有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【技術領域】
[0001]本公開涉及一種有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，特別地，涉及一種頂部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
【背景技術】
[0002]近來，針對信息顯示器的興趣正在增加并且對于使用便攜式信息媒體的需要正在提高，對于更輕，更薄的平板顯示器(FPD)的研究和商業(yè)化正在積極地進行。
[0003]在平板顯示器領域，液晶顯示器(IXD)由于其重量輕并且耗費更少的電源正變得日益突出。
[0004]在顯示裝置中，有機發(fā)光顯示裝置是自發(fā)光的并且因此和IXD相比，其具有優(yōu)秀的視角和對比度。而且，因為有機發(fā)光顯示裝置不需要背光，有機發(fā)光顯示裝置可以更輕更薄，并且在電力消耗方面是有益的。另外，有機發(fā)光顯示裝置可以被低直流電壓所驅(qū)動，并且具有快速響應速度。
[0005]在下文中，有機發(fā)光顯示裝置的基本結(jié)構(gòu)和工作特性將參考附圖被詳細描述。
[0006]圖1的示圖所示的是一般的有機發(fā)光二極管的發(fā)光原理。
[0007]大體上，有機發(fā)光顯示裝置包括在圖1中所示的有機發(fā)光二極管(0LED)。
[0008]參照圖1，0LED包括陽極18，像素電極，陰極28，公共電極，形成在陽極18和陰極28之間的有機化合物層31，32，35，36和37。
[0009]這里，該有機化合物層31，32，35，36和37包括空穴注入層31，空穴傳輸層32，發(fā)射層35，電子傳輸層36以及電子注入層37。
[0010]在這樣配置的0LED中，當正(+)電壓和負㈠電壓被分別施加至陽極18和陰極28時，穿過空穴傳輸層30b的空穴以及穿過電子傳輸層30d的電子被傳送至發(fā)射層30c以形成激子，并且當激子從激發(fā)態(tài)向基態(tài)(即，穩(wěn)定態(tài))躍迀時，就可以發(fā)光。
[0011]在該有機發(fā)光顯示裝置中，均包括具有上述結(jié)構(gòu)的0LED的子像素被設置為矩陣形式并且被選擇性地被數(shù)據(jù)電壓和掃描電壓控制以顯示不同的顏色，從而共同地形成圖像。
[0012]這里，該有機發(fā)光顯示裝置可以被分類為無源矩陣型有機發(fā)光顯示裝置和使用薄膜晶體管(TFT)作為開關元件的有源矩陣型有機發(fā)光顯示裝置。在有源矩陣型有機發(fā)光顯示裝置中，TFT(有源元件)被選擇性地導通以選擇子像素并且由于存儲電容器中充入的電壓來保持子像素的發(fā)光。
[0013]而且，根據(jù)發(fā)光方向，具有上述子像素結(jié)構(gòu)的該有機發(fā)光顯示裝置可被實施為頂部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置，底部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置，或者雙發(fā)射型有機發(fā)光顯示
目.ο
[0014]在頂部發(fā)射型中，有機發(fā)光裝置在與設置有子像素的基板相反的方向上發(fā)光。頂部發(fā)射型有機發(fā)光裝置是有益的，因為其開口率大于底部發(fā)射型有機發(fā)光裝置，在該底部發(fā)射型有機發(fā)光裝置中在朝向其中設置有子像素的基板的方向上發(fā)光。
[0015]在頂部發(fā)射型有機發(fā)光裝置中，陽極被形成在有機化合物層之下，并且陰極被形成在其中透射光的有機化合物層上。
[0016]這里，陰極應該被形成為足夠薄以便被實施為具有低功函數(shù)的半透明膜。然而，這樣做會造成陰極具有高電阻。
[0017]因此，在頂部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置中，由于薄結(jié)構(gòu)陰極的高電阻率會導致發(fā)生電壓降(IR壓降)。因此，具有不同電平的電壓被施加至子像素，造成了亮度或者圖像質(zhì)量的不均勻性。特別地，由于顯示面板尺寸的增加，壓降問題可能被加重。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0018]因此，詳細說明的一方面是提供一種頂部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，其中陰極的電壓降被防止，同時簡化工藝。
