圖6b所示的構(gòu)造，并在改變磁體之間的距離的情況下再次進行光強度測定。如圖10所示，對于強度隨距離的變化，獲得了相似的結(jié)果，并且光的峰值波長還有位移。如下面進一步討論的，這種由于磁體取向而導(dǎo)致的空間光強度變化可能歸結(jié)于材料的反鐵磁性行為。
[0062]實施例6:用4個磁體進行偏振化
[0063]利用實施例1?4制備的2cmX 2cm板，將0.139特斯拉的棒狀磁體沿圖6c所示的所有4條邊放置，將相對磁體的相反磁極指向膜。施加10mA、7V DC功率的注入電流以產(chǎn)生光發(fā)射，并再次進行強度測定，結(jié)果如圖11所示。對于強度隨距離的變化，獲得了相似的結(jié)果，并且再次發(fā)生了光的峰值波長的位移。類似地，這種由于磁體取向而導(dǎo)致的空間光強度變化可能歸結(jié)于材料的反鐵磁性行為。
[0064]圖12顯示了隨著將偏振器旋轉(zhuǎn)過約20°?約160°的角取向時發(fā)射的光在穿過偏振器之后的強度。
[0065]硼鏈對31電子云的影響可以提供電荷傳輸所需的必要的自由電子密度，這在組合物的歐姆行為中觀察到。這意味著導(dǎo)帶和價帶有重疊一一與金屬類似。由于碳納米管包圍在硼周圍，這使得該材料的行為更像導(dǎo)體，而不是半導(dǎo)體，因此該材料的開啟電場較低。通過較低的施加場，價帶和導(dǎo)帶開始重疊。這導(dǎo)致越高的電場下重疊越大。因此，隨著施加電壓的增大，觀察到亮度的增加。由于遠離蜂窩碳納米管的31電子云相對松散，使電子隧穿通過硼鏈和碳納米管之間的環(huán)形間隙所需的場強“E”相當(dāng)?shù)?。該方法消除了對于用來啟動材料的電子發(fā)射的高電場的需求。這是本文所述組合物和方法與現(xiàn)有技術(shù)組合物相比的優(yōu)勢。
[0066]以不同的原子價數(shù)將原子并入碳納米管的蜂窩狀晶格中通常在碳納米管的態(tài)密度(DOS)中引入另外的狀態(tài)。只有三個價電子，硼狀態(tài)將處于未摻雜的碳納米管的費米能級之下。由于其與碳相比化合價降低，硼原子可以充當(dāng)離域η電子的電子陷阱，即，準(zhǔn)一維電子體系。約束在三維主晶格中的此準(zhǔn)一維電子體系對外部參數(shù)高度敏感，取決于磁場、溫度、壓力、電場等，表現(xiàn)出1D、2D及3D體系固有的不同特性；實例為自旋密度波(SDW)狀態(tài)、量子霍爾效應(yīng)和超導(dǎo)性等。
[0067]準(zhǔn)一維電子體系的順磁性金屬狀態(tài)不穩(wěn)定，轉(zhuǎn)變?yōu)镾DW狀態(tài)，SDW狀態(tài)是反鐵磁性(AF)自旋有序狀態(tài)，或絕緣體。(通過4探針法測定，本研究所用的膜具有大于1兆歐姆的電阻。)
[0068]參照圖13，將體系暴露于僅電場E (無磁體)可破壞SDW狀態(tài)，并使順磁性金屬狀態(tài)更有利，導(dǎo)致低量子效率和相應(yīng)的暗光(無平面限域，帶間躍迀放出單個光子)。進一步暴露于磁場Μ可以導(dǎo)致在不同場誘導(dǎo)SDW(FISDW)態(tài)之間的一連串的躍迀，這與磁場驅(qū)動的變化相關(guān)(平面限域?qū)е露鄠€能級，其中電子進行子帶間躍迀并發(fā)出光子。一個階段的較低能級送入下一個階段的較高能級，電子發(fā)生雪崩通過結(jié)構(gòu)，產(chǎn)生如階段那么多的光子，得到高量子效率)。
[0069]實驗結(jié)果中顯示的空間光強度的變化(強度峰從一個波長帶位移至另一個波長帶)可以歸因于材料的反鐵磁性行為。在具有兩個準(zhǔn)粒子(自旋s和s’)的材料(見圖13)中，粒子之間的磁相互作用可能通過它們與所處材料的背景磁性行為的自旋漲落特性耦合而改變。通常，例如，位于原點的自旋s可通過引起自旋漲落而使發(fā)射偏振化，這種誘導(dǎo)磁化又耦合至距離r遠處的的第二自旋s’，產(chǎn)生誘導(dǎo)的有效磁相互作用。該誘導(dǎo)的有效磁體相互作用對材料的磁性質(zhì)非常敏感。對于表現(xiàn)出弱磁性行為的普通順磁體而言，所產(chǎn)生的s和s’之間的磁相互作用非常弱。但是，如果背景材料接近于反鐵磁性，則使兩個自旋密切連接的自旋漲落的頻譜變得與動量高度相關(guān)。這產(chǎn)生波矢量的峰，所述波矢量接近人們在波矢量相關(guān)磁化率中發(fā)現(xiàn)的峰的那些波矢量。由此，誘導(dǎo)磁性準(zhǔn)粒子相互作用將較強并在空間上變化，使所觀察到的光譜峰位移。因此，該材料已確定為反鐵磁性，并且其行為在本質(zhì)上為磁性準(zhǔn)粒子。該材料的高電阻(>1兆歐姆)證實了這種觀察。
[0070]除了在此描述的優(yōu)點以外，如上所述的材料也是有利的，因為它功耗低，如在7.0VDC和10mA下對于4cm2的材料為70mW，產(chǎn)生大于50流明?60流明。因此，所述組合物可用于更有效地并以更少的能量產(chǎn)生光。還可通過使碳納米管對齊來改善亮度。所述材料還更好的是不需要高電場和真空來獲得電致發(fā)光。因此，所述產(chǎn)品可以用于許多應(yīng)用，例如但不限于普通照明、顯示器、背光等。其他優(yōu)點包括:可以將納米管涂在任何透明導(dǎo)電基板(如IT0/FT0)上，或可將其涂覆在塑料基板上以制得柔性照明面板。制造電致發(fā)光組合物的工藝成本低并且制造工藝簡單。
