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一種膜層圖案化的方法

文檔序號:9472750閱讀:465來源:國知局
一種膜層圖案化的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤指一種膜層圖案化的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,基板內(nèi)部重要部件包括多種具有圖案的膜層,膜層圖案化的制作過程中,各種異物容易落在待圖案化膜層的表面,在刻蝕工藝時會留下該膜層的殘留物,引起顯示效果不良。
[0003]以有源層為例,現(xiàn)有的有源層圖案化的方法,具體步驟包括:步驟一、如圖1a所示,在襯底基板01上依次形成柵極圖形、有源層薄膜02和光刻膠層薄膜03 ;步驟二、如圖1b所示,對光刻膠層薄膜03進行曝光顯影,在待形成有源層021對應的區(qū)域保留光刻膠031 ;步驟三、如圖1c所示,對有源層薄膜02進行刻蝕,形成有源層021的圖形;步驟四、如圖1d所示,將有源層021圖形上的光刻膠031進行剝離。圖1c和Id示出了在刻蝕有源層薄膜02之后,留下了有源層殘留物022,其發(fā)生的主要原因為刻蝕形成有源層圖形之前,有異物落在了有源層薄膜上方,致使刻蝕進行不能將本應該刻蝕掉的圖形區(qū)域刻蝕徹底,通常顯示畫面會形成亮點或不均勻等缺陷。從實際調(diào)查數(shù)據(jù)分析來看,以有源層為例,90%左右的有源層殘留物來源于干刻刻蝕之前的異物,所以在刻蝕工藝之前保護膜層不受異物的侵害是非常重要的。
[0004]因此,如何在刻蝕工藝之前避免異物影響膜層的形成,是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此,本發(fā)明實施例提供一種膜層圖案化的方法,可以保證進行刻蝕工藝前,能夠抵御異物與待圖案化膜層粘連,有效地阻擋刻蝕過程中異物對待圖案化膜層的影響,從而提尚廣品良率。
[0006]因此,本發(fā)明實施例提供了一種膜層圖案化的方法,包括:
[0007]在襯底基板表面形成待圖案化膜層;
[0008]在所述襯底基板搬運至刻蝕設(shè)備以對所述待圖案化膜層進行圖案化之前,于所述待圖案化膜層表面形成用于阻擋異物的保護層;
[0009]去除所述保護層并形成圖案化掩膜,以所述圖案化掩膜對所述待圖案化膜層進行刻蝕形成圖案化膜層。
[0010]在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述膜層圖案化的方法中,所述待圖案化膜層包括待去除區(qū)域和待保留區(qū)域。
[0011 ] 在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述膜層圖案化的方法中,在對所述待圖案化膜層進行圖案化之前,于所述待圖案化膜層表面形成用于阻擋異物的保護層,具體包括:
[0012]在對所述待圖案化膜層進行圖案化之前,于所述待圖案化膜層表面形成光刻膠層;
[0013]對所述光刻膠層進行曝光顯影,以形成保護層;所述保護層對應覆蓋所述待去除區(qū)域的膜層厚度小于對應覆蓋所述待保留區(qū)域的膜層厚度。
[0014]在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述膜層圖案化的方法中,對所述光刻膠層進行曝光顯影,以形成保護層,具體包括:
[0015]采用掩膜板圖形對所述光刻膠層進行曝光顯影,以形成保護層。
[0016]在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述膜層圖案化的方法中,所述掩膜板為半色調(diào)掩膜板、灰色調(diào)掩膜板或具有狹縫的掩膜板。
[0017]在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述膜層圖案化的方法中,去除所述保護層并形成圖案化掩膜,具體包括:
[0018]對所述保護層進行部分灰化,以形成圖案化掩膜;所述圖案化掩膜完全暴露所述待去除區(qū)域,并完全覆蓋所述待保留區(qū)域。
[0019]在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述膜層圖案化的方法中,在形成圖案化膜層之后,還包括:
[0020]對所述圖案化膜層上的圖案化掩膜進行剝離。
[0021 ] 在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述膜層圖案化的方法中,所述圖案化膜層為有源層、歐姆接觸層、源漏電極、像素電極層或觸控電極層。
[0022]本發(fā)明實施例的有益效果包括:
