域的膜層厚度可以小于對應(yīng)覆蓋待保留區(qū)域的膜層厚度。對光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，也可以采用調(diào)整光照強度等方式，只要可以使光刻膠層得到光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域即可，不限于采用掩膜板圖形的方式，在此不做限定。
[0042]在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述膜層圖案化的方法中，當(dāng)采用掩膜板圖形對光刻膠層進(jìn)行曝光顯影時，為了達(dá)到預(yù)定的透過率，該掩膜板可以選擇使用半色調(diào)掩膜板、灰色調(diào)掩膜板或者具有狹縫的掩膜板。在具體實施的過程中，本發(fā)明實施例提供的掩膜板可以使任何適合改變透過率的結(jié)構(gòu)，不限于本發(fā)明提供的上述掩膜板結(jié)構(gòu)。
[0043]在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述膜層圖案化的方法中，為了便于進(jìn)行下一步的刻蝕工藝，進(jìn)而形成圖案化膜層，步驟S203去除保護(hù)層并形成圖案化掩膜，如圖3所示，具體可以采用如下方式:
[0044]S303、對保護(hù)層進(jìn)行部分灰化，以形成圖案化掩膜；圖案化掩膜完全暴露待去除區(qū)域，并完全覆蓋待保留區(qū)域。
[0045]需要說明的是，將保護(hù)層在刻蝕設(shè)備中進(jìn)行灰化工藝處理，由于保護(hù)層對應(yīng)覆蓋待去除區(qū)域的膜層厚度小于對應(yīng)覆蓋待保留區(qū)域的膜層厚度，當(dāng)對應(yīng)覆蓋待去除區(qū)域的膜層的保護(hù)層完全去除掉時，停止灰化工藝，此時對應(yīng)覆蓋待保留區(qū)域的膜層的保護(hù)層只被灰化掉上半部分，剩余的保護(hù)層可以作為圖案化掩膜，便于進(jìn)行下一步的刻蝕工藝。在具體實施時，以灰化工藝之后的保護(hù)層作為圖案化掩膜，進(jìn)行對待圖案化膜層的刻蝕，無需增加新的掩膜板，可以簡化工藝，節(jié)省成本。
[0046]在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述膜層圖案化的方法中，在執(zhí)行步驟S203形成圖案化膜層之后，如圖3所示，還可以包括:
[0047]S304、對圖案化膜層上的圖案化掩膜進(jìn)行剝離。將圖案化掩膜剝離后，可以得到完整的無殘留的圖案化膜層的圖案。
[0048]在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述膜層圖案化的方法中，圖案化膜層可以具體為有源層、歐姆接觸層、源漏電極、像素電極層或觸控電極層，即該膜層可以設(shè)置在顯示基板上，也可以設(shè)置在觸控基板上。需要說明的是，只要具有圖形的膜層都可以采用本發(fā)明的制作方法，在此不做限定。
[0049]下面以一個具體的實例詳細(xì)的說明本發(fā)明實施例提供的有源層圖案化的方法，制作有源層的圖案的具體步驟如下:
[0050]步驟一、在襯底基板表面依次形成柵極圖案和有源層薄膜；
[0051]在具體實施時，如圖4a所示，首先在襯底基板I上形成柵極2圖案；然后在形成柵極2圖案的襯底基板上形成有源層薄膜3 ;此時有源層薄膜3為待圖案化膜層，有源層薄膜3包括待去除區(qū)域A和待保留區(qū)域B ;
[0052]步驟二、在對有源層薄膜進(jìn)行圖案化之前，于有源層薄膜表面形成光刻膠層；
[0053]在具體實施時，如圖4b所示，在對有源層薄膜3進(jìn)行圖案化之前，于有源層薄膜3表面形成光刻膠層4 ;
[0054]步驟三、對光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，以形成保護(hù)層；保護(hù)層對應(yīng)覆蓋待去除區(qū)域的膜層厚度小于對應(yīng)覆蓋待保留區(qū)域的膜層厚度；
[0055]在具體實施時，如圖4c所示，對光刻膠層4進(jìn)行曝光顯影，以形成保護(hù)層41，具體地，可以采用半色調(diào)掩膜板、灰色調(diào)掩膜板或者具有狹縫的掩膜板對光刻膠層4進(jìn)行曝光顯影，以形成保護(hù)層41，此時，該保護(hù)層41對應(yīng)覆蓋待去除區(qū)域A的膜層厚度小于對應(yīng)覆蓋待保留區(qū)域B的膜層厚度；
[0056]步驟四、對保護(hù)層進(jìn)行部分灰化，以形成圖案化掩膜；圖案化掩膜完全暴露待去除區(qū)域，并完全覆蓋待保留區(qū)域；以圖案化掩膜對有源層薄膜進(jìn)行刻蝕形成有源層；
[0057]在具體實施時，如圖4d所示，在完成步驟三中顯影工序之后，將帶有保護(hù)層41的有源層薄膜3搬運到刻蝕設(shè)備中，在刻蝕設(shè)備中，為了便于進(jìn)行下一步的刻蝕工藝，對曝光顯影后的保護(hù)層41進(jìn)行灰化工藝，將對應(yīng)覆蓋待去除區(qū)域A的膜層厚度的保護(hù)層41去除掉，以形成圖案化掩膜42 ;該圖案化掩膜42完全暴露待去除區(qū)域A，并完全覆蓋待保留區(qū)域B ;之后，以圖案化掩膜42對有源層薄膜3進(jìn)行刻蝕形成有源層31圖案；
