苯基）氨基]S苯基胺（m-MTDATA)。EIL可包括，例如，氣化裡化i巧或氣化飽（CsF)。
[0097] 覆蓋層180可在第二電極175上形成，使得發(fā)光結(jié)構(gòu)和傳輸區(qū)TA可受覆蓋層180 保護(hù)。在一個(gè)實(shí)施方式中，覆蓋層180可包括，例如透明有機(jī)材料，如聚酷亞胺、環(huán)氧類樹 月旨、丙締酷類樹脂或聚醋等。在一個(gè)實(shí)施方式中，覆蓋層180可包括，例如，無機(jī)材料如氧化 娃、氮化娃或氧氮化娃。
[0098] 在一個(gè)實(shí)施方式中，可在像素區(qū)PA和傳輸區(qū)TA上共同地且連續(xù)地提供覆蓋層 180。
[0099] 根據(jù)示例性實(shí)施方式，不同層堆疊結(jié)構(gòu)可在像素區(qū)PA和傳輸區(qū)TA上形成。例如， 如圖2中所示，包括第一電極150、HTL 160、發(fā)射層163、ETL 170和第二電極175的層堆疊 結(jié)構(gòu)可在像素區(qū)PA上形成。包括PDL 155、HTL 160、TCL 165、ETL 170和第二電極175的 層堆疊結(jié)構(gòu)可在傳輸區(qū)TA上形成。
[0100] 因此，用于優(yōu)化發(fā)光效率的共振結(jié)構(gòu)可在像素區(qū)PA上實(shí)現(xiàn)，且用于優(yōu)化透射率的 層堆疊結(jié)構(gòu)可在傳輸區(qū)TA上實(shí)現(xiàn)。
[0101] 根據(jù)示例性實(shí)施方式，可在像素區(qū)PA和傳輸區(qū)TA上共同地且均勻地提供HTL 160、ETL 170和第二電極175。例如，HTL 160、ETL 170和第二電極175可在整個(gè)像素區(qū) PA和傳輸區(qū)TA中具有大致上均勻的厚度和組成。傳輸區(qū)TA的透射率或透明度可選擇性被 T化165優(yōu)化，使得OL邸裝置的預(yù)期透射率可在不轉(zhuǎn)變或干擾HTL 160、E化170和第二電 極175的光學(xué)共振結(jié)構(gòu)的情況下得到。 陽102] 在一個(gè)實(shí)施方式中，封裝基板可進(jìn)一步置于第二電極175或覆蓋層180上W面向 基板100。封裝基板可包括大致上與基板100相同或相似的透明材料。在一個(gè)實(shí)施方式中， OL邸裝置還可包括連接基板100和封裝基板的隔片（spacer)，并且包括例如水分吸收劑的 填充劑可被填充到基板100與封裝基板之間的空間。 陽103]圖3說明了根據(jù)一些實(shí)施方式的OL邸裝置的截面視圖。例如，圖3說明了沿著圖 1的線1-1'截取的截面視圖。圖3的OL邸裝置可具有大致上與圖2中說明的OL邸裝置相 同或相似的元件和/或構(gòu)造，除了 T化配置之外。因而，本文可省略對元件和/或結(jié)構(gòu)的重 復(fù)的詳細(xì)描述，并且相同的附圖標(biāo)記用于表示相同的參考元件。
[0104]參見圖3,且如圖2中所示，可在OL邸裝置的像素區(qū)PA上限定包括第一電極150、 HTL 160、發(fā)射層163、ETL 170a和第二電極175的層堆疊結(jié)構(gòu)?？稍贠L邸裝置的傳輸區(qū)TA 上限定包括PDL 155、HTL 160、ETL 170曰、TCL 165a和第二電極175的層堆疊結(jié)構(gòu)。 陽1化]E化170a可覆蓋像素區(qū)PA上的發(fā)射層163,并且可在傳輸區(qū)TA上的HTL 160上 形成?！昊?70a和HTL 160可用作在像素區(qū)PA和傳輸區(qū)TA上連續(xù)形成的共用層。
[0106] 在一個(gè)實(shí)施方式中，TCL 165a可置于傳輸區(qū)TA上的ETL 170a的部分上。如圖3 中所示，T化165a和發(fā)射層163可由例如ETL 170a(的部分）彼此隔開或分離。 陽107] 在一個(gè)實(shí)施方式中，T化165a可與第二電極175接觸。在一個(gè)實(shí)施方式中，另外 的共用層（例如EIL)可插入在TCL 165a和第二電極175之間。
[0108] 圖4和5說明了根據(jù)一些實(shí)施方式的OL邸裝置的截面視圖。例如，圖4和5說明 了沿著圖1的線1-1'截取的截面視圖。圖4和5的OL邸裝置可具有大致上與圖2中說明 的OL邸裝置相同或相似的元件和/或構(gòu)造，除了覆蓋層的結(jié)構(gòu)之外。因而，本文可省略對 一些元件和/或結(jié)構(gòu)的重復(fù)的詳細(xì)描述，并且相同的附圖標(biāo)記用于表示相同的參考元件。
