板210上。
[0163]半導(dǎo)體薄膜可以由非晶硅，多晶硅，氧化物半導(dǎo)體或者有機半導(dǎo)體形成。
[0164]這里，在基板210上沉積非晶硅之后，多晶硅可以利用不同的結(jié)晶方法形成。在使用氧化物半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體薄膜的情況下，在該氧化物半導(dǎo)體被沉積之后，可以執(zhí)行預(yù)定的熱處理過程。
[0165]第一導(dǎo)電膜可以由低電阻不透明的導(dǎo)電材料形成，例如鋁(A1)，銅(Cu)，鉬(Mo)，鉻(Cr)，金(Au)，鈦(Ti)，鎳(Ni)，釹(Nd)或者其合金。這里，第一導(dǎo)電膜可以具有包括具有不同物理性質(zhì)的兩個導(dǎo)電膜的多層結(jié)構(gòu)。而且，導(dǎo)電膜的一個可以是低電阻金屬以減少信號延遲或者壓降。例如，導(dǎo)電膜的一個可以由鋁基金屬，銀基金屬，或者銅基金屬形成。
[0166]隨后，半導(dǎo)體薄膜，絕緣膜以及第一導(dǎo)電膜通過光刻工藝被選擇性地除去以形成由半導(dǎo)體薄膜形成的半導(dǎo)體層224。
[0167]這里，由絕緣膜形成的柵絕緣膜215a被形成在半導(dǎo)體層224上。
[0168]包括由第一導(dǎo)電膜形成的柵極221的選通線和第一存儲電極形成在柵絕緣膜215a 上。
[0169]隨后，由氮化硅膜或者二氧化硅膜形成的層間絕緣膜215b形成在基板210的整個表面上，基板210其上形成有包括柵極221的選通線和第一存儲電極。
[0170]層間絕緣膜215b通過光刻工藝被選擇性地圖案化以形成暴露半導(dǎo)體層224的源極和漏極區(qū)的半導(dǎo)體層接觸孔。
[0171]隨后，第二導(dǎo)電膜形成在基板210的整個表面上，基板上形成有層間絕緣膜215。隨后，第二導(dǎo)電膜通過光刻被選擇性地除去以形成數(shù)據(jù)布線(也就是，源極和漏極222和223)、驅(qū)動電壓線、數(shù)據(jù)線，并且第二存儲電極由第二導(dǎo)電膜形成。
[0172]這里，為了形成數(shù)據(jù)布線，第二導(dǎo)電膜可以為鋁(A1)，銅(Cu)，鉬(Mo)，鉻(Cr)，金(Au)，鈦(Ti)，鎳(Ni)，釹(Nd)或者其合金。這里，第二導(dǎo)電膜可以具有包括具有不同物理性質(zhì)的兩個導(dǎo)電膜的多層結(jié)構(gòu)。而且，導(dǎo)電膜的一個可以由例如鋁基金屬，銀基金屬，或者銅基金屬的低電阻金屬形成以減少信號延遲或者壓降。
[0173]這里，源極和漏極222和223通過半導(dǎo)體層接觸孔電連接至半導(dǎo)體層224的源極和漏極區(qū)。而且，第二存儲電極與其下的第一存儲電極的一部分重疊，并且層間絕緣膜215b插入在其間以形成存儲電容器。
[0174]隨后，由氮化硅膜或者二氧化硅膜形成的平坦化膜215c形成在基板210上，在基板上已經(jīng)形成有源極和漏極222和223，驅(qū)動電壓線，數(shù)據(jù)線以及第二存儲電極。
[0175]然后，平坦化膜215c通過光刻工藝被選擇性地圖案化以形成暴露漏極223的漏接觸孔H。
[0176]隨后，如圖6B所示，第三導(dǎo)電膜和第四導(dǎo)電膜形成在其上已經(jīng)形成有平坦化膜215c的基板210的整個表面上。隨后，第三導(dǎo)電膜和第四導(dǎo)電膜通過光刻工藝被選擇性地除去以形成由第三導(dǎo)電膜和第四導(dǎo)電膜形成的連接電極208和輔助電極圖案225'。
[0177]連接電極208可以包括分別由具有與第一電極的蝕刻速度不同的蝕刻速度的不同種類金屬的第三導(dǎo)電膜和第四導(dǎo)電膜形成的下層連接電極208a和上層連接電極208b。而且，輔助電極圖案225'可以包括分別由具有蝕刻速度不同于第一電極的蝕刻速度的第三導(dǎo)電膜和第四導(dǎo)電膜形成的第一輔助電極圖案225a,和第二輔助電極圖案225V。
[0178]如上所述，構(gòu)成連接電極208和輔助電極圖案225'的第三導(dǎo)電膜和第四導(dǎo)電膜的蝕刻速度不同于用于圖案化上層輔助電極(也就是第一電極)的蝕刻劑。