[0058]步驟五、對有源層圖案上的圖案化掩膜進(jìn)行剝離；
[0059]在具體實施時，如圖4e所示，在完成步驟四中干刻工藝之后，對有源層31圖案上的圖案化掩膜42進(jìn)行剝離，這樣就得到了完整的無殘留的有源層31的圖案。
[0060]至此，經(jīng)過具體實例提供的上述步驟一至步驟五制作出了本發(fā)明實施例提供的上述膜層。
[0061]本發(fā)明實施例提供的一種膜層圖案化的方法，該方法包括:首先在襯底基板表面形成待圖案化膜層；然后在襯底基板搬運至刻蝕設(shè)備以對待圖案化膜層進(jìn)行圖案化之前，于待圖案化膜層表面形成用于阻擋異物的保護(hù)層；最后去除保護(hù)層并形成圖案化掩膜，以圖案化掩膜對待圖案化膜層進(jìn)行刻蝕形成圖案化膜層。這樣，這樣帶有保護(hù)層的待圖案化膜層在搬運至刻蝕設(shè)備的過程中，直至進(jìn)行刻蝕工藝前，都能夠抵御異物與待圖案化膜層粘連，可以有效地阻擋刻蝕過程中異物對待形成的圖案化對膜層的影響，達(dá)到提高產(chǎn)品良率的目的。
[0062]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種膜層圖案化的方法，其特征在于，包括: 在襯底基板表面形成待圖案化膜層； 在所述襯底基板搬運至刻蝕設(shè)備以對所述待圖案化膜層進(jìn)行圖案化之前，于所述待圖案化膜層表面形成用于阻擋異物的保護(hù)層； 去除所述保護(hù)層并形成圖案化掩膜，以所述圖案化掩膜對所述待圖案化膜層進(jìn)行刻蝕形成圖案化膜層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述待圖案化膜層包括待去除區(qū)域和待保留區(qū)域。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在對所述待圖案化膜層進(jìn)行圖案化之前，于所述待圖案化膜層表面形成用于阻擋異物的保護(hù)層，具體包括: 在對所述待圖案化膜層進(jìn)行圖案化之前，于所述待圖案化膜層表面形成光刻膠層； 對所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，以形成保護(hù)層；所述保護(hù)層對應(yīng)覆蓋所述待去除區(qū)域的膜層厚度小于對應(yīng)覆蓋所述待保留區(qū)域的膜層厚度。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，對所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，以形成保護(hù)層，具體包括: 采用掩膜板圖形對所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，以形成保護(hù)層。5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述掩膜板為半色調(diào)掩膜板、灰色調(diào)掩膜板或具有狹縫的掩膜板。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，去除所述保護(hù)層并形成圖案化掩膜，具體包括: 對所述保護(hù)層進(jìn)行部分灰化，以形成圖案化掩膜；所述圖案化掩膜完全暴露所述待去除區(qū)域，并完全覆蓋所述待保留區(qū)域。7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在形成圖案化膜層之后，還包括: 對所述圖案化膜層上的圖案化掩膜進(jìn)行剝離。8.如權(quán)利要求1-7任一項所述的方法，其特征在于，所述圖案化膜層為有源層、歐姆接觸層、源漏電極、像素電極層或觸控電極層。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種膜層圖案化的方法，該方法包括：首先在襯底基板表面形成待圖案化膜層；然后在襯底基板搬運至刻蝕設(shè)備以對待圖案化膜層進(jìn)行圖案化之前，于待圖案化膜層表面形成用于阻擋異物的保護(hù)層；最后去除保護(hù)層并形成圖案化掩膜，以圖案化掩膜對待圖案化膜層進(jìn)行刻蝕形成圖案化膜層。這樣，這樣帶有保護(hù)層的待圖案化膜層在搬運至刻蝕設(shè)備的過程中，直至進(jìn)行刻蝕工藝前，都能夠抵御異物與待圖案化膜層粘連，可以有效地阻擋刻蝕過程中異物對待形成的圖案化膜層的影響，達(dá)到提高產(chǎn)品良率的目的。
【IPC分類】H01L21/027, H01L21/306, H01L21/02
【公開號】CN105225929
【申請?zhí)枴緾N201510614255
【發(fā)明人】李麗, 彭志龍, 代伍坤, 董宜萍
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司
【公開日】2016年1月6日
【申請日】2015年9月23日