亞酰胺 (polymide，PI)、TMMR 或苯并環(huán)丁烯（Benzocyclobutene，BCB) 〇
[0104] 參考圖53,可使用但不限于暫時(shí)性黏膠將第二鈍化層19黏貼到承載體 (carrier) 19C 上。
[0105] 參考圖54,可使用但不限于研磨（grinding)或化學(xué)機(jī)械研磨（Chemical Mechanical Polishing/Planarization)技術(shù)來(lái)薄化襯底10,并且磨除第一晶種層11的底 部114而使第二表面102顯露第一晶種層11的側(cè)壁113以及第一圖案化金屬層12。
[0106] 參考圖55,可在襯底10的第二表面102上形成掩模10P。掩模10P可以是或可以 包含但不限于例如光致抗蝕劑層或干抗蝕劑膜，且可使用例如壓合或積層方式將掩模10P 形成于襯底10的第二表面102上以覆蓋部分第二表面102。掩模10P可以是形成在第二表 面102上但顯露第一晶種層11以及第一圖案化金屬層12的圖案化掩模10P。
[0107] 參考圖56,可使用但不限于電鍍工藝在未被掩模10P覆蓋的第二表面102上形成 第三圖案化金屬層21。第三圖案化金屬層21可以是或可以包含但不限于例如銅或其它金 屬。部分第三圖案化金屬層21電性連接或接觸第一圖案化金屬層12和第一晶種層11。
[0108] 參考圖57,可使用但不限于剝除或去光致抗蝕劑技術(shù)移除圖56中的掩模10P。
[0109] 參考圖58,可使用但不限于涂布技術(shù)在第二表面102上形成第三鈍化層22,使得 第三鈍化層22包覆第二表面102和第三圖案化金屬層21。第三圖案化金屬層21可以是或 可以包含但不限于例如聚亞酰胺（P〇lymide，PI)、TMMR或苯并環(huán)丁烯（Benzocyclobutene， BCB) 〇
[0110] 參考圖59,在本發(fā)明的一實(shí)施例中，可在第三鈍化層22中形成多個(gè)開(kāi)口 220以顯 露部分第三圖案化金屬層21。
[0111] 參考圖60,可以機(jī)械或人工方式移除承載體19C?？煞謩e開(kāi)口 190和開(kāi)口 220中 以焊球植入技術(shù)（solder bumping/solder implanting)形成至少一個(gè)電性連接元件20。電 性連接元件20可以是或可以包含但不限于例如焊錫（solder)。
[0112] 圖61到62是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意圖。參考圖 61，可在形成圖43所示的第一晶種層11后使用但不限于電鍍工藝在第一晶種層11上以及 第二孔Ilh中形成第二金屬層13。第二金屬層13可以是或可以包含但不限于例如銅或其 它金屬。
[0113] 參考圖62,可在圖61所示的第二金屬層13上形成掩模12P。掩模12P可以是或 可以包含但不限于例如光致抗蝕劑層或干抗蝕劑膜，且可使用例如壓合或積層方式將掩模 12P形成于第二金屬層13上以覆蓋部分第二金屬層13。掩模12P可以是圖案化掩模12P。 可利用但不限于蝕刻技術(shù)移除未被掩模12P覆蓋的第二金屬層13以形成圖46所示的結(jié) 構(gòu)。
[0114] 上述實(shí)施例僅為說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用以限制本發(fā)明。因此，所屬領(lǐng) 域的技術(shù)人員可對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改及變化而不脫離本發(fā)明的精神。本發(fā)明的權(quán)利范圍 應(yīng)如所附權(quán)利要求書所列。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種半導(dǎo)體裝置，其包括： 襯底，所述襯底具有第一表面； 第一晶種層，所述第一晶種層位于所述第一表面上； 第一圖案化金屬層，所述第一圖案化金屬層位于所述第一晶種層上且具有第一厚度， 所述第一圖案化金屬層具有第一圖案化金屬層的第一部分以及第一圖案化金屬層的第二 部分； 第一電介質(zhì)層，所述第一電介質(zhì)層位于所述第一圖案化金屬層的所述第一部分上；以 及 第一金屬層，所述第一金屬層位于所述第一電介質(zhì)層上且具有第二厚度，其中所述第 一厚度大于所述第二厚度， 其中所述第一圖案化金屬層的所述第一部分、所述第一電介質(zhì)層以及所述第一金屬層 形成電容器，所述第一圖案化金屬層的所述第一部分為所述電容器的下電極，且所述第一 圖案化金屬層的所述第二部分為電感器。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)一步包括第二金屬層，所述第二金屬層位 于所述第一圖案化金屬層的所述第一部分上或位于所述第一圖案化金屬層的所述第一部 分與所述第一電介質(zhì)層之間，且所述第二金屬層具有第三厚度，其中所述第三厚度大于所 述第二厚度。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)一步包括第一鈍化層，所述第一鈍化層位 于所述第一表面上且包覆所述第一晶種層、所述第一圖案化金屬層、所述第一電介質(zhì)層、所 述第一金屬層以及所述第二金屬層，其中所述第一鈍化層具有至少一個(gè)開(kāi)口以暴露所述第 一金屬層。