[0179]例如，第三導(dǎo)電膜由當(dāng)?shù)谝浑姌O被圖案化時沒有被蝕刻的金屬形成，例如MoTi或者Ti，并且沒有被Ag合金的蝕刻劑損傷。然而，本公開并不局限于此并且第三導(dǎo)電膜可以由當(dāng)?shù)谝浑姌O被圖案化時以最慢蝕刻速度的金屬形成。
[0180]第四導(dǎo)電膜可以由當(dāng)?shù)谝浑姌O被圖案化時以最快速蝕刻速度的金屬形成。這里，第四導(dǎo)電膜被Ag合金的蝕刻劑最快的蝕刻。因此，第四導(dǎo)電膜在導(dǎo)電膜之間被最多的蝕亥IJ，以生成空隙V。
[0181]隨后，如圖6C所示，為了形成空隙V，執(zhí)行掩模工藝。圖7A至7C的剖面圖具體地顯示了該掩模工藝。
[0182]如圖7A所示，第五導(dǎo)電膜250，第六導(dǎo)電膜260以及第七導(dǎo)電膜270形成在基板210的整個表面上，基板上已經(jīng)形成有連接電極208和輔助電極圖案2257。
[0183]然而，本公開并不局限于此，并且例如，僅僅單層的第五導(dǎo)電膜250可形成在基板210的整個表面上，基板上已經(jīng)形成有連接電極208和輔助電極圖案2257。
[0184]第五導(dǎo)電膜250以及第七導(dǎo)電膜270可以由例如銦錫氧化物(ΙΤ0)或者銦鋅氧化物(ΙΖ0)的透明導(dǎo)電材料形成。
[0185]第六導(dǎo)電膜260可以由鋁(A1)，銀(Ag)，金(Au)，鉑(Pt)，鉻(Cr)或者其合金形成。
[0186]隨后，如圖7B所示，由光刻膠形成的光敏膜圖案280形成在基板210上，第七導(dǎo)電膜270通過光刻工藝形成在基板上。
[0187]這里，光敏膜圖案280可以被圖案化以重疊其下的部分輔助電極圖案225'，也就是說，不重疊輔助電極圖案225'的其他部分，并且如下文所述當(dāng)?shù)谝浑姌O被圖案化時，沒有與光敏膜圖案重疊的部分第二輔助電極圖案225b'被蝕刻以固定該空隙。
[0188]在圖7B中，光敏膜圖案280被圖案化以不與輔助電極圖案225'的左邊部分重疊的情形作為一個例子被示出，然而本公開并不局限于此。光敏膜圖案280可以被圖案化以不與輔助電極圖案225'的右邊部分重疊或者可以被圖案化以不與輔助電極圖案225'的左邊和右邊部分重疊。
[0189]隨后，如圖6C和7C所示，第五導(dǎo)電膜，第六導(dǎo)電膜以及第七導(dǎo)電膜被選擇性地除去以形成由第五導(dǎo)電膜，第六導(dǎo)電膜和第七導(dǎo)電膜形成的第一電極218。
[0190]這里，第一電極218可以包括分別由第五導(dǎo)電膜、第六導(dǎo)電膜以及第七導(dǎo)電膜形成的下層第一電極218a、反射層218b以及上層第一電極218c。
[0191]例如，在第五導(dǎo)電膜、第六導(dǎo)電膜以及第七導(dǎo)電膜由ITO/Ag合金/ΙΤ0形成的情形下，當(dāng)該ITO/Ag合金/ΙΤ0在上述蝕刻狀態(tài)之下被蝕刻時，第一輔助電極圖案225a'的MoTi沒有被蝕刻。第二輔助電極圖案225V的Cu比ITO/Ag合金/ΙΤ0更快速地被蝕刻，并且因此具有預(yù)定空隙V的輔助電極225被圖案化。
[0192]這里，為了圖案化由銀合金形成的第一電極218，可以使用磷酸基蝕刻劑，硝酸基蝕刻劑，磷酸+硝酸基蝕刻劑，磷酸+乙酸基蝕刻劑，硝酸+乙酸基蝕刻劑，或者磷酸+硝酸+乙酸基蝕刻劑。而且，如上所述，MoTi不能被A1合金的蝕刻劑蝕刻。因此，當(dāng)ITO/Ag合金/ΙΤ0被蝕刻時，第一輔助電極圖案225a"的MoTi沒有被蝕刻。這里，輔助電極225可以包括分別由第三導(dǎo)電膜和第四導(dǎo)電膜(例如MoTi和Cu)形成的最下層輔助電極225a和下層輔助電極225b，以及由第五導(dǎo)電膜、第六導(dǎo)電膜以及第七導(dǎo)電膜(例如ITO/Ag合金/ΙΤ0)形成的上層輔助電極225c。
[0193]在這種情況下，第一電極218以及上層輔助電極225c根據(jù)光敏膜圖案的形狀被圖案化，同時最下層輔助電極225a沒有被蝕刻。而且，因為下層輔助電極225b以比上層輔助電極225c更快速的速度被蝕刻，由于下層輔助電極225b已經(jīng)被蝕刻而形成的空隙V形成在上層輔助電極225c和最下層輔助電極225a之間。
