。例如，當(dāng)UBM 56和上金屬化圖案58包括銅時(shí)，粘合層60可以包括氧化銅?？梢酝ㄟ^使用諸如氧化處理等的可接受的處理來形成粘合層60。在一些實(shí)施例中，UBM 56和上金屬化圖案58的表面可以暴露于包含氧物質(zhì)的等離子體，例如，氧(02)等離子體、臭氧(03)等離子體、諸如氮?dú)?N2)和氧氣(02)的組合的惰性氣體和含氧氣體的組合等?？梢允褂闷渌幚恚⑶铱梢孕纬善渌澈蠈?。
[0032]在圖12中，在UBM 56、上金屬化圖案58和第二介電層44上形成第三介電層62。在一些實(shí)施例中，第三介電層62由聚合物形成，聚合物可以是使用光刻掩?？梢匀菀椎貓D案化的諸如ΡΒ0、聚酰亞胺、BCB等的光敏材料。在其他實(shí)施例中，第三介電層62由諸如氮化硅的氮化物；諸如氧化硅、PSG、BSG、BPSG的氧化物等形成。可以通過旋涂、層壓、CVD等或它們的組合形成第三介電層62。然后圖案化第三介電層62以形成開口 64，從而暴露UMB56的部分和/或位于UBM 56上的粘合層60的部分?？梢酝ㄟ^可接受的工藝進(jìn)行圖案化，諸如當(dāng)介電層是光敏材料時(shí)通過將第三介電層62暴露于光或者例如通過使用各向異性蝕刻的蝕刻。
[0033]在圖13中，去除粘合層60的通過開口 64暴露的部分，并且通過開口 64在UBM 56上形成外部電連接件66。在一些實(shí)施例中，當(dāng)例如通過球安裝工藝期間的恪化來形成外部電連接件66時(shí)，去除粘合層60的暴露部分。在一些實(shí)施例中，外部電連接件66可以包括使用可接受的球落工藝形成在UBM 56上的諸如焊料(諸如無鉛焊料)的可低溫回流材料。在一些實(shí)施例中，外部電連接件66是球柵陣列(BGA)球、可控塌陷芯片連接(C4)凸塊、微凸塊等。在額外的實(shí)施例中，外部電連接件66可以包括金屬柱。
[0034]在圖14中，實(shí)施載體襯底脫粘以使載體襯底20從封裝件結(jié)構(gòu)分離(脫粘)。根據(jù)一些實(shí)施例，脫粘包括將諸如激光或UV光的光投射到釋放層22上，從而使得釋放層22在光的熱量下分解，并且載體襯底20可以被去除。
[0035]雖然未示出，然后可以將該結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)并且放置在膠帶上，并且被分割。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，可以在載體襯底20上同時(shí)形成許多這樣的封裝件結(jié)構(gòu)，并且因此可以從其他封裝件分割(諸如通過鋸切或切割)諸如圖14中示出的單獨(dú)的封裝件。
[0036]圖15示出了根據(jù)一些實(shí)施例的封裝件結(jié)構(gòu)的另一截面圖。在圖15中示出的實(shí)施例中，再分布結(jié)構(gòu)包括額外的介電層和金屬化圖案。為了形成該封裝件結(jié)構(gòu)，可以通過以上關(guān)于圖1至圖3討論的步驟繼續(xù)進(jìn)行工藝。然后，可以在第一介電層38和第一金屬化圖案40上形成第二介電層70。第二介電層70可以是與以上關(guān)于第一介電層38描述的相同或相似的材料并且可以以相同或相似的方式形成。然后，諸如以與以上關(guān)于第一介電層38討論的相同或相似的方式圖案化第二介電層70以形成開口，從而暴露第一金屬化圖案40的部分。諸如以與以上關(guān)于第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或相似的材料和相同或相似的方式，在第二介電層70上和在穿過第二介電層70的開口中形成第二金屬化圖案72和通孔74。通孔74將第一金屬化圖案40電連接至第二金屬化圖案72。然后可以如以上關(guān)于圖4至圖14討論的繼續(xù)進(jìn)行該工藝，其中，第二介電層44和第三介電層62分別對應(yīng)于圖15中的第三介電層76和第四介電層78。
[0037]圖16示出了根據(jù)一些實(shí)施例的封裝件結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步的截面圖。在圖16中示出的實(shí)施例中，再分布結(jié)構(gòu)包括額外的介電層和金屬化圖案。為了形成該封裝件結(jié)構(gòu)，可以通過以上關(guān)于圖1至圖3討論的步驟繼續(xù)進(jìn)行工藝。然后，可以在第一介電層38和第一金屬化圖案40上形成第二介電層70。第二介電層70可以是與以上關(guān)于第一介電層38描述的相同或相似的材料并且可以以相同或相似的方式形成。然后，諸如以與以上關(guān)于第一介電層38討論的相同或相似的方式圖案化第二介電層70以形成開口，從而暴露第一金屬化圖案40的部分。諸如以與以上關(guān)于第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或相似的材料和相同或相似的方式，在第二介電層70上和在穿過第二介電層70的開口中形成第二金屬化圖案72和通孔74。通孔74將第一金屬化圖案40電連接至第二金屬化圖案72。