[0071]根據(jù)前述內(nèi)容可以理解，在此描述本公開的各實施方式是出于說明的目的，并且可以進行各種修改而不脫離本公開的范圍和精神。因此，本文公開的各種實施方式并不意圖是限制性的。
[0072]本公開不限于描述的具體的系統(tǒng)、設(shè)備和方法，因為這些均可有變化。說明中使用的術(shù)語僅用于描述具體形式或?qū)嵤┓绞?，而并非意在限制其范圍?br>[0073]在上述的詳細描述中，參照了構(gòu)成其一部分的附圖。附圖中，除非另有上下文指出，否則相似的附圖標(biāo)記通常指示的是相似的組成部分?！揪唧w實施方式】、附圖和權(quán)利要求中所描述的說明性實施方式并不意在起限制作用?？梢圆捎闷渌麑嵤┓绞?，并可進行其他改變，而不偏離本文所提出的主題的精神或范圍。容易理解的是，可以以各種各樣的不同配置，對如本文所一般性描述的及如附圖所說明的本公開內(nèi)容的方面進行安排、替代、組合、分離和設(shè)計，所有這些在此都得到明確設(shè)想。
[0074]本公開不限于在本申請中描述的旨在示出各種方面的特定實施方式。對于本領(lǐng)域中技術(shù)人員來說應(yīng)當(dāng)明顯的是，能夠在不偏離其精神和范圍的情況下進行許多修改和變形。除了這里所列舉的以外，在本公開的范圍內(nèi)的功能等同的方法和設(shè)備對于本領(lǐng)域中技術(shù)人員來說根據(jù)之前的描述應(yīng)當(dāng)是明顯的。這樣的修改和變形旨在落在隨附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。本公開僅由隨附權(quán)利要求書的條款以及這些權(quán)利要求書的權(quán)利等同物的完整范圍所限定。應(yīng)當(dāng)理解，本公開不限于顯然能夠變化的特定的方法、試劑、化合物組分或者生物學(xué)體系。還應(yīng)當(dāng)理解，這里使用的術(shù)語僅用于描述特定實施方式的目的，并不旨在進行限制。
[0075]本文中使用的單數(shù)形式“a”、“an”和“the”包括復(fù)數(shù)情況，除非另有上下文明確指出。如果沒有另外限定，本文所用的所有科技術(shù)語具有與本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所理解的含義相同的含義。在本公開中沒有任何內(nèi)容解釋為承認本公開中描述的實施方式?jīng)]有資格借助現(xiàn)有發(fā)明早于本公開。本文中使用的術(shù)語“包括”是指“包括，但不限于”。
[0076]雖然通過“包括”各種組分或步驟(解釋為“包括，但不限于”的含義)描述了各種組合物、方法和設(shè)備，所述組合物、方法和設(shè)備可還“基本上由”或“由”所述各種組分和步驟組成，并且這類術(shù)語應(yīng)解釋為限定基本上封閉的成員組。
[0077]關(guān)于這里基本上任何復(fù)數(shù)和/或單數(shù)術(shù)語的使用，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠以對于環(huán)境和/或應(yīng)用適當(dāng)?shù)姆绞綇膹?fù)數(shù)解釋成單數(shù)和/或從單數(shù)解釋成復(fù)數(shù)。為清楚起見，各種單數(shù)/復(fù)數(shù)排列可以在這里專門闡述。
[0078]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，一般地，這里使用的術(shù)語并且特別是在隨附權(quán)利要求書中的術(shù)語(例如，隨附權(quán)利要求書的正文)一般旨在為“開放式”術(shù)語(例如，術(shù)語“包括”應(yīng)該解釋為“包括但不限于”，術(shù)語“具有”應(yīng)該解釋為“至少具有”，術(shù)語“包含”應(yīng)該解釋為“包含但不限于”等)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將進一步理解，如果意圖是特定數(shù)量的引入的權(quán)利要求敘述，則這樣的意圖將在權(quán)利要求中進行明確地陳述，在沒有這樣的敘述的情況下，則沒有這樣的意圖。例如，為幫助理解，以下所附的權(quán)利要求可能包含對引入性短語“至少一個”和“一個或多個”的使用，以引入權(quán)利要求敘述。然而，這種短語的使用不應(yīng)解釋為暗指:由不定冠詞“a或an”引入的權(quán)利要求敘述會使包含這種所引入的權(quán)利要求敘述的任何特定權(quán)利要求限于包含僅一個這種敘述的實施方式，即使當(dāng)同一權(quán)利要求包括引入性短語“一個或多個”或“至少一個”和如“a或an”等不定冠詞時亦如此(例如“a和/或an”應(yīng)解釋為“至少一個”或“一個或多個”的意思);這同樣適用于對引入權(quán)利要求敘述的不定冠詞的使用。另外，即使在所介紹的權(quán)利要求敘述中明確地陳述了確定的數(shù)量，本領(lǐng)域技術(shù)人員也將認識到這種敘述應(yīng)解釋為至少為所陳述的數(shù)量的意思(例如，沒有其他修飾語的“兩個敘述”這種單純的敘述是至少兩個敘述或者兩個以上