[0109] 參見圖4,且如圖2中所示，可在OLED裝置的像素區(qū)PA上限定包括第一電極150、 HTL 160、發(fā)射層163、ETL 170和第二電極175的層堆疊結(jié)構(gòu)?？稍贠LED裝置的傳輸區(qū)TA 上限定包括PDL 155、HTL 160、TCL 165、ETL 170和第二電極175的層堆疊結(jié)構(gòu)。
[0110] 覆蓋層可置于第二電極175上。覆蓋層可包括第一覆蓋層180a和第二覆蓋層 ISObo 陽111] 可在像素區(qū)PA和傳輸區(qū)TA上連續(xù)地且共同地提供第一覆蓋層180a。在一個(gè)實(shí)施 方式中，第一覆蓋層180a可包括透明有機(jī)材料，例如，聚酷亞胺類樹脂、環(huán)氧類樹脂或丙締 酷類樹脂。
[0112] 第二覆蓋層18化可置于第一覆蓋層180a上。第二覆蓋層18化可選擇性在傳輸 區(qū)TA上形成。例如，第二覆蓋層18化可僅在傳輸區(qū)TA上而不在像素區(qū)PA上形成。
[0113] 在一個(gè)實(shí)施方式中，第二覆蓋層18化可具有大致上與TCL 165相同的從頂視或俯 視方向看的截面大小。因而，第二覆蓋層18化和TCL 165可覆蓋大致上相同的OL邸裝置 的面積。 陽114] 在一個(gè)實(shí)施方式中，第二覆蓋層18化可包括與TCL 165大致上相同或相似的 材料。例如，TCL 165 (和第二覆蓋層180b)可包括諸如N，N'-二苯基-N，N'-雙（9-苯 基-9H-巧挫-3-基）聯(lián)苯基-4, 4' -二胺、N (二苯-4-基）9, 9-二甲基-N- (4 (9-苯基-9H-巧 挫-3-基）苯基）-9H-巧-2-胺或2- (4- (9, 10-二（糞-2-基）蔥-2-基）苯基）-1-苯 基-IH-苯并-扣]咪挫的有機(jī)材料。 陽115] 在一個(gè)實(shí)施方式中，第二覆蓋層18化可具有小于第一覆蓋層180a的厚度。
[0116] 根據(jù)上文所述的示例性實(shí)施方式，第二覆蓋層18化（例如選擇性僅覆蓋傳輸區(qū) TA)可在第一覆蓋層180a上形成。因此，透射率優(yōu)化結(jié)構(gòu)可在不干擾像素區(qū)PA上的發(fā)光性 質(zhì)的情況下得到。
[0117] 參見圖5,第二覆蓋層18化可選擇性在像素區(qū)PA上形成。例如，第二覆蓋層18化 可僅在像素區(qū)PA上而不在傳輸區(qū)TA上形成。第二覆蓋層18化可在圖1中說明的掃描線 S的方向上延伸，并且可在多個(gè)發(fā)射層163上共同地提供。
[0118] 在運(yùn)種情況下，第一覆蓋層181a可包括在傳輸區(qū)TA上用于優(yōu)化透射率的材料。例 如，第一覆蓋層181a可包括大致上與TCL 165相同或相似的材料。
[0119] 第二覆蓋層18化可包括用于保護(hù)像素區(qū)PA和用于改善其發(fā)光效率的材料。在一 個(gè)實(shí)施方式中，第二覆蓋層18化可包括透明有機(jī)材料，例如，聚酷亞胺類樹脂、環(huán)氧類樹脂 或丙締酷類樹脂。 陽120] 圖6和7說明了根據(jù)一些實(shí)施方式的OLED裝置的截面視圖。例如，圖6和7說明 了沿著圖1的線1-1'截取的截面視圖?？墒÷詫εc參照圖1說明的工藝大致上相同或相 似的元件和/或結(jié)構(gòu)的重復(fù)的詳細(xì)描述。 陽121] 參見圖6,可在傳輸區(qū)TA上限定傳輸窗240用于改善透射率。在一個(gè)實(shí)施方式中， 傳輸窗240可由彼此相鄰的多個(gè)PDL 255的側(cè)壁限定。在一個(gè)實(shí)施方式中，通孔絕緣層140 的頂表面可通過傳輸窗240暴露。
[0122] 在運(yùn)種情況下，PDL 255可包括多個(gè)線條圖案或網(wǎng)格圖案，并且可在像素區(qū)PA和 傳輸區(qū)TA之間的邊界。
[0123] 在一個(gè)實(shí)施方式中，P化255可包括黑色材料。例如，P化255可包括炭黑、亞苯基 黑、苯胺黑、花青黑或尼格洛辛酸性黑等。PDL 255可包括上述的黑色材料運(yùn)樣可避免來自 像素區(qū)PA和傳輸區(qū)TA、或者來自相鄰像素的光的干擾。