[0023]本發(fā)明實施例提供的一種膜層圖案化的方法,該方法包括:首先在襯底基板表面形成待圖案化膜層;然后在襯底基板搬運至刻蝕設(shè)備以對待圖案化膜層進行圖案化之前,于待圖案化膜層表面形成用于阻擋異物的保護層;最后去除保護層并形成圖案化掩膜,以圖案化掩膜對待圖案化膜層進行刻蝕形成圖案化膜層。這樣,這樣帶有保護層的待圖案化膜層在搬運至刻蝕設(shè)備的過程中,直至進行刻蝕工藝前,都能夠抵御異物與待圖案化膜層粘連,可以有效地阻擋刻蝕過程中異物對待形成的圖案化膜層的影響,達到提高產(chǎn)品良率的目的。
【附圖說明】
[0024]圖1a至圖1d分別為現(xiàn)有技術(shù)中有源層圖案化的方法在各步驟執(zhí)行后的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0025]圖2為本發(fā)明實施例提供的膜層圖案化的方法流程圖之一;
[0026]圖3為本發(fā)明實施例提供的膜層圖案化的方法流程圖之二 ;
[0027]圖4a至圖4e分別為本發(fā)明實施例提供的有源層圖案化的方法在各步驟執(zhí)行后的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖,對本發(fā)明實施例提供的膜層圖案化的方法的【具體實施方式】進行詳細地說明。
[0029]其中,附圖中各膜層的厚度和形狀不反映膜層圖案的真實比例,目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0030]本發(fā)明實施例提供了一種膜層圖案化的方法,如圖2所示,包括:
[0031]S201、在襯底基板表面形成待圖案化膜層;
[0032]S202、在襯底基板搬運至刻蝕設(shè)備以對待圖案化膜層進行圖案化之前,于待圖案化膜層表面形成用于阻擋異物的保護層;
[0033]S203、去除保護層并形成圖案化掩膜,以圖案化掩膜對待圖案化膜層進行刻蝕形成圖案化膜層。
[0034]本發(fā)明實施例提供的一種膜層圖案化的方法,首先在襯底基板表面形成待圖案化膜層,然后在襯底基板搬運至刻蝕設(shè)備以對待圖案化膜層進行圖案化之前,于待圖案化膜層表面形成用于阻擋異物的保護層,最后去除保護層并形成圖案化掩膜,以圖案化掩膜對待圖案化膜層進行刻蝕形成圖案化膜層。由于待圖案化膜層表面形成了用于阻擋異物的保護層,這樣帶有保護層的待圖案化膜層在搬運至刻蝕設(shè)備的過程中,直至進行刻蝕工藝前,都能夠抵御異物與待圖案化膜層粘連,可以有效地阻擋刻蝕過程中異物對待形成的圖案化膜層的影響,達到提高產(chǎn)品良率的目的。
[0035]在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述膜層圖案化的方法中,待圖案化膜層包括待去除區(qū)域和待保留區(qū)域。
[0036]在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述膜層圖案化的方法中,為了使保護層的圖形可以在對應待圖案化膜層的待去除區(qū)域和待保留區(qū)域具有不同的厚度,以便下一步去除保護層的過程中形成圖案化掩膜,以及在刻蝕工藝之前保護層能起到保護待圖案化膜層不受異物的侵害,步驟S202在對待圖案化膜層進行圖案化之前,于待圖案化膜層表面形成用于阻擋異物的保護層,如圖3所示,具體可以采用如下方式實現(xiàn):
[0037]S301、在對待圖案化膜層進行圖案化之前,于待圖案化膜層表面形成光刻膠層;
[0038]S302、對光刻膠層進行曝光顯影,以形成保護層;保護層對應覆蓋待去除區(qū)域的膜層厚度小于對應覆蓋待保留區(qū)域的膜層厚度。
[0039]在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述膜層圖案化的方法中,步驟S302對光刻膠層進行曝光顯影,以形成保護層,具體可以采用如下方式實現(xiàn):
[0040]采用掩膜板圖形對光刻膠層進行曝光顯影,以形成保護層。
[0041]需要說明的是,通過改變掩膜板圖形的透過率的方式對光刻膠層進行曝光顯影,以形成保護層,一般采用50% -80%的透過率,可以保證在光刻膠層中與待圖案化膜層的待去除區(qū)域?qū)膮^(qū)域(即需要曝光的區(qū)域)形成光刻膠部分保留區(qū)域(即該區(qū)域光刻膠曝光未完全,還留有一定厚度的光刻膠),而在光刻膠層中與待圖案化膜層的待保留區(qū)域?qū)膮^(qū)域形成光刻膠完全保留區(qū)域(即該區(qū)域光刻膠不進行曝光),因此,形成的保護層圖形對應覆蓋待去除區(qū)
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