有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 實施方式設(shè)及有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機發(fā)光顯示（OLED)裝置為可用低電壓操縱的自發(fā)射顯示裝置，并且具有寬視 角和改善的對比度性質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 實施方式設(shè)及有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
[0004] 實施方式可通過提供包括W下的有機發(fā)光顯示（OLED)裝置來實現(xiàn)：基板，所述基 板包含像素區(qū)和傳輸區(qū)；在所述基板的所述像素區(qū)上的像素電路；在所述基板的所述像素 區(qū)上的第一電極，所述第一電極與所述像素電路電連接；在所述基板的所述像素區(qū)和所述 傳輸區(qū)上連續(xù)延伸且覆蓋所述第一電極的第一有機層；選擇性在所述像素區(qū)上的所述第一 有機層的部分上的發(fā)射層；在所述基板的所述像素區(qū)和所述傳輸區(qū)上連續(xù)延伸且覆蓋所述 發(fā)射層的第二有機層；和選擇性在所述傳輸區(qū)上的第=有機層，所述第=有機層包含非發(fā) 射材料，所述非發(fā)射材料具有與所述發(fā)射層不同的透射率；W及在所述基板的所述像素區(qū) 和所述傳輸區(qū)上連續(xù)延伸且覆蓋所述第二有機層和所述第=有機層的第二電極。 陽0化]所述第S有機層可包含N，N'-二苯基-N，N'-雙（9-苯基-9H-巧挫-3-基） 聯(lián)苯基-4, 4' -二胺、N(二苯-4-基）9, 9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-巧挫-3-基）苯 基）-9H-巧-2-胺和2- (4- (9, 10-二（糞-2-基）蔥-2-基）苯基）-1-苯基-IH-苯并-腳 咪挫中的至少一種。
[0006] 所述第一有機層可包含空穴傳輸材料，且所述第二有機層可包含電子傳輸材料。
[0007] 所述第=有機層可在所述第一有機層和所述第二有機層之間。
[0008] 所述第=有機層可在所述第二有機層和所述第二電極之間。
[0009] 所述發(fā)射層和所述第=有機層可在所述像素區(qū)和所述傳輸區(qū)之間的界面彼此隔 開。
[0010] 所述OL邸裝置可進一步包括在所述第二電極上的覆蓋層。
[0011] 所述覆蓋層可包括在所述像素區(qū)和所述傳輸區(qū)上連續(xù)延伸的第一覆蓋層；和在所 述第一覆蓋層上的第二覆蓋層，所述第二覆蓋層選擇性置于所述像素區(qū)或所述傳輸區(qū)上。 陽012] 所述OLED裝置可進一步包括覆蓋所述像素電路的通孔絕緣層（via insulation layer);和在所述通孔絕緣層上的像素限定層，所述第一電極通過所述像素限定層暴露，其 中所述第一電極穿過所述通孔絕緣層延伸而與所述像素電路電連接。
[0013] 所述傳輸區(qū)可由所述像素限定層至少部分暴露，并且所述像素限定層的側(cè)壁可限 定傳輸窗。
[0014] 所述像素限定層可包含黑色材料。
[0015] 所述黑色材料可包括炭黑、亞苯基黑（phenylene black)、苯胺黑、花青黑和尼格 洛辛酸性黑（nigrosineacidblack)中的至少一種。
[0016] 所述通孔絕緣層的頂表面可由所述傳輸窗暴露，所述第一有機層可在所述像素限 定層和所述第一電極的表面上W及在所述通孔絕緣層的頂表面上連續(xù)延伸。
[0017] 所述傳輸窗可由所述像素限定層的側(cè)壁和所述通孔絕緣層的側(cè)壁限定。
[0018] 所述OL邸裝置可進一步包括在所述通孔絕緣層之下的絕緣夾層，所述絕緣夾層 部分覆蓋所述像素電路，其中所述第一有機層在所述像素限定層和所述第一電極的表面、 所述通孔絕緣層的側(cè)壁和所述絕緣夾層的頂表面上連續(xù)延伸。
[0019] 實施方式可通過提供包括W下的有機發(fā)光顯示（OLED)裝置來實現(xiàn)：基板，所述基 板包含像素區(qū)和傳輸區(qū)；選擇性在所述基板的所述像素區(qū)上的第一電極；在所述像素區(qū)和 所述傳輸區(qū)上連續(xù)延伸且覆蓋所述第一電極的共用有機層；選擇性在所述像素區(qū)上的發(fā)射 層；選擇性在所述傳輸區(qū)上的非像素有機層；W及在所述像素區(qū)和所述傳輸區(qū)上連續(xù)延伸 的第二電極，所述第二電極關(guān)于所述共用有機層與所述第一電極相對。
