[0031]在若干實施例中，所述方法包含在所述第一通道中提供處于或緊接于與帶正電離子被引入處的端相對的端的柵電極。在一些實施例中，所述柵電極在斷開與閉合位置之間可切換，其中當(dāng)位于斷開位置中時，離子或離子反應(yīng)的產(chǎn)物被允許通過，且當(dāng)位于閉合位置中時，離子或離子反應(yīng)的產(chǎn)物不被允許通過。此類方法還可包含控制當(dāng)柵極為斷開及當(dāng)柵極為閉合時的時間量。在一些實施例中，所述柵極經(jīng)配置使得其為連續(xù)斷開的。
[0032]在一些實施例中，所述方法包含其中經(jīng)由細絲(其優(yōu)選地為鎢絲或敷釷鎢絲)引入電子或用y203陰極引入電子。
[0033]在一些實施例中，所述設(shè)備可包含控制器，所述控制器經(jīng)配置以將電壓傳送到所述電極，使得所述第一多個電極中的每一電極與所述第二多個電極中的電極成對以形成電極對，其中每一電極對中的每一電極具有相反極性且跨越所述電極對中的另一電極的相交線直接相對，且借此由所述第一及第二多個電極在所述相交點與所述第二通道的所述第一軸端之間產(chǎn)生的所述RF場與在所述相交點與所述第二通道的所述第二軸端之間產(chǎn)生的所述RF場成反相。
[0034]在一些實施例中，隨著電子接近所述相交點，其經(jīng)歷散焦效應(yīng)，且一旦所述電子通過所述相交點，其就經(jīng)歷聚焦效應(yīng)。
[0035]在各種實施例中，所述設(shè)備還包括處于或被安置成緊接于所述第二通道的所述第一及第二軸端兩者的柵電極。
[0036]在各種實施例中，所述第二通道包括被安置成處于或緊接于所述第一或第二軸端以用于使所述帶電物質(zhì)聚焦的透鏡。
[0037]在各種實施例中，所述第二通道含有安置于其中的被安置成處于或緊接于與用于引入所述帶電物質(zhì)的所述端相對的所述軸端的激光源，所述激光源用于將能量提供到所述離子或所述帶電物質(zhì)。
[0038]在各種實施例中，所述激光源提供紫外或紅外光。
[0039]在各種實施例中，所述第二通道的所述軸端中的兩者都包括帶電物質(zhì)源，其中一次僅所述帶電物質(zhì)中的一者為操作的。
[0040]在各種實施例中，所述離子與所述帶電物質(zhì)相互作用。
[0041]在各種實施例中，所述相互作用致使電子捕獲解離、電子轉(zhuǎn)移解離或質(zhì)子轉(zhuǎn)移解離。
[0042]在各種實施例中，揭示一種用于執(zhí)行離子反應(yīng)的方法，所述方法包含:提供第一通道，所述第一通道包括第一軸端及沿第一中心軸在距所述第一通道軸端的一定距離處安置的第二軸端；提供第二通道，所述第二通道包括第一軸端及沿第二中心軸在距所述第二通道軸端的一定距離處安置的第二軸端；所述第一及第二中心軸彼此實質(zhì)上正交且具有相交點；提供布置于圍繞所述第一中心軸的多極中且安置于所述第一軸端與所述相交點之間的第一多個電極，所述電極用于沿所述第一中心軸的第一部分引導(dǎo)離子；提供布置于圍繞所述第一中心軸的多極中且安置于所述第二軸端與所述相交點之間的第二多個電極，所述電極用于沿所述第一中心軸的第二部分引導(dǎo)離子；所述第一多個電極與所述第二多個電極分離以便形成橫向于所述第一中心軸的間隙；提供平行于所述第二中心軸的磁場電壓提供到所述第一及第二多個電極；提供控制器以用于控制所述RF電壓以便控制由所述第一及第二多個電極產(chǎn)生的所述RF場；沿所述第一中心軸將多個離子引入到所述第一通道的所述第一或第二軸端中；及沿所述第二中心軸將帶電物質(zhì)引入到所述第二通道的所述第一或第二軸端中，所述帶電物質(zhì)穿過所述間隙朝向所述相交點行進。
[0043]在各種實施例中，所述方法進一步包括:在所述第一通道中或緊接于所述第一通道提供在與其中所述離子被引入的所述軸端相對的軸端處的柵極，所述柵極在斷開與閉合位置之間可切換，其中當(dāng)位于斷開位置中時，所述離子或所述離子反應(yīng)的產(chǎn)物被允許通過，且當(dāng)位于閉合位置中時，所述離子或所述離子反應(yīng)的產(chǎn)物不被允許通過。在各種實施例中，所述柵極為連續(xù)斷開的。
