是氧化物或氮化物、氮氧化物、塞隆(Sialone)和正硅酸鹽。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的厚度大約為110 μ mD
[0078]圖7和8示出波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件,所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件具有2mm2的面積、僅在一側(cè)用氧等離子體處理、并且在分割時(shí)沖裁到作為輔助層的散熱膜上。厚度和材料與在圖5和6的示例中是相同的。
[0079]在用于分割的方法之前,波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層分別設(shè)置在載體層上。
[0080]圖5a至5d示出波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的顯微鏡照片。在此,圖5a示出波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的上側(cè)或第一表面10a,圖5b示出波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的下側(cè)或第二表面10b。圖5c和5d分別示出具有波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的側(cè)邊緣的放大的局部。如從圖中推出的,這涉及四邊形的、在角部處具有留空部11的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件。
[0081]圖6a至6g分別示出所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的電子顯微鏡照片。在此,圖6a至6d示出波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的第一表面10a,圖6e至6g示出波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的第二表面10b。尤其在圖6b和6d中,在此,可良好地識(shí)別出在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的側(cè)邊緣和第一表面1a之間的銳利的棱邊。此外,清楚的是,第一表面1a的玻璃化部?jī)H具有對(duì)應(yīng)于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的厚度的大約1%的滲透深度。圖6c放大地示出在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的角部處的留空部11。
[0082]圖7a至7e示出如在上文中描述地那樣制造的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的顯微鏡照片。在此,在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的相對(duì)側(cè)上設(shè)有兩個(gè)留空部11,如在圖7a至7e中可見(jiàn)的那樣。在圖7a中,可見(jiàn)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的第一表面10a,圖7c示出波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的第二表面10b。圖7d放大地示出波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的側(cè)視圖,其中在上部可見(jiàn)第二表面或下側(cè),并且在下部可見(jiàn)第一表面或上側(cè)。圖7e示出波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的放大的側(cè)視圖,其中在上部設(shè)置有第一表面或上側(cè)并且在下部設(shè)置有第二表面或下側(cè)。
[0083]圖8a至Sf示出所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的電子顯微鏡照片。圖8a至Sc示出第一表面10a,圖8d至8f示出第二表面10b。尤其在圖8b和8c中又能夠識(shí)別出在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的側(cè)邊緣和第一表面1a之間的銳利的棱邊。
[0084]在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的示例中可識(shí)別出的銳利的棱邊示出,該方法非常適合于制造波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件,所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件能夠在光電子器件中使用并且在那里能夠與包圍波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的囊封件齊平。
[0085]本申請(qǐng)要求德國(guó)申請(qǐng)DE 10 2013 104 776.9的優(yōu)先權(quán),其公開(kāi)內(nèi)容在此通過(guò)參引結(jié)合于此。
[0086]本發(fā)明不通過(guò)根據(jù)實(shí)施例進(jìn)行的描述局限于此。更確切地說(shuō),本發(fā)明包括每個(gè)新特征以及特征的任意的組合,這尤其是包含在權(quán)利要求中的特征的任意的組合,即使所述特征或所述組合自身沒(méi)有明確地在權(quán)利要求或?qū)嵤├姓f(shuō)明時(shí)也如此。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于制造波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件(10)的方法,所述方法具有下述方法步驟: A)提供具有第一表面(10a)和與所述第一表面(10a)相對(duì)置的第二表面(10b)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層(100),所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層設(shè)置在載體層(200)上; B)用等離子體(50)處理所述第一表面(10a); C)至少?zèng)_裁所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層(100),其中得到具有第一表面(1a)和相對(duì)置的第二表面(1b)的至少一個(gè)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件(10)。2.根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法,其中在方法步驟B)之后,移除所述載體層(200)。3.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中在跟隨方法步驟B)的方法步驟BI)中,用等離子體(50)處理所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層(100)的第二表面(100b)。4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中在方法步驟C)中,沖裁所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層(100),并且將所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件(10)在容器¢0)中接收。5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中在方法步驟C)中,沖裁所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層(100),并且將所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件(10)借助所述第二表面(1b)設(shè)置在輔助層(70)上。6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中在方法步驟C)中,沖裁所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層(100)和所述載體層(200),并且將所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件(10)保持設(shè)置在沖裁的所述載體層(220)上。7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中在方法步驟C)中,將沖裁的所述載體層(220)借助背離所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件(10)的一側(cè)設(shè)置在粘接層(80)上。8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中在跟隨方法步驟C)的方法步驟Cl)中,將輔助層(70)設(shè)置在所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件(10)的第一表面(1a)上,并且將所述粘接層(80)移除。9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中在方法步驟C)中,使用沖裁工具(40),所述沖裁工具具有下述內(nèi)部形狀,所述內(nèi)部形狀選自:四邊形、圓形、具有至少一個(gè)留空部(11)的四邊形和具有至少一個(gè)留空部(11)的圓形。10.一種借助根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法制造的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件(10)。11.一種具有第一表面(1a)和與所述第一表面(1a)相對(duì)置的第二表面(1b)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件(10),其中所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件(10)從所述第一表面(1a)起和/或從所述第二表面(1b)起沿豎直方向直至滲透深度具有玻璃,并且從該滲透深度起具有比玻璃材料更有粘性的材料。12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件(10),所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件在所述第一表面和/或第二表面(1a)的側(cè)部上具有銳利的棱邊。13.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件(10),所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件具有選自30 μπι至300 μπι的范圍的厚度。14.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件(10),其中所述滲透深度至多對(duì)應(yīng)于所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件(10)的厚度的2%。15.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件(10),所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件具有選自0.1mm2至20mm 2的范圍的面積。16.一種具有發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片(2)和根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件(10)的光電子器件,所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件借助第一表面(1a)或第二表面(1b)在所述半導(dǎo)體芯片(2)的光路中設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片(2)上。17.根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光電子器件,所述光電子器件此外具有包圍所述半導(dǎo)體芯片(2)的囊封件(5),所述囊封件與所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件(10)的第二表面(1b)或第一表面(1a)齊平。
【專(zhuān)利摘要】提出一種用于制造波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件(10)的方法,其中提供波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層(100),用等離子體(50)處理所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的表面并且沖裁波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層。此外,提出一種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層和一種具有波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的光電子器件。
【IPC分類(lèi)】H01L33/50, H01L33/54
【公開(kāi)號(hào)】CN105190918
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480025741
【發(fā)明人】布麗塔·格厄特茨, 馬丁·布蘭德?tīng)? 馬庫(kù)斯·布格爾, 諾溫·文馬爾姆
【申請(qǐng)人】歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月23日
【申請(qǐng)日】2014年5月6日
【公告號(hào)】DE102013104776A1, DE112014002320A5, US20160104822, WO2014180842A1