化硅，所述熱氧化層201的厚度為8納米至10納米。熱氧化層的生長工藝為熱氧化法，例如干氧熱氧化或濕氧熱氧化，作為一實施例，采用干氧熱氧化。
[0037]所述浮柵層202材料為多晶硅，所述浮柵層202的厚度為20納米至80納米，所述浮柵層202的生長工藝為化學氣相沉積。
[0038]所述硬掩膜層203材料為氮化硅，所述硬掩膜層203的厚度為100納米至500納米，所述硬掩膜層203生長工藝為化學氣相沉積。
[0039]請參考圖8，在所述硬掩膜層203表面形成光刻膠圖形(未示出)，以光刻膠圖形為掩膜，刻蝕所述硬掩膜層203，形成第一開口 204。
[0040]所述第一開口 204的尺寸為40納米至500納米。
[0041]需要說明的是，在本實施例中，采用各向異性等離子體刻蝕工藝刻蝕所述硬掩膜層203直至暴露出所述浮柵層202而并不刻蝕損傷所述浮柵層202，在本實施例中，在刻蝕終點時采用精確的刻蝕終點控制方法，從而能夠避免浮柵層202表面呈弧形。
[0042]請參考圖9，在所述硬掩膜層203表面、第一開口 204的側(cè)壁和底部(第一開口 204暴露出的所述浮柵層202表面)形成ONO層205。
[0043]所述ONO層205為氧化物-氮化硅-氧化物三明治結(jié)構(gòu)，厚度依次為氧化物層4納米至6納米，氮化娃層5納米至7納米，氧化物層為4納米至8納米。
[0044]請參考圖10，在所述ONO層205表面沉積復合層206。
[0045]所述復合層206包括第二多晶硅層和氧化硅層，復合層206厚度為100納米至500納米。
[0046]請參考圖11，采用刻蝕工藝對復合層206和0N0層進行刻蝕，直至暴露出所述硬掩膜層203表面，形成位于所述第一開口 204的兩側(cè)的側(cè)墻207且所述側(cè)墻207位于第一開口底部的0Ν0層表面。
[0047]所述刻蝕工藝為反應離子刻蝕工藝。
[0048]需要說明的是，在本實施例中，所述復合層206具有第二多晶硅層附加氧化硅層的結(jié)構(gòu)，在本刻蝕工藝中，上述附加結(jié)構(gòu)能夠保護第二多晶硅層側(cè)壁，形成側(cè)墻207側(cè)面垂直的側(cè)壁形貌，所述復合層206在刻蝕工藝中，有部分的氧化層附著在第二多晶硅側(cè)壁的側(cè)面，因為氧化硅層對多晶硅層的刻蝕選擇比很高，所述氧化硅層在刻蝕中起到很好的保護，刻蝕后形成的側(cè)面垂直且比較高的多晶硅側(cè)壁。而不會形成側(cè)壁呈弧形的側(cè)壁。
[0049]進一步地，由于有部分的氧化層附著在第二多晶硅側(cè)壁的側(cè)面，在后續(xù)的浮柵和熱氧化層刻蝕工藝中，所述側(cè)墻207的高度也不會減小，從而避免影響后續(xù)與源線的連接。
[0050]所述側(cè)墻207的高度低于第一開口 204的頂部，即所述側(cè)墻207的頂部表面低于所述硬掩膜層203頂部表面。
[0051]請參考圖12，進一步刻蝕第一開口 204底部的浮柵層202和熱氧化層201，暴露出襯底200。
[0052]刻蝕工藝為反應離子刻蝕，在本實施例中，由于有部分的氧化層附著在第二多晶硅側(cè)壁的側(cè)面，在后續(xù)的浮柵和熱氧化層刻蝕工藝中，所述側(cè)墻207的高度也不會減小，從而避免影響后續(xù)與源線的連接。
[0053]請參考圖13，在所述硬掩膜層203表面、所述側(cè)墻207的表面以及暴露出的襯底200形成氧化層，采用自對準刻蝕對所述氧化層進行刻蝕，形成位于側(cè)墻207頂部表面的第一側(cè)墻210和位于所述側(cè)墻207、浮柵層和熱氧化層側(cè)面的第二側(cè)墻211。
[0054]請參考圖14，對第一開口 204填充多晶硅層，并對所述多晶硅層平坦化，直至暴露出所述硬掩膜層203表面，形成控制柵與源線一體的結(jié)構(gòu)212。
[0055]請參考圖15，去除所述硬掩膜層203，作為一實施例，所述去除工藝為熱磷酸去除。
[0056]請參考圖16，去除所述硬掩膜層203下方的浮柵層和熱氧化層，并沉積隧穿氧化層213與字線214。
[0057]所述隧穿氧化層213厚度為10納米至20納米。
[0058]所述字線214材料為多晶硅層，厚度為60納米至300納米。