[0019]詳細說明的另一個方面是提供一種有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，其中陰極的電壓降被防止，同時增強陰極和輔助電極之間的接觸的可靠性。
[0020]這里沒有描述的其他目的和特征將被在下文中的本公開的結(jié)構(gòu)和權利要求中被描述。
[0021]為了實現(xiàn)這些及其他優(yōu)點并且根據(jù)本說明書的目的，如這里實施和廣義描述的，一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括:設置在基板的多個子像素的每一個中的第一電極；與所述第一電極間隔并且具有通過具有不同蝕刻速度的至少兩個金屬層形成的空隙的輔助電極；以及通過所述空隙直接與所述輔助電極接觸的第二電極。
[0022]在所述輔助電極中，上層中金屬的蝕刻速度低于下層中金屬的蝕刻速度。
[0023]該上層包括ΙΤ0、Ag、Ag合金或者MoTi中的至少一種。
[0024]該下層包括Cu。
[0025]所述上層的至少一個端部相對于所述下層的至少一個端部突出以形成所述空隙。
[0026]所述第二電極與所述下層的所述端部接觸。
[0027]所述第二電極接觸所述上層的突出部的背面。
[0028]所述輔助電極可以進一步包括設置在所述下層之下的最下層中的金屬層。
[0029]所述最下層的至少一個端部相對于所述上層的至少一個端部突出以形成所述空隙。
[0030]所述第二電極接觸所述最下層的突出部的上表面。
[0031]所述最下層包括Mo或者MoTi。
[0032]所述上層的材料與所述第一電極的材料相同。
[0033]所述有機發(fā)光顯示裝置可以進一步包括:連接電極，所述連接電極位于所述第一電極之下并且具有與設置在所述最下層和所述下層中的金屬層的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。
[0034]為了實現(xiàn)這些及其他優(yōu)點并且根據(jù)本說明書的目的，如這里實施和廣義描述的，基板的多個子像素的每一個中的第一電極；與所述第一電極間隔并且包括至少兩層的輔助電極，其中在上層之下的至少一層的端部與所述上層的端部相比處于內(nèi)側(cè)；所述第一電極和所述上層上的有機層；以及所述有機層上與所述至少一層連接的第二電極。
[0035]所述輔助電極的所述至少兩層之中的上層的蝕刻速度比所述至少兩層之中的至少一個其他層的蝕刻速度慢。
[0036]所述輔助電極進一步包括所述至少一個其他層之下的最下層，其中所述最下層的端部與所述上層的端部相比位于外側(cè)。
[0037]所述至少一個其他層的蝕刻速度比所有其他層的蝕刻速度快。
[0038]為了實現(xiàn)這些及其他優(yōu)點并且根據(jù)本說明書的目的，如這里實施和廣義描述的，一種用于制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括:在基板上形成驅(qū)動薄膜晶體管(TFT);在所述基板上形成包括至少兩個不同金屬層的輔助電極圖案；在上面形成有所述輔助電極圖案的所述基板上圖案化第一電極，其中當執(zhí)行圖案化時，所述輔助電極圖案被蝕刻，以形成包括所述至少兩個不同金屬層的輔助電極；在所述第一電極和所述輔助電極上形成有機層；并且在所述有機層上形成第二電極，其中當執(zhí)行圖案化時，設置在最下層中的另一個金屬層上的至少一個金屬層被更多地蝕刻，其中所述至少一個金屬層的端部相對于設置在所述最下層中的其他金屬層的端部被設置在內(nèi)側(cè)以形成空隙，其中所述第二電極和所述輔助電極通過該空隙互相直接接觸。
[0039]所述第二電極被形成為與所述另一個金屬層的上表面和所述至少一個金屬層的側(cè)表面直接接觸。
[0040]根據(jù)本公開實施方式的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，具有包括蝕刻速度不同的不同種類的金屬的多層結(jié)構(gòu)的輔助電極被形成，并且當形成陽極時，空隙被形成在輔助電極內(nèi)以使輔助電極與陰極直接接觸。因此，陰極的電阻可被減少，同時工藝被簡化。
[0041]根據(jù)本公開實施方式的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，缺陷可被減少以增強生產(chǎn)力，并且有機發(fā)光顯示裝置的亮度均勻度和可靠性可增強。