[0044]在各種實施例中，所述方法進一步包括:控制當(dāng)所述柵極為斷開時及當(dāng)所述柵極為閉合時的時間長度。在各種實施例中，所述斷開與閉合位置之間的時間長度之間的比率為8毫秒:2毫秒。在其它實施例中，所述斷開與閉合位置之間的時間長度之間的比率為3毫秒:7毫秒。
[0045]在各種實施例中，所述離子可帶正電，所述帶電物質(zhì)可為電子。
[0046]在各種實施例中，所述多極中的一者或一者以上為四極。
[0047]在各種實施例中，所述方法進一步包括提供被安置成處于或緊接于所述第二通道的所述第一或第二軸端以用于使所述帶電物質(zhì)聚焦的透鏡。
[0048]在各種實施例中，所述方法進一步包括提供處于或緊接于與其中所述帶電物質(zhì)被注射的所述軸端相對的軸端以用于將能量提供到所述離子或帶電物質(zhì)的激光源。在各種實施例中，所述激光源為紫外線或紅外線。
[0049]在各種實施例中，所述離子與所述帶電物質(zhì)相互作用且可致使電子捕獲解離、電子轉(zhuǎn)移解離或質(zhì)子轉(zhuǎn)移解離。
[0050]在各種實施例中，所述帶電物質(zhì)為陰離子。
[0051]在各種實施例中，所述離子為陰離子。
[0052]在各種實施例中，揭示一種還可用以使用(舉例來說)可提供互補解離技術(shù)(例如UV光解離及紅外多光子解離(IRMPD))的激光束注射光子的裝置。
[0053]在各種實施例中，當(dāng)在連續(xù)模式中操作時，當(dāng)從ECD裝置排出產(chǎn)物離子時可關(guān)閉所述電子束。
[0054]在各種實施例中，所述設(shè)備可在半連續(xù)或準連續(xù)模式中操作。
[0055]在各種實施例中，施加到所述多極的所述RF頻率在400kHz到1.2MHz的范圍中，優(yōu)選地，所述頻率為800kHz。
[0056]在各種實施例中，揭示一種用于離子的反應(yīng)設(shè)備，所述反應(yīng)設(shè)備包括:第一通道，其包括第一軸端及沿第一中心軸在距所述第一通道軸端的一定距離處安置的第二軸端；第二通道，其包括第一軸端及沿第二中心軸在距所述第二通道的所述第一軸端的一定距離處安置的第二軸端；所述第一及第二中心軸彼此實質(zhì)上正交且具有相交點；第一組四極電極，其布置于圍繞所述第一中心軸的四極定向中且安置于所述第一通道的所述第一軸端與所述相交點之間，所述第一組電極用于沿所述第一中心軸的第一部分引導(dǎo)離子；第二組四極電極，其布置于圍繞所述第一中心軸的四極定向中且安置于所述第一通道的所述第二軸端與所述相交點之間，所述第二組電極用于沿所述第一中心軸的第二部分引導(dǎo)離子；所述第一組電極與所述第二組電極分離以便形成橫向于所述第一中心軸的間隙；磁場產(chǎn)生器，其產(chǎn)生平行于且沿所述第二中心軸的磁場；電壓源，其用于將RF電壓提供到所述第一及第二組電極以產(chǎn)生RF場；控制器，其用于控制所述RF電壓；離子源，其被安置成處于或緊接于所述第一通道的所述第一或第二軸端以用于沿所述第一中心軸朝向所述第一通道的所述第一或第二軸端中的另一者引入離子；及帶電物質(zhì)源，其被安置成處于或緊接于所述第二通道的所述第一或第二軸端以用于沿所述第二中心軸引入帶電物質(zhì)，所述帶電物質(zhì)穿過所述間隙朝向所述相交點行進。
【附圖說明】
[0057]圖1描繪本發(fā)明的實施例的實施方案的示意圖。
[0058]圖2描繪根據(jù)本發(fā)明的實施例的橫截面視圖。
[0059]圖3A描繪沿線1-Ι的圖2的橫截面視圖。
[0060]圖3B描繪沿線I1-1I的圖2的橫截面視圖。
[0061]圖4描繪根據(jù)本發(fā)明的實施例的電子注射的實例的簡化側(cè)視圖。
[0062]圖5描繪根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的電子束的聚焦及散焦效應(yīng)的簡化側(cè)視圖。
[0063]圖6描繪根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的離子到設(shè)備中的注射及俘獲。