[0020] 所述非像素有機層可具有高于所述發(fā)射層的透射率。
[0021] 所述非像素有機層可在所述共用有機層上且與所述第二電極接觸。
[0022] 所述共用有機層可包括在所述第一電極和所述發(fā)射層之間的第一有機層，W及在 所述發(fā)射層和所述第二電極之間的第二有機層，并且所述非像素有機層可在所述第一有機 層和所述第二有機層之間。
[0023] 所述第一有機層可包含空穴傳輸材料，且所述第二有機層可包含電子傳輸材料。
[0024] 實施方式可通過提供包括W下的有機發(fā)光顯示（OLED)裝置來實現(xiàn)：基板，所述基 板包含像素區(qū)和傳輸區(qū)；在所述基板的像素區(qū)上的像素電路；在所述基板的所述像素區(qū)上 的第一電極，所述第一電極與所述像素電路電連接；在所述基板的所述像素區(qū)和所述傳輸 區(qū)上連續(xù)延伸且覆蓋所述第一電極的空穴傳輸層；選擇性在所述像素區(qū)上的空穴傳輸層的 部分上的發(fā)射層；在所述傳輸區(qū)上的空穴傳輸層的部分上的透射率控制層；W及在所述基 板的所述像素區(qū)和所述傳輸區(qū)上連續(xù)延伸的第二電極，所述第二電極覆蓋所述發(fā)射層和所 述透射率控制層。
[00巧]所述OL邸裝置可進一步包括在所述發(fā)射層和所述第二電極之間的電子傳輸層， 所述電子傳輸層在所述基板的像素區(qū)和傳輸區(qū)上連續(xù)延伸。
[00%] 實施方式可通過提供制造有機發(fā)光顯示裝置的方法來實現(xiàn)，所述方法包括制備包 含像素區(qū)和傳輸區(qū)的基板；在所述基板的所述像素區(qū)上形成像素電路；在所述基板的所述 像素區(qū)上形成與所述像素電路電連接的第一電極；使用開口掩模在所述像素區(qū)和所述傳輸 區(qū)上形成空穴傳輸層，使得所述空穴傳輸層覆蓋所述第一電極；使用第一掩模在所述空穴 傳輸層上形成發(fā)射層，所述第一掩模包括第一開孔，所述像素區(qū)通過所述第一開孔選擇性 暴露；使用第二掩模在所述空穴傳輸層上形成透射率控制層，所述第二掩模包括第二開孔， 所述傳輸區(qū)通過所述第二開孔選擇性暴露；并且使用所述開口掩模連續(xù)在所述發(fā)射層和所 述透射率控制層上形成第二電極。
[0027] 所述透射率控制層可包含非發(fā)射材料，所述非發(fā)射材料不同于所述發(fā)射層中包含 的材料。
[0028] 所述方法可進一步包括使用所述開口掩模在所述像素區(qū)和所述傳輸區(qū)上形成電 子傳輸層，使得所述電子傳輸層在所述發(fā)射層和所述第二電極之間。
[0029] 所述方法可進一步包括使用所述開口掩模在所述第二電極上形成第一覆蓋層。
[0030] 所述方法可進一步包括使用所述第一掩?；蛩龅诙谀Ｔ谒龅谝桓采w層上 形成第二覆蓋層，使得所述第二覆蓋層在所述像素區(qū)或所述傳輸區(qū)上選擇性形成。
[0031] 所述方法可進一步包括形成覆蓋所述像素電路的通孔絕緣層；在所述通孔絕緣層 上形成像素限定層，使得所述第一電極通過所述像素限定層暴露；并且去除在傳輸區(qū)上的 像素限定層的部分W形成傳輸窗，其中所述第二掩模在去除所述像素限定層的部分中用作 蝕刻掩模。
【附圖說明】
[0032] 通過參照附圖詳細地描述示例性的實施方式，特征將對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言變 得明顯，在附圖中：
[0033] 圖1說明了根據(jù)實施方式的有機發(fā)光顯示（OLED)裝置的示意俯視圖；
[0034] 圖2說明了根據(jù)一些實施方式的OLED裝置的截面視圖；
[0035] 圖3說明了根據(jù)一些實施方式的OL邸裝置的截面視圖；
[0036] 圖4和5說明了根據(jù)一些實施方式的OLED裝置的截面視圖；
[0037] 圖6和7說明了根據(jù)一些實施方式的OL邸裝置的截面視圖；
[003引圖8說明了制造根據(jù)一些實施方式的OL邸裝置的方法的流程圖；
[0039] 圖9至13說明了在制造根據(jù)一些實施方式的OL邸裝置的方法中各階段的截面視 圖；
[0040] 圖14說明了制造根據(jù)一些實施方式的OL邸裝置的方法的流程圖；
[0041] 圖15至19說明了在制造根據(jù)一些實施方式的OL邸裝置的方法中各階段的截面 視圖；并且