[0124] 在一個(gè)實(shí)施方式中，P化255可包括透明有機(jī)材料，例如參照圖2所述的聚酷亞胺 類樹脂或丙締酷類樹脂。 陽1巧]HTL 260可沿著或在PDL 255和第一電極150的表面W及通過傳輸窗240暴露的 通孔絕緣層140的頂表面上一致地（或統(tǒng)一地）且連續(xù)地形成。在一個(gè)實(shí)施方式中，可在 像素區(qū)PA和傳輸區(qū)TA上連續(xù)地且共同地提供HTL 260。 陽1%] 發(fā)射層263和TCL 265可分別在像素區(qū)PA和傳輸區(qū)TA上形成。 陽127] 在一個(gè)實(shí)施方式中，如圖6中所示，發(fā)射層263和TCL 265可延伸到PDL 255的頂 表面上，并且可在PDL 255的頂表面上彼此隔開。 陽12引在一個(gè)實(shí)施方式中，發(fā)射層263和TCL 265可不延伸到PDL 255的頂表面上。在 運(yùn)種情況下，發(fā)射層263和TCL 265可受PDL 255的側(cè)壁限制或在PDL 255的側(cè)壁終止。 陽129] Eli 270、第二電極275和覆蓋層280可在發(fā)射層263和TCL 265上順序堆疊，并 且可在像素區(qū)PA和傳輸區(qū)TA上共同地提供。
[0130]參見圖7,傳輸窗可由PDL 255的側(cè)壁和通孔絕緣層140a的側(cè)壁限定。在運(yùn)種情 況下，傳輸窗245可通過PDL 255和通孔絕緣層140a形成，并且絕緣夾層125的頂表面可 通過傳輸窗245暴露。PDL 255和通孔絕緣層140a的側(cè)壁可在大致上相同的平面上延伸。 陽131]HTL 260a可在PDL 255和第一電極150的表面上W及在通過傳輸窗245暴露的絕 緣夾層125的頂表面上一致地且連續(xù)地形成。
[0132]發(fā)射層263a和TCL 265a可分別選擇性置于像素區(qū)PA和傳輸區(qū)TA的HTL260a的 部分上。例如，發(fā)射層263a可僅置于像素區(qū)PA上并且TCL 265a可僅置于傳輸區(qū)TA上。 E化270a、第二電極275a和覆蓋層280a可順序堆疊在發(fā)射層263a和TCL 265a上，并且可 在像素區(qū)PA和傳輸區(qū)TA上共同地提供。 陽133] 在一個(gè)實(shí)施方式中，傳輸窗可由PDL 255的側(cè)壁、通孔絕緣層140a的側(cè)壁和絕緣 夾層125的側(cè)壁限定。在運(yùn)種情況下，柵絕緣層115的頂表面可通過傳輸窗暴露。在一個(gè) 實(shí)施方式中，傳輸窗可被PDL 255的側(cè)壁、通孔絕緣層140a的側(cè)壁、絕緣夾層125的側(cè)壁和 柵絕緣層115的側(cè)壁限定。在運(yùn)種情況下，緩沖層105的頂表面可通過傳輸窗暴露。
[0134] 在一個(gè)實(shí)施方式中，也可去除傳輸區(qū)TA中緩沖層105的部分W擴(kuò)展傳輸窗，可保 留緩沖層105的部分W有助于防止雜質(zhì)擴(kuò)散。
[0135] 如上所述，傳輸窗240和245可在傳輸區(qū)TA上形成W有助于進(jìn)一步改善其透射 率。
[0136] 在一個(gè)實(shí)施方式中，如參照圖5所述，T化265和265a可置于ETL 270和270a上 用作與HTL 260和260a的共用層。 陽137] 在一個(gè)實(shí)施方式中，如參照圖4和5所述，覆蓋層280和280a可包括第一覆蓋層 和第二覆蓋層。第二覆蓋層可選擇性置于像素區(qū)PA或傳輸區(qū)TA上。
[013引圖8說明了制造根據(jù)實(shí)施方式的OL邸裝置的方法的流程圖。圖9至13說明了制 造根據(jù)實(shí)施方式的OL邸裝置的方法中各階段的截面視圖。
[0139] 參見圖8和9,在操作SlO中，像素電路可在基板100上形成。
[0140] 在一個(gè)實(shí)施方式中，玻璃基板或透明絕緣基板（例如透明塑料基板）可用作基板 100。基板100可被分成像素區(qū)PA和傳輸區(qū)TA,例如最終形成具有像素區(qū)PA和傳輸區(qū)TA 的OL邸。 陽141]緩沖層105可在基板100上形成。緩沖層105可使用氧化娃、氮化娃或氧氮化娃 形成。緩沖層105可在基板100的大致上整個(gè)頂表面上形成。 陽142]有源層110可在緩沖層105上形成。例如，半導(dǎo)體材料層可在緩沖層105上形