[0194]也就是說，上層輔助電極225c的一個端部相對于下層輔助電極225b的一個端部突出以形成空隙V，并且最下層輔助電極225a的一個端部相對于下層輔助電極225b的一個端部關(guān)出以形成空隙V。
[0195]例如，當(dāng)使用上述Ag合金的蝕刻劑時，在上層輔助電極225c的一端被蝕刻大約
0.5μηι至2.Ομπι的情況下，下層輔助電極225b的一端可以被蝕刻大約3.0 μ m至5.0 μ m。
[0196]第一電極218 (陽極)通過連接電極208被電連接至驅(qū)動TFT的漏極223。
[0197]這里，第一電極218形成在基板210上，因此它們對應(yīng)紅色，綠色和藍色子像素。
[0198]在掩模工藝之后，如圖6D所示，預(yù)定的堤狀物215d形成在其上已經(jīng)形成有第一電極218的基板210上。
[0199]這里，堤狀物215d可以圍繞第一電極218的周圍以限定第一開口，并且可以由有機絕緣材料或者無機絕緣材料形成。堤狀物215d也可以由包括黑色顏料的光敏劑形成，并且在這種情況下堤狀物215d可以用作阻光構(gòu)件。
[0200]而且，如圖6E所示，有機化合物層230通過蒸發(fā)形成在其上形成有堤狀物215d的基板210上。
[0201]這里，通過蒸發(fā)作用的沉積具有直線性，并且因為上層輔助電極225c用作阻光膜，有機化合物層230沒有被沉積在輔助電極225內(nèi)的空隙V中。
[0202]這里，為這個目的，首先，空穴注入層和空穴傳輸層可以順序地形成在基板210上。
[0203]這里，該空穴注入層和空穴傳輸層通?？梢孕纬稍诩t色、綠色和藍色子像素中以允許空穴的平穩(wěn)注入和傳輸。這里，空穴注入層和空穴傳輸層的任一個可以被省略，或者該功能可以并入一個或多個其他層。
[0204]隨后，發(fā)射層可以形成在其上形成有空穴傳輸層的基板210上。
[0205]這里，發(fā)射層可以包括紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層以及藍色發(fā)射層以與紅色、綠色和藍色子像素對應(yīng)。
[0206]隨后，電子傳輸層可以形成在其上形成有發(fā)射層的基板210上。
[0207]這里，該電子傳輸層通常形成在發(fā)射層上的紅色、綠色和藍色子像素中以允許電子的平穩(wěn)傳輸。
[0208]這里，為了允許電子被平穩(wěn)地注入，電子注入層可以進一步形成在電子傳輸層上。
[0209]由第八導(dǎo)電膜形成的第二電極228通過濺射形成在其上形成有電子傳輸層的基板210上。
[0210]這里，當(dāng)?shù)诎藢?dǎo)電膜通過濺射被沉積時，因為第八導(dǎo)電膜同樣甚至沉積在空隙V內(nèi)，第二電極228和輔助電極225可以以相對較大的接觸區(qū)域接觸。
[0211]這里，因為陰極與下層輔助電極225b的側(cè)面以及最下層輔助電極225a的上表面接觸，接觸可靠性可以得到提高。而且，第二電極228可以配置成與上層輔助電極225c的突出部分的背面接觸。預(yù)定的薄膜封裝層形成在如此制造的0LED上，以密封該0LED。
[0212]偏振膜可以提供在薄膜封裝層的上表面上以減少有機發(fā)光顯示裝置的外部光的反射，因此提高對比度。
[0213]圖8是例示根據(jù)本公開第三實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的一部分結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖。
[0214]這里，根據(jù)圖8所示的本公開的第三實施方式的有機發(fā)光顯示裝置具有大體上與上述根據(jù)本公開第二實施方式的有機發(fā)光顯示裝置相同的結(jié)構(gòu)，除了空隙形成在輔助電極的兩側(cè)并且連接電極被圖案化以具有大體上與第一基板相同的形狀。
[0215]作為一個例子，圖8所示的是使用具有共面結(jié)構(gòu)的TFT的頂部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置。然而，本公開并不局限于此。
[0216]參照圖8，根據(jù)本公開第三實施方式的頂部