通道及電子通道兩者的入口及出口處的柵極為連續(xù)斷開(kāi)的。在離子與電子相互作用后，一些離子就經(jīng)受ECD及破碎。接著連續(xù)地從反應(yīng)設(shè)備提取包含被破碎部分的產(chǎn)物離子以及未被碎片部分以使用離子檢測(cè)器進(jìn)行隨后處理及分析。圖16描繪從針對(duì)神經(jīng)肽物質(zhì)P的此類操作模式獲得的質(zhì)譜，其中在約67?a處的峰值表示原始雙重帶電未破碎的離子。
[0105]半連續(xù)模式
[0106]神經(jīng)降壓素
[0107]在半連續(xù)模式中，將設(shè)備配置成使得離子通道的入口柵極為連續(xù)斷開(kāi)的，而離子通道的出口柵極在斷開(kāi)位置與閉合位置之間切換。電子通道的入口柵極可為連續(xù)斷開(kāi)的。當(dāng)離子通道的出口柵極位于閉合位置中時(shí)，離子不能穿過(guò)出口柵極離開(kāi)且離子積累發(fā)生于設(shè)備內(nèi)。隨著離子積累，正交于傳入離子流而連續(xù)地進(jìn)入設(shè)備的電子與離子相互作用，一些離子經(jīng)受ECD以破碎。一旦已經(jīng)過(guò)充足的時(shí)間量，離子通道的出口柵極就接著被斷開(kāi)以允許移除已積累的產(chǎn)物離子及未反應(yīng)離子。可使用離子檢測(cè)器在隨后階段中接著進(jìn)一步處理及/或操作及/或分析這些離開(kāi)離子。圖17a及17b描繪從神經(jīng)降壓素獲得的質(zhì)譜且示范增加其中離子通道的出口柵極閉合的時(shí)間長(zhǎng)度增加設(shè)備內(nèi)經(jīng)積累的離子將經(jīng)受ECD的機(jī)會(huì)。圖17a描繪從根據(jù)本發(fā)明教示的設(shè)備接收的離子獲得的質(zhì)譜，其中離子通道的出口柵極在斷開(kāi)與閉合位置之間切換，其中柵極閉合2ms且接著斷開(kāi)8ms。在圖17b中，描繪質(zhì)譜，其中出口柵極閉合7ms且斷開(kāi)3ms。在圖17b中利用的設(shè)置中，允許比圖17a中利用的設(shè)置中長(zhǎng)的時(shí)間周期積累離子，且結(jié)果，可看到通過(guò)未反應(yīng)前體離子峰值(在約558Da處)對(duì)經(jīng)破碎產(chǎn)物離子的比率所證明的更多離子破碎。
[0108]當(dāng)在同時(shí)注射電子束及前體離子期間使產(chǎn)物出口透鏡閉合幾毫秒時(shí)，在一些情況中發(fā)現(xiàn)明顯增強(qiáng)的碎片信號(hào)，其中ECD效率>60%。此適合的半流通模式或偽流通模式還產(chǎn)生比常規(guī)俘獲模式(入口及出口透鏡閉合)多的碎片。
[0109]BSA
[0110]由胰蛋白酶及由賴氨酸C消解的BSA被注射到倒相C18UPLC-ESI上，其中1min后掃描移動(dòng)相的乙腈濃度從2%到40%。作為數(shù)據(jù)依賴采集條件，五個(gè)最強(qiáng)烈峰值經(jīng)選擇以用于每一調(diào)查MS掃描。因?yàn)楣庾V積累為0.2sec，所以每秒獲得五個(gè)E⑶光譜。此E⑶技術(shù)提供85% (賴氨酸C)及75% (胰蛋白酶)的序列覆蓋。對(duì)于更多細(xì)節(jié)，使用具有單一電荷狀態(tài)選擇的LC-E⑶MS檢查偽流通動(dòng)模式中的電子捕獲效率及解離效率。盡管[Μ+2ΗΓ前體的電子捕獲效率為[Μ+3ΗΓ及[M+4H] 4+前體(2+為?40%;3+及4+為80% )的電子捕獲效率的一半，注意到在不同電荷狀態(tài)([Μ+2Η]+、[Μ+3ΗΓ及[M+4H] 3+)上縮減的前體離子的殘留電荷的量之間無(wú)顯著差異。更重要的是，即使用于雙重質(zhì)子化的情況的ECD效率相當(dāng)?shù)停@得的ECD光譜仍在質(zhì)譜中提供清楚的ECD產(chǎn)物峰值。
[0111]批處理模式
[0112]在批處理模式，以允許離子以非連續(xù)模式進(jìn)入到設(shè)備中的樣式操作入口及出口柵極的方式利用設(shè)備。離子通道的入口柵極為斷開(kāi)且離子通道的出口柵極為閉合且離子穿過(guò)入口柵極發(fā)射到設(shè)備中。在此時(shí)間周期期間，電子通道的入口柵極為閉合。一旦在設(shè)備內(nèi)積累充足的離子，離子通道的入口柵極就為閉合且到電子通道的入口柵極為斷開(kāi)以允許電子進(jìn)入到設(shè)備中，在設(shè)備中電子可與所積累的離子相互作用且引起ECD以使離子成碎片。一旦用于反應(yīng)的充足的時(shí)間周期已過(guò)去，電子入口柵極就可為閉合或電子束關(guān)閉且離子通道的出口柵極為斷開(kāi)以允許提取經(jīng)破碎產(chǎn)物離子或未反應(yīng)前體離子，可使用離子檢測(cè)器接著進(jìn)一步處理及/或操縱及/或分析經(jīng)破碎產(chǎn)物離子或未反應(yīng)前體離子?？筛鶕?jù)原始前體離子的電荷狀態(tài)預(yù)先確定或可基于體驗(yàn)手動(dòng)地設(shè)置離子出口柵極閉合及離子與電子之間的相互作用的持續(xù)時(shí)間。