[0042] 圖20、21A和21B說明了在制造根據(jù)一些實施方式的OL邸裝置的方法中各階段的 截面視圖。
【具體實施方式】
[0043] 現(xiàn)在，下文將參照附圖更充分地描述示例性實施方式；然而，它們可用不同形式體 現(xiàn)并且不應(yīng)被解釋為限于本文所列的實施方式。相反，提供運些實施方式W使本公開徹底 且完整，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達示例性的實施。 W44] 在附圖中，為了清楚說明可能夸大各層和區(qū)域的尺寸。相同的附圖標(biāo)記在全文中 是指相同的元件。
[0045] 應(yīng)理解，盡管術(shù)語第一、第二、第=等在本文可用于描述各個元件，但是運些元件 不應(yīng)受運些術(shù)語限制。運些術(shù)語用于區(qū)分一個元件與另一個元件。因此，下面討論的第一 元件可被稱為第二元件，而不偏離本發(fā)明構(gòu)思的教義。如本文所用，術(shù)語"和/或"包括一 個或多個相關(guān)的所列項目的任意和所有組合。
[0046] 應(yīng)理解，當(dāng)元件被稱為與另一元件"連接"或"禪接"時，其可與另一元件直接連 接或禪接或可存在介入元件。相比之下，當(dāng)元件被稱為與另一元件"直接連接"或"直接 禪接"時，不存在介入元件。用于描述元件之間的關(guān)系的其它詞語應(yīng)W類似的方式被解釋 (例如，"在…之間"與"直接在…之間"，"相鄰"與"直接相鄰"等）。
[0047] 本文所用的術(shù)語為的是僅描述特定的示例性實施方式并非意在限制本發(fā)明構(gòu)思。 如本文所用，單數(shù)形式"一個（a)"、" 一種（an)"和"該（the)"旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非 上下文另有清楚指示。應(yīng)進一步理解，術(shù)語"包括"和/或"包含"，在用于本說明書時，具 體限定了存在所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組分，但是不排除存在或添加一個或 多個其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組分和/或組群。
[0048] 除非另有定義，本文所用的所有術(shù)語（包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語）具有與本發(fā)明構(gòu)思 所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常理解的相同的含義。應(yīng)進一步理解，術(shù)語（例如常用詞典中定 義的那些術(shù)語）應(yīng)被解釋為具有的含義符合其在相關(guān)領(lǐng)域上下文中的含義并且不應(yīng)在理 想化或過于正式的層面解釋，除非在本文如此清楚定義。
[0049] 圖1說明了根據(jù)一些實施方式的有機發(fā)光顯示（OLED)裝置的示意俯視圖。圖2 說明了根據(jù)一些實施方式的OL邸裝置的截面視圖。例如，圖2為沿著圖1的1-1'線得到 的截面視圖。
[0050] 參照圖1和2, OL邸裝置可包括像素區(qū)PA和傳輸區(qū)TA。
[0051] 像素區(qū)PA可包括紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍色像素化，它們可彼此相鄰。傳 輸區(qū)TA可與像素區(qū)PA相鄰。如圖1中所示，傳輸區(qū)TA可連續(xù)延伸而與紅色像素Pr、綠色 像素Pg和藍色像素化相鄰。在一個實施方式中，對于每個像素，傳輸區(qū)TA可被單獨地圖 案化。
[0052] 在示例性實施方式中，發(fā)光結(jié)構(gòu)可置于像素區(qū)PA上W產(chǎn)生圖像?？墒雇獠抗獯┻^ 傳輸區(qū)TA傳輸，使得外部圖像可由此觀察到。
[0053] 晶體管TR(例如，薄膜晶體管）可置于每個像素中，并且晶體管TR可與數(shù)據(jù)線D和 掃描線S電連接。如圖1中所示，數(shù)據(jù)線D和掃描線S可彼此交叉，并且可在數(shù)據(jù)線D和掃 描線S的相交區(qū)域限定每個像素。像素電路可由數(shù)據(jù)線D、掃描線S和晶體管