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一鈍化層的至少一個(gè)開(kāi)口暴露所述 第二金屬層或所述第一圖案化金屬層。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)一步包括第三金屬層，所述第三金屬層位 于所述第一鈍化層上，且位于所述第一鈍化層的至少一個(gè)開(kāi)口所暴露的所述第一圖案化金 屬層以及所述第一金屬層上。6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)一步包括第二晶種層，所述第二晶種層位 于所述第一鈍化層上，且位于所述第一鈍化層的至少一個(gè)開(kāi)口所暴露的所述第一圖案化金 屬層以及所述第一金屬層上。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)一步包括第二圖案化金屬層，所述第二圖 案化金屬層位于所述第二晶種層上。8. -種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其包括： (a) 提供襯底，所述襯底具有第一表面； (b) 在所述襯底的第一表面上提供第一晶種層； (c) 在所述第一晶種層上形成第一圖案化金屬層，所述第一圖案化金屬層具有第一厚 度，且所述第一圖案化金屬層具有所述第一圖案化金屬層的第一部分以及所述第一圖案化 金屬層的第二部分； (d) 在所述第一圖案化金屬層的所述第一部分上方形成第一電介質(zhì)層；以及 (e) 在所述第一電介質(zhì)層上形成第一金屬層，所述第一金屬層具有第二厚度，其中所述 第一厚度大于所述第二厚度，其中所述第一圖案化金屬層的所述第一部分、所述第一電介 質(zhì)層以及所述第一金屬層形成電容器，所述第一圖案化金屬層的所述第一部分為所述電容 器的下電極，且所述第一圖案化金屬層的所述第二部分為電感器。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在步驟（c)之后，進(jìn)一步包括：(cl) 利用所述第一圖案化金屬層作為掩模以移除未被所述第一圖案化金屬層覆蓋的第一晶種 層。10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在步驟（c)之后，進(jìn)一步包括： (c2)在所述第一圖案化金屬層的所述第一部分上形成第二金屬層，且所述第二金屬層的部 分位于所述第一圖案化金屬層的所述第一部分與所述第一電介質(zhì)層之間，所述第二金屬層 具有第三厚度，其中所述第三厚度大于所述第二厚度。11. 一種半導(dǎo)體裝置，其包括： 襯底，所述襯底具有第一表面、相對(duì)于所述第一表面的第二表面以及多個(gè)貫穿所述襯 底的第一孔； 第一晶種層，所述第一晶種層位于所述第一表面以及所述多個(gè)第一孔的側(cè)壁上，所述 第一晶種層沿著每一所述多個(gè)第一孔圍繞出第二孔； 第一圖案化金屬層，所述第一圖案化金屬層位于所述第一晶種層上以及所述第二孔 中，所述第一圖案化金屬層具有第一厚度，所述第一圖案化金屬層具有所述第一圖案化金 屬層的第一部分以及所述第一圖案化金屬層的第二部分； 第一電介質(zhì)層，所述第一電介質(zhì)層位于所述第一圖案化金屬層的所述第一部分上；以 及 第一金屬層，所述第一金屬層位于所述第一電介質(zhì)層上且具有第二厚度，其中所述第 一厚度大于所述第二厚度， 其中所述第一圖案化金屬層的所述第一部分、所述第一電介質(zhì)層以及所述第一金屬層 形成電容器，所述第一圖案化金屬層的所述第一部分為所述電容器的下電極，且所述第一 圖案化金屬層的所述第二部分為電感器。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)一步包括第二金屬層，所述第二金屬層 位于所述第一圖案化金屬層的所述第一部分上或位于所述第一圖案化金屬層的所述第一 部分與所述第一電介質(zhì)層之間，且所述第二金屬層具有第三厚度，其中所述第三厚度大于 所述第二厚度。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括襯底、第一晶種層、第一圖案化金屬層、第一電介質(zhì)層以及第一金屬層。所述襯底具有第一表面，且所述第一晶種層位于所述第一表面上。所述第一圖案化金屬層位于所述第一晶種層上且具有第一厚度。所述第一圖案化金屬層包含所述第一圖案化金屬層的第一部分以及所述第一圖案化金屬層的第二部分。所述第一電介質(zhì)層沉積于所述第一圖案化金屬層的所述第一部分上。所述第一金屬層沉積于所述第一電介質(zhì)層上且具有第二厚度，其中所述第一厚度大于所述第二厚度，其中所述第一圖案化金屬層的所述第一部分、所述第一電介質(zhì)層以及所述第一金屬層形成電容器，所述第一圖案化金屬層的所述第一部分為所述電容器的下電極，且所述第一圖案化金屬層的所述第二部分為電感器。
【IPC分類】H01L21/822, H01L23/522
【公開(kāi)號(hào)】CN105226045
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410239582
【發(fā)明人】陳建樺, 李德章, 張勇舜, 李寶男
【申請(qǐng)人】日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年1月6日
【申請(qǐng)日】2014年5月30日
【公告號(hào)】US20150349048