[0113]應(yīng)了解，在不脫離本發(fā)明教示的范圍的情況下可對(duì)所揭示的實(shí)施例作出數(shù)種改變。雖然前述圖及實(shí)例涉及特定元件，但希望僅為通過(guò)實(shí)例及說(shuō)明方式而并非限制方式。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，在不脫離由所附權(quán)利要求書(shū)包含的教示的范圍的情況下，可在形式及細(xì)節(jié)上對(duì)所揭示的實(shí)施例作出各種改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于離子的反應(yīng)設(shè)備，其包括: 第一通道，其包括第一軸端及沿第一中心軸在距所述第一通道軸端的一定距離處安置的第二軸端； 第二通道，其包括第一軸端及沿第二中心軸在距所述第二通道的所述第一軸端的一定距離處安置的第二軸端； 所述第一及第二中心軸彼此實(shí)質(zhì)上正交且具有相交點(diǎn)； 第一組四極電極，其布置于圍繞所述第一中心軸的四極定向中且安置于所述第一通道的所述第一軸端與所述相交點(diǎn)之間，所述第一組電極用于沿所述第一中心軸的第一部分引寸尚卞; 第二組四極電極，其布置于圍繞所述第一中心軸的四極定向中且安置于所述第一通道的所述第二軸端與所述相交點(diǎn)之間，所述第二組電極用于沿所述第一中心軸的第二部分引寸尚卞; 所述第一組電極與所述第二組電極分離以便形成橫向于所述第一中心軸的間隙； 電壓源，其用于將RF電壓提供到所述第一及第二組電極以產(chǎn)生RF場(chǎng)； 控制器，其用于控制所述RF電壓； 離子源，其被安置成處于或緊接于所述第一通道的所述第一或第二軸端以用于沿所述第一中心軸朝向所述第一通道的所述第一或第二軸端中的另一者引入離子；及 帶電物質(zhì)源，其被安置成處于或緊接于所述第二通道的所述第一或第二軸端以用于沿所述第二中心軸引入帶電物質(zhì)，所述帶電物質(zhì)穿過(guò)所述間隙朝向所述相交點(diǎn)行進(jìn)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述控制器經(jīng)配置以將電壓傳送到所述電極，使得所述第一多個(gè)電極中的每一電極與所述第二多個(gè)電極中的電極成對(duì)以形成電極對(duì)，其中每一電極對(duì)中的每一電極具有相反極性且跨越所述電極對(duì)中的另一電極的所述相交點(diǎn)直接相對(duì)，且其中由所述第一及第二多個(gè)電極在所述相交點(diǎn)與所述第二通道的所述第一軸端之間產(chǎn)生的所述RF場(chǎng)與在所述相交點(diǎn)與所述第二通道的所述第二軸端之間產(chǎn)生的所述RF場(chǎng)成反相。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括磁場(chǎng)產(chǎn)生器，所述磁場(chǎng)產(chǎn)生器產(chǎn)生平行于且沿所述第二中心軸的磁場(chǎng)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述離子帶正電且所述帶電物質(zhì)為電子。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述帶電物質(zhì)源為細(xì)絲或Y2O3陰極，且任選地其中所述細(xì)絲為鎢絲或敷釷鎢絲。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述帶電物質(zhì)為試劑陰離子。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一通道包括被安置成處于或緊接于所述離子被引入處的與所述第一或第二軸端相對(duì)的軸端的柵極。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一通道包括被安置成處于或緊接于所述第一及第二軸端兩者的柵極，其中所述柵極中的一者用于控制所述離子的所述引入且所述柵極中的另一者用于控制所述離子或所述離子的反應(yīng)產(chǎn)物的移除。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備還包括處于或緊接于所述第二通道的所述第一及第二軸端兩者的柵電極。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第二通道包括被安置成處于或緊接于所述第一或第二軸端以用于使所述帶電物質(zhì)聚焦的透鏡。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第二通道包括被安置成處于或緊接于與用于引入所述帶電物質(zhì)的所述端相對(duì)的所述軸端的激光源，所述激光源用于將能量提供到所述離子或所述帶電物質(zhì)。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述激光源提供紫外或紅外光。