[0059]此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關系或者順序關系等。
[0060]可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領域的技術人員而言，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術內(nèi)容對本發(fā)明技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案保護的范圍內(nèi)。
[0061]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應當以權利要求所限定的范圍為準。
【主權項】
1.一種自對準分離柵閃存的形成方法，其特征在于，包括: 提供襯底； 在所述襯底表面依次形成熱氧化層、浮柵層和硬掩膜層，所述硬掩膜層具有暴露出熱氧化層的開口； 在硬掩膜層表面和開口內(nèi)形成ΟΝΟ層； 在所述0Ν0層表面形成復合層； 采用刻蝕工藝對復合層和0Ν0層進行刻蝕，直至暴露出所述硬掩膜層表面和浮柵層表面，形成位于所述第一開口的兩側(cè)的側(cè)墻且所述側(cè)墻位于第一開口底部的0Ν0層表面；以所述側(cè)墻為掩膜刻蝕浮柵層和熱氧化層，直至暴露出襯底； 形成位于側(cè)墻頂部表面的第一側(cè)墻和位于所述側(cè)墻、浮柵層和熱氧化層側(cè)面的第二側(cè)m ; 對第一開口填充多晶硅層，并對所述多晶硅層平坦化，直至暴露出所述硬掩膜層表面，形成控制柵與源線一體的結(jié)構(gòu)。2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，復合層包括第二多晶硅層和氧化硅層。3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，復合層厚度為30納米至500納米。4.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，第二多晶硅層的厚度為20納米至400納米。5.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，氧化硅層的厚度為10納米至100納米。6.如權利要求2至5任一項所述的形成方法，其特征在于，通過對第二多晶硅層和氧化層同時刻蝕，形成側(cè)面垂直的側(cè)墻。7.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，對復合層和0N0層進行刻蝕的工藝為反應離子刻蝕。8.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述浮柵層厚度為20納米至80納米。9.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述熱氧化層厚度為8納米至10納米。
【專利摘要】一種自對準分離柵閃存的形成方法，包括：在襯底表面依次形成熱氧化層、浮柵層和硬掩膜層，所述硬掩膜層具有暴露出熱氧化層的開口；在硬掩膜層表面和開口內(nèi)形成ONO層；在所述ONO層表面形成復合層；采用刻蝕工藝對復合層和ONO層進行刻蝕，直至暴露出所述硬掩膜層表面和浮柵層表面，形成位于所述第一開口的兩側(cè)的側(cè)墻且所述側(cè)墻位于第一開口底部的ONO層表面；以所述側(cè)墻為掩膜刻蝕浮柵層和熱氧化層；形成位于側(cè)墻頂部表面的第一側(cè)墻和位于所述側(cè)墻、浮柵層和熱氧化層側(cè)面的第二側(cè)墻；對第一開口填充多晶硅層，并對所述多晶硅層平坦化，直至暴露出所述硬掩膜層表面，形成控制柵與源線一體的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的實施例無需額外增加端口。
【IPC分類】H01L21/8247, H01L21/28
【公開號】CN105261594
【申請?zhí)枴緾N201510557269
【發(fā)明人】董業(yè)民
【申請人】董業(yè)民
【公開日】2016年1月20日
【申請日】2015年9月2日