這些數(shù)值中任何兩個(gè)之間的范圍。例如，在一個(gè)實(shí)施方式中，磁場(chǎng)強(qiáng)度可以是約0.139特斯拉(1390高斯)。
[0028]本文所述的實(shí)施方式提供一種制備硼鏈嵌入的碳納米管的方法。在一些實(shí)施方式中，該方法包括使至少一種烴氣體和至少一種硼氣體在爐中接觸。在一些實(shí)施方式中，硼氣體是B3N3H6。在一些實(shí)施方式中，硼氣體是B203或BC13。本文所描述的條件可以根據(jù)所用硼氣體的具體類(lèi)型來(lái)改變。在一些實(shí)施方式中，烴氣體是乙炔氣。在一些實(shí)施方式中，烴氣體是甲烷。在一些實(shí)施方式中，硼氣體和烴氣體相繼接觸所述爐。在一些實(shí)施方式中，硼氣體和烴氣體共同(例如，同時(shí))與所述爐接觸。
[0029]如本文所用的術(shù)語(yǔ)“爐”是指其中可以發(fā)生反應(yīng)并且例如可調(diào)節(jié)溫度的設(shè)備、結(jié)構(gòu)或裝置?？筛淖儬t的確切結(jié)構(gòu)以符合系統(tǒng)和所生成的產(chǎn)物。
[0030]在一些實(shí)施方式中，所述爐包含至少一種金屬催化劑。當(dāng)烴氣體在金屬催化劑的存在下接觸硼氣體時(shí)，該催化劑可以促進(jìn)硼嵌入的碳納米管的產(chǎn)生。在一些實(shí)施方式中，金屬催化劑是混合稀土金屬-鎳(MmNi6)、MmNi3、鎳(Ni)、舒(Ru)、鈾(Pt)、鈀(Pd)、混合稀土金屬(Mm)或它們的任意組合。如本文所用的術(shù)語(yǔ)“混合稀土金屬”是指稀土元素的合金。在一些實(shí)施方式中，催化劑被包封或放置在石英基體上，所述石英基體例如但不限于石英管或石英平臺(tái)。在一些實(shí)施方式中，石英平臺(tái)被放置在石英管中。石英管也可以在爐內(nèi)。
[0031]反應(yīng)的溫度可以根據(jù)所使用的烴氣體進(jìn)行改變。具體溫度因此可以根據(jù)用于生成硼嵌入的碳納米管的具體的烴氣體而改變。在一些實(shí)施方式中，溫度為至少約1100°C。在一些實(shí)施方式中，溫度約1000 °C?約1100°C、約1025°C?約1100 °C、約1150°C?約1100 °C、或約1175°C?約1100°C。在一些實(shí)施方式中，溫度為約650°C?約800°C、約675°C?約775°C、或約700°C?約750°C。在一些實(shí)施方式中，使用乙炔氣時(shí)，溫度為約1050°C?約1100°C。在一些實(shí)施方式中，使用甲烷氣體時(shí)，溫度為約700°C?約750°C。在一些實(shí)施方式中，溫度為約 550°C、600°C、650、700°C、750°C、800°C、850°C、900°C、950、1000°C、1050°C、或約 1100°C。
[0032]也可以可選地改變反應(yīng)的壓力來(lái)控制反應(yīng)。在一些實(shí)施方式中，壓力為約5巴、6巴、7巴、8巴、9巴或10巴，其中1巴等于100千帕。所用的確切壓力將取決于爐的尺寸，但也可以改變壓力，從而使得壓力足以制備硼嵌入的碳納米管。