[0038]然后，可以在第二介電層70和第二金屬化圖案72上形成第三介電層80。第三介電層80可以是與以上關(guān)于第一介電層38描述的相同或相似的材料并且可以以相同或相似的方式形成。然后，諸如以與以上關(guān)于第一介電層38討論的相同或相似的方式圖案化第三介電層80以形成開口，從而暴露第二金屬化圖案72的部分。諸如以與以上關(guān)于第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或相似的材料和相同或相似的方式，在第三介電層80上和在穿過第三介電層80的開口中形成第三金屬化圖案82和通孔84。通孔84將第二金屬化圖案72電連接至第三金屬化圖案82。然后可以如以上關(guān)于圖4至圖14討論的繼續(xù)進(jìn)行該工藝，其中，第二介電層44和第三介電層62分別對應(yīng)于圖16中的第四介電層86和第五介電層88。
[0039]實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢。通過在UBM 56和上金屬化圖案58上形成粘合層60，第三介電層62可以具有至UBM 56和上金屬化圖案58的增大的粘性，這可以轉(zhuǎn)而減少第三介電層62的分層。此外，通過具有UBM 56和上金屬化圖案58的傾斜側(cè)壁，更多的表面區(qū)域可以是可用的，第三介電層62可以粘合至該表面區(qū)域，這可以進(jìn)一步減少分層。而且，諸如當(dāng)?shù)谌殡妼?2是PBO或另一聚合物層時(shí)，UBM 56的傾斜側(cè)壁可以減少UBM 56上的第三介電層62的隆起或其他堆積。這可以改進(jìn)第三介電層62的均勻性，這可以改進(jìn)封裝件的可靠性。
[0040] 第一封裝件是一種封裝件結(jié)構(gòu)。該封裝件結(jié)構(gòu)包括集成電路管芯、至少橫向密封集成電路管芯的密封劑、位于集成電路管芯和密封劑上的再分布結(jié)構(gòu)、連接至再分布結(jié)構(gòu)的連接件支撐金屬以及位于連接件支撐金屬上的外部連接件。再分布結(jié)構(gòu)包括遠(yuǎn)離密封劑和集成電路管芯設(shè)置的第一介電層。連接件支撐金屬具有位于第一介電層的第一表面上的第一部分并且具有在穿過第一介電層的開口中延伸的第二部分。連接件支撐金屬的第一部分具有在遠(yuǎn)離第一介電層的第一表面的方向上延伸的傾斜側(cè)壁。
[0041 ] 在上述封裝件結(jié)構(gòu)中，其中，所述封裝件結(jié)構(gòu)還包括:粘合層，位于所述連接件支撐金屬的所述第一部分的至少部分上；以及第二介電層，位于所述第一介電層和所述粘合層上，所述外部連接件設(shè)置為通過穿過所述第二介電層的開口。
[0042]在上述封裝件結(jié)構(gòu)中，其中，所述封裝件結(jié)構(gòu)還包括:粘合層，位于所述連接件支撐金屬的所述第一部分的至少部分上；以及第二介電層，位于所述第一介電層和所述粘合層上，所述外部連接件設(shè)置為通過穿過所述第二介電層的開口，其中，所述連接件支撐金屬包括銅，并且所述粘合層是氧化銅。
[0043]在上述封裝件結(jié)構(gòu)中，其中，所述封裝件結(jié)構(gòu)還包括:粘合層，位于所述連接件支撐金屬的所述第一部分的至少部分上；以及第二介電層，位于所述第一介電層和所述粘合層上，所述外部連接件設(shè)置為通過穿過所述第二介電層的開口，其中，所述外部連接件直接連接至所述連接件支撐金屬。
[0044]在上述封裝件結(jié)構(gòu)中，其中，在所述連接件支撐金屬內(nèi)部測量的由所述傾斜側(cè)壁和所述第一表面形成的角度在從60度至85度的范圍內(nèi)。
[0045]在上述封裝件結(jié)構(gòu)中，其中，所述再分布結(jié)構(gòu)還包括:金屬化圖案，所述第一介電層位于所述金屬化圖案上，所述連接件支撐金屬機(jī)械和電連接至所述金屬化圖案。
[0046]另一實(shí)施例是一種封裝件結(jié)構(gòu)。該封裝件結(jié)構(gòu)包括復(fù)合結(jié)構(gòu)、位于復(fù)合結(jié)構(gòu)上的再分布結(jié)構(gòu)以及位于再分布結(jié)構(gòu)上的球下金屬(UBM)。復(fù)合結(jié)構(gòu)包括集成電