[0042]從以下的詳細說明中，本公開進一步的適用范圍將變得更加明顯。然而，應當理解的是詳細說明和【具體實施方式】，盡管表示了本公開的優(yōu)選實施方式，也僅僅是以說明的方式給出，因為對于本領域技術人員而言，根據(jù)該詳細說明而在本公開的范圍內(nèi)作出不同的改變和改進是顯而易見的。
【附圖說明】
[0043]用于提供對本公開進一步的了解而包括并且被并入而且作為說明書的組成部分的附圖示出了本公開的實施方式，并且與說明書一起用來解釋本公開的原理。
[0044]在附圖中:
[0045]圖1的示圖所示的是一般的有機發(fā)光二極管(0ELD)的發(fā)光原理。
[0046]圖2是例示有機發(fā)光顯示裝置的子像素的結(jié)構(gòu)示圖。
[0047]圖3是例示根據(jù)本公開第一實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的一部分結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖。
[0048]圖4是例示根據(jù)本公開第一實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的像素單元的一部分的示意性平面圖。
[0049]圖5是例示根據(jù)本公開第二實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的一部分結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖。
[0050]圖6A至6E是順序地說明圖5中所示根據(jù)本公開第二實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖面圖。
[0051]圖7A至7C是具體說明圖6C中所示的掩模工藝的剖面圖。
[0052]圖8是例示根據(jù)本公開第三實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的一部分結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖。
[0053]圖9A至9E是順序地說明圖8中所示根據(jù)本公開第三實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖面圖。
[0054]圖10A至10C是具體說明圖9C中所示的掩模工藝的剖面圖。
【具體實施方式】
[0055]在下文中，根據(jù)實施方式的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法將參考附圖被詳細描述，因此它們可以容易地被與本公開相關的本領域技術人員所實施。
[0056]本公開的優(yōu)點和特征以及用于實現(xiàn)的方法將參照附圖一起將通過下文中所描述的實施方式而被更詳細地理解。然而，本公開的實施方式可以以許多不同的形式被實施并且不應該被看作是被限制在這里描述的實施方式中。相反，這些實施方式被提供以使本公開可以被徹底，完全并且充分地向本領域技術人員表達本公開的范圍并且被本公開的權利要求的覆蓋所限定。在整個說明書中，相同的附圖標記將被用于表示相同的或者類似的元件。在附圖中，元件的尺寸或者形狀可能被放大以便用于說明書清楚并且方便的說明。
[0057]應當理解的是，當元件或者層被稱為是在另一個元件或者層"上"或者"連接至IJ"另一個元件或者層時，其可以是直接位于其上或者直接與另一元件或者層連接，或者也可能存在中間元件或者層。
[0058]相對術語，例如"下部"或者"底部"，以及"上部"或者"頂部"，在這里被使用以描述圖中所示的一個或多個元件相對于另一個元件的相互關系。應當理解的是，相對術語是用來包括除了圖中描繪方向之外的裝置的不同方向。例如，如果圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，描述為在其他元件"下部"的元件將會位于其他元件的"上部"。示意性術語"下部"因此可以包括"下部"和"上部"兩個方向，取決于附圖的具體方向。相似地，如果圖中裝置被翻轉(zhuǎn)，描述為其他元件"之下"或者"以下"的元件將會位于其他元件"上"。術語"之下"或者"以下"因此可以包括上和之下兩個方向。
[0059]這里使用的術語是僅僅用于描述【具體實施方式】的目的而不是用來限制示例實施方式。這里所使用，單數(shù)形式的“一”，“一個”以及"該"包括其復數(shù)，除非上下文有清楚地其他表示。應該被進一步理解的是，本說明書中使用的術語“包括”和/或“包含”，說明了指出的特征，整體，步驟，操作，元件和/或組件的存在，而不排除一個或多個其他特