[0033]在一些實(shí)施方式中，在烴氣體與催化劑接觸前，將爐加熱至溫度為約500°C?約600°C、約540°C?約560°C、或約550°C。在一些實(shí)施方式中，溫度升高至約1000°C?約1200°C、約1000°C?約1150°C、約1050°C?約1150°C、或約1100°C。可以提高爐內(nèi)催化劑的溫度，例如，以每分鐘約1°C、2°C、3°C、4°C、5°C、6°C、7°C、8°C、9°C或10°C的速率。
[0034]在一些實(shí)施方式中，在制造硼嵌入的碳納米管的反應(yīng)過(guò)程中使氫氣通過(guò)爐。在一些實(shí)施方式中，使氫氣連續(xù)地通過(guò)爐。在一些實(shí)施方式中，該氣體以約1巴、2巴、3巴、4巴或5巴的壓力通過(guò)爐。所采用的壓力將由爐的尺寸來(lái)確定，并且可以針對(duì)所述條件和爐的尺寸進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié)(如增加或減少)。
[0035]在一些實(shí)施方式中，該方法包括生成硼氣體。在一些實(shí)施方式中，該方法包括在足以產(chǎn)生硼氣體的條件下使硼鹽和還原劑在惰性氣體的存在下接觸。硼鹽的實(shí)例包括但不限于硼氫化鈉、三氟化硼、硼酸乙醚絡(luò)合物和硝酸硼等。還原劑的實(shí)例包括但不限于硫酸銨、高錳酸鉀、肼和過(guò)氧化氫等?？梢允褂萌魏味栊詺怏w來(lái)產(chǎn)生硼氣體。惰性氣體的實(shí)例包括但不限于氬氣、氦氣、氖氣、氪氣、氣氣、氡氣和氮?dú)獾取Ｔ谝恍?shí)施方式中，該方法包括使硼氫化鈉和硫酸銨在氬氣的存在下接觸。
[0036]在一些實(shí)施方式中，生成硼氣體的方法包括使硼鹽和還原劑在包含高沸點(diǎn)電負(fù)性不揮發(fā)性電解質(zhì)和碘化物的容器中接觸。在一些實(shí)施方式中，所述碘化物為12或三碘化物。在一些實(shí)施方式中，該電負(fù)性不揮發(fā)性電解質(zhì)是四乙二醇二甲醚、B203、BF3、BC13、BBr3、BI3或它們的任意組合。
[0037]圖1和2分別圖示了可用于制造硼鏈嵌入的碳納米管的系統(tǒng)的非限制性實(shí)例。圖1圖示了在石英管25中具有石英基體20的爐10。圖1圖示了存在于石英基體20上的金屬催化劑30。圖1還圖示了與氣體入口 40和氣體出口 50連接的爐。圖1還圖示了具有硼氣體發(fā)生器60的系統(tǒng)。硼氣體發(fā)生器可以例如經(jīng)由氣體入口 40連接至爐。圖1還圖示了包括用于促進(jìn)氣體流過(guò)系統(tǒng)的水浴70的系統(tǒng)。圖1還圖示了包括用于引入烴氣體的端口80和用于引入氫氣的端口 90的系統(tǒng)。圖1還圖示了用于將惰性氣體引入硼氣體發(fā)生器的端口 100和用于引入電負(fù)性不揮發(fā)性電解質(zhì)115的端口 110。圖1所示的系統(tǒng)僅是一個(gè)實(shí)例，并且可以使用許多其它類(lèi)型的系統(tǒng)來(lái)制造硼鏈嵌入的碳納米管。圖2相對(duì)于圖1的系統(tǒng)提供了更多的細(xì)節(jié)，下面參照實(shí)施例5進(jìn)一步討論圖2。
[0038]在一些實(shí)施方式中，硼鏈嵌入的碳納米管被固定在基板上，例如氟氧化錫(FT0)玻璃板上。因此，在一些實(shí)施方式中，提供了將硼鏈嵌入的碳納米管固定在FT0玻璃板上的方法。在一些實(shí)施方式中，該方法包括:將硼鏈嵌入的碳納米管分散在溶劑中；用分散的硼鏈嵌入的碳納米管涂覆FT0玻璃板；和將溶劑蒸發(fā)以得到涂覆有硼鏈嵌入的碳納米管的FT0玻璃板。在一些實(shí)施方式中，該溶劑是醇或烷基醇。在一些實(shí)施方式中，溶劑是乙醇、甲醇、異丁醇、異丙醇、二甲基甲酰胺、甲苯、苯、四氯化碳或它們的組合。