[0064]圖7描繪根據(jù)本發(fā)明的實施例的離子或離子反應(yīng)的反應(yīng)產(chǎn)物從設(shè)備的排出。
[0065]圖8描繪本發(fā)明的實施例的連續(xù)模式操作，其中離子及電子被連續(xù)地注射，且作為離子-電子相互作用的結(jié)果的產(chǎn)物離子流被連續(xù)地排出。
[0066]圖9描繪說明磁場的定向的本發(fā)明的實施例的橫截面視圖。
[0067]圖10描繪本發(fā)明的實施例的橫截面視圖。
[0068]圖11描繪本發(fā)明的實施例的另一橫截面視圖。
[0069]圖12描繪展示磁體的一個可能位置的圖11所展示的實施例的后視圖。
[0070]圖13描繪在本發(fā)明的實施例中的展示一系列磁體的位置的本發(fā)明的實施例的橫截面視圖。
[0071]圖14描繪本發(fā)明的另一實施例的橫截面視圖。
[0072]圖15描繪根據(jù)本發(fā)明的實施例的可用以產(chǎn)生RF場的電路的示意圖。
[0073]圖16描繪根據(jù)本發(fā)明的實施例的在設(shè)備的連續(xù)模式操作中獲得的雙重質(zhì)子化物質(zhì)P的質(zhì)譜。
[0074]圖17A及B描繪根據(jù)本發(fā)明的實施例的在設(shè)備的半連續(xù)或準連續(xù)操作模式中獲得的三重質(zhì)子化神經(jīng)降壓素的質(zhì)譜。
[0075]圖18描繪展示間隙的本發(fā)明的實施例的視圖。
[0076]圖19描繪本發(fā)明的實施例的四個電極的視圖。
【具體實施方式】
[0077]參看圖1，描繪本發(fā)明的實施例的一般示意圖。離子反應(yīng)單元1具有作為輸入的一系列反應(yīng)物，所述一系列反應(yīng)物為離子2及帶電物質(zhì)3。任選地，添加呈光子或光4的形式的能量。光4可從激光源獲得且優(yōu)選地為紫外或紅外光譜中的光。離子2可為帶正電(陽離子)或帶負電(陰離子)的任何離子。帶電物質(zhì)3可為帶正電或帶負電的電子或離子。當(dāng)所述帶電物質(zhì)為電子時，所述電子源可為細絲(例如鎢絲或敷釷鎢絲)或其它電子源(例如Y203陰極)。在反應(yīng)裝置中填充冷卻氣體，例如氦氣(He)及氮氣(N2)。所述冷卻氣體的典型壓力可在10 2托到10 4托之間。
[0078]通常使用細絲電子源，這是因為其為廉價的，但其在氧氣殘留氣體上并非穩(wěn)健的。另一方面，Y203陰極為昂貴的電子源，但其在氧氣上更穩(wěn)健，因此，對于使用自由基氧反應(yīng)的從頭測序是有用的。在操作中，通常施加1到3Α的電流以加熱電子源，此產(chǎn)生1到10W的熱功率。電子源的散熱系統(tǒng)可經(jīng)安裝以保持所利用的磁體(如果存在)的溫度小于其居里(Curie)溫度，在居里溫度下，永久磁體的磁化消失。也可利用使磁體冷卻的其它已知方法。
[0079]在離子反應(yīng)單元1內(nèi)部，離子2及帶電物質(zhì)3與任選添加的光子4 一起都相互作用。取決于所利用的反應(yīng)物的性質(zhì)，所述相互作用可造成發(fā)生若干現(xiàn)象，此引起形成產(chǎn)物離子5，產(chǎn)物離子5與潛在其它未反應(yīng)離子2及/或可能的帶電物質(zhì)3 (按情況決定)一起可接著從離子反應(yīng)單元1被提取或排出。
[0080]當(dāng)離子2為陽離子且?guī)щ娢镔|(zhì)3為電子時，所述陽離子可捕獲所述電子且經(jīng)受電子捕獲解離，其中離子2與帶電物質(zhì)3之間的相互作用引起形成產(chǎn)物離子5，產(chǎn)物離子5為原始離子2的碎片。當(dāng)離子2為陽離子且?guī)щ娢镔|(zhì)3為陰離子時，離子2與帶電物質(zhì)3之間的相互作用可為電子轉(zhuǎn)移解離，其中電子從帶電物質(zhì)3轉(zhuǎn)移到離子2，此造成離子2破碎。從離子反應(yīng)單元排出的物質(zhì)流可由離子2或產(chǎn)物離子5或(在一些情況下)帶電