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第二通道的所述軸端中的兩者都包括帶電物質(zhì)源且所述帶電物質(zhì)為電子，且其中一次僅所述帶電物質(zhì)源中的一者為操作的。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述離子與所述帶電物質(zhì)相互作用，且任選地其中所述相互作用致使電子捕獲解離、電子轉(zhuǎn)移解離或質(zhì)子轉(zhuǎn)移解離。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所產(chǎn)生的所述RF場(chǎng)在介于約400kHz到1.2MHz之間的頻率下。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其中所述頻率為約800kHz。17.一種用于執(zhí)行電子捕獲解離反應(yīng)的方法，其包括: 提供第一通道，所述第一通道包括第一軸端及沿第一中心軸在距所述第一通道軸端的一定距離處安置的第二軸端； 提供第二通道，所述第二通道包括第一軸端及沿第二中心軸在距所述第二通道軸端的一定距離處安置的第二軸端； 定位所述第一及第二中心軸使得所述第一及第二中心軸彼此實(shí)質(zhì)上正交且具有相交占.V， 提供布置于圍繞所述第一中心軸的四極定向中且安置于所述第一通道的所述第一軸端與所述相交點(diǎn)之間的第一組四極電極，所述第一組電極用于沿所述第一中心軸的第一部分引導(dǎo)離子； 提供布置于圍繞所述第一中心軸的四極定向中且安置于所述第一通道的所述第二軸端與所述相交點(diǎn)之間的第二組四極電極，所述第二組電極用于沿所述第一中心軸的第二部分引導(dǎo)離子； 所述第一組電極與所述第二組電極分離以便形成橫向于所述第一中心軸的間隙； 提供平行于所述第二中心軸的磁場(chǎng)； 將RF電壓提供到所述第一及第二組電極； 提供控制器以用于控制所述RF電壓以便控制由所述第一及第二組電極產(chǎn)生的所述RF場(chǎng)； 沿所述第一中心軸將多個(gè)帶正電離子引入到所述第一通道的所述第一或第二軸端中；及 沿所述第二中心軸將電子引入到所述第二通道的所述第一或第二軸端中，所述電子穿過(guò)所述間隙朝向所述相交點(diǎn)行進(jìn)。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其進(jìn)一步包括: 在所述第一通道中提供處于或緊接于其中所述帶正電離子被引入的與所述軸端相對(duì)的軸端的柵極，所述柵極在斷開(kāi)與閉合位置之間可切換，其中當(dāng)位于斷開(kāi)位置中時(shí)，所述離子或所述離子反應(yīng)的產(chǎn)物被允許通過(guò)，且當(dāng)位于閉合位置中時(shí)，所述離子或所述離子反應(yīng)的產(chǎn)物不被允許通過(guò)。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述柵極為連續(xù)斷開(kāi)的。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其進(jìn)一步包括: 控制當(dāng)所述柵極為斷開(kāi)時(shí)及當(dāng)所述柵極為閉合時(shí)的時(shí)間長(zhǎng)度。21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中經(jīng)由細(xì)絲或Y2O3陰極引入所述電子，且任選地所述細(xì)絲為鎢絲或敷釷鎢絲。22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其進(jìn)一步包括提供被安置成處于或緊接于所述第二通道的所述第一或第二軸端以用于使所述帶正電物質(zhì)聚焦的透鏡。
【專利摘要】一種用于引導(dǎo)離子與帶電物質(zhì)反應(yīng)的方法及設(shè)備，更特定來(lái)說(shuō)，所述反應(yīng)是其中所述帶電物質(zhì)為電子的反應(yīng)，例如ECD。所述設(shè)備包括彼此正交的第一及第二通道。穿過(guò)其引入離子的所述第一通道包括具有位于其間的間隙的多個(gè)多極。所述第二通道正交于所述第一通道而穿過(guò)所述間隙引入所述帶電物質(zhì)。以此方式，十字型反應(yīng)裝置允許發(fā)生離子-帶電物質(zhì)相互作用。
【IPC分類】H01J49/02
【公開(kāi)號(hào)】CN105247651
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480030446
【發(fā)明人】馬場(chǎng)崇
【申請(qǐng)人】Dh科技發(fā)展私人貿(mào)易有限公司
【公開(kāi)日】2016年1月13日
【申請(qǐng)日】2014年5月29日
【公告號(hào)】CA2912998A1, EP3005399A1, US20160126076, WO2014191821A1