[0039]納米管可以可選地分散在溶劑中，以使納米管能夠均勻涂覆/沉積在玻璃板上。在一些實(shí)施方式中，通過(guò)超聲處理使納米管分散在溶劑中。在將含有納米管的溶劑沉積在玻璃板上后，可以將溶劑蒸發(fā)?？梢酝ㄟ^(guò)例如在用于蒸發(fā)溶劑的溫度加熱該板來(lái)使溶劑蒸發(fā)。在一些實(shí)施方式中，板被加熱到至少100°C的溫度。在一些實(shí)施方式中，板被加熱至約100°C?約120°C的溫度。在一些實(shí)施方式中，板被加熱至不超過(guò)120°C的溫度。在一些實(shí)施方式中，在足以除去溶劑的溫度下烘烤板。烘烤可以促進(jìn)溶劑的蒸發(fā)，并且可以在任何足以除去溶劑而不損壞板或納米管的溫度(如在本文中所描述的溫度)下進(jìn)行。在一些實(shí)施方式中，該板例如在加熱板上被加熱，以除去部分溶劑，然后在更高溫度下烘烤以去除所有或基本上所有的溶劑。在一些實(shí)施方式中，將板在約200°C的溫度下加熱以去除基本上所有的溶劑。
[0040]納米管可涂覆在玻璃板上。在一些實(shí)施方式中，納米管通過(guò)旋涂被涂覆到玻璃板上。可以用任何方法將納米管均勻地涂覆玻璃板。
[0041]還提供了電致發(fā)光組合物的制造方法和電致發(fā)光組合物的實(shí)施方式。在一些實(shí)施方式中，如圖3表示，第一導(dǎo)電基板200可與涂覆有硼鏈嵌入的碳納米管的膜210的第二導(dǎo)電基板205相鄰設(shè)置。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述基板可以為相同的導(dǎo)電基板，在其它實(shí)施方式中，所述基板可為不同基板，例如ΙΤ0玻璃板和FT0玻璃板。如上所述，在面對(duì)面的基板之間可以保持間隙215。板之間的間隙215可以通過(guò)空間220提供，空間220可由不導(dǎo)電材料形成。板200和205可與電源225連接，由此可對(duì)板施加電勢(shì)差，從而發(fā)射光230?？烧{(diào)整板200和205之間的間隙215，以調(diào)控光230的強(qiáng)度。間隙215的尺寸的實(shí)例在上面進(jìn)行了描述。
[0042]還提供了產(chǎn)生光的方法的實(shí)施方式。在一些實(shí)施方式中，所示方法包括使電流通過(guò)相鄰的基板200和205。在一些實(shí)施方式中，所示方法產(chǎn)生純白光。在一些實(shí)施方式中，所示方法產(chǎn)生亮度為約50流明?約60流明的光。不過(guò)亮度也可以大于50流明?60流明。在一些實(shí)施方式中，所述方法產(chǎn)生的光的亮度為至少10流明、約20流明、約30流明、約40流明、或約50流明。在一些實(shí)施方式中，在約7.0V的電壓下，對(duì)于2cmX2cm(4cm2)構(gòu)造的組合物，電流的功率小于約2.0W(其會(huì)是約0.5ff/cm2)。在一個(gè)實(shí)施方式中，在約7.0V的電壓下，電流為約10mA。
[0043]已經(jīng)確定，通過(guò)在板205上放置與膜210相鄰并且隔開(kāi)的至少一個(gè)磁體300A?300D (參見(jiàn)圖6A?